| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 특징 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 출력으로 | 회로 수 | 전압 - 공급 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 논리의 유형 | 수요소 | 요소당 비트 수 | 현재 - 인텐음, 미음 | 기능 | 현재 - 정지(최대) | 비트 수 | 입력할 수 있다 | 클럭킹 | 대처하다 | 힘껏 유도 @ V, 최대 CL | 현재 - 대기(Iq) | 입력 커패시턴스 | 입력 레벨 - 낮음 | 입력 레벨 - 레벨음 | 공급전압 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 74HCT107D,653 | - | ![]() | 6549 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74HCT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | JK형 | 74HCT107 | 보완적인 | 4.5V ~ 5.5V | 14-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HCT107D,653-954 | 1 | 2 | 1 | 4mA, 4mA | 다시 앉기 | 66MHz | 네거티브에지 | 36ns @ 4.5V, 50pF | 4μA | 3.5pF | ||||||||||||||
![]() | 74HC4060DB,112 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74HC4060 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HC4060DB,112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LV08PW,118 | 0.0900 | ![]() | 68 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74LV08 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LV08PW,118-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HEF40098BT,652 | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | HEF40098 | - | 3-상태 | 3V ~ 15V | 16-SO | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-HEF40098BT,652 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 되돌리기, 반전 | 2 | 2, 4 | 10mA, 20mA | |||||||||||||||||
![]() | 74HCU04D,652 | 0.1100 | ![]() | 92 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74HCU04 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HCU04D,652-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AHC02PW,118 | 0.0900 | ![]() | 255 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AHC02 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AHC02PW,118-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT573D,652 | - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74HCT573 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HCT573D,652-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G79GM,115 | 0.0800 | ![]() | 355 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74AUP | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 6-XFDFN | D형 | 74AUP1G79 | 비반전 | 0.8V ~ 3.6V | 6-XSON, SOT886(1.45x1) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G79GM,115-954 | 3,963 | 1 | 1 | 4mA, 4mA | 기준 | 309MHz | 위치티브에지 | 5.8ns @ 3.3V, 50pF | 500nA | 0.8pF | ||||||||||||||
![]() | 74LVC2244APW,118 | 0.1500 | ![]() | 111 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 20-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | 74LVC2244 | - | 3-상태 | 1.2V ~ 3.6V | 20-TSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC2244APW,118-954 | 1 | 백업, 비반전 | 2 | 4 | 12mA, 12mA | |||||||||||||||||||
![]() | 74HC594DB,112 | - | ![]() | 6728 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74HC594 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HC594DB,112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVTH244AD,112 | - | ![]() | 6435 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVTH | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | - | 3-상태 | 2.7V ~ 3.6V | 20-SO | - | 2156-74LVTH244AD,112 | 1 | 백업, 비반전 | 2 | 4 | 32mA, 64mA | ||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC3G34DC,125 | 0.1800 | ![]() | 89 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 8-VFSOP(0.091", 2.30mm 폭) | 74LVC3G34 | - | 푸시풀 | 1.65V ~ 5.5V | 8-VSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC3G34DC,125-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 백업, 비반전 | 3 | 1 | 32mA, 32mA | |||||||||||||||||
![]() | 74LVT125DB,118 | - | ![]() | 6685 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 14-SSOP(0.209", 5.30mm 폭) | 74LVT125 | - | 3-상태 | 2.7V ~ 3.6V | 14-SSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVT125DB,118-954 | 1 | 백업, 비반전 | 4 | 1 | 32mA, 64mA | |||||||||||||||||||
![]() | 74HC240D,652 | 0.2300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74HC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | 74HC240 | - | 3-상태 | 2V ~ 6V | 20-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HC240D,652-954 | 1 | 되돌리기, 반전 | 2 | 4 | 7.8mA, 7.8mA | |||||||||||||||||||
![]() | 74LV164DB,118 | 0.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74LV164 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LV164DB,118-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G06GF,132 | 0.1200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G06 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G06GF,132-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC2G86GT,115 | - | ![]() | 5783 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 8-XFDFN | - | 74LVC2G86 | 2 | 1.65V ~ 5.5V | 8-XSON(1.95x1) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC2G86GT,115-954 | 1 | XOR(배타적 OR) | 32mA, 32mA | 4μA | 2 | 3.6ns @ 5V, 50pF | 0.58V ~ 1.65V | 1.07V ~ 3.85V | ||||||||||||||||
![]() | 74LVT16244BDL,118 | 0.5300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-BSSOP(0.295", 7.50mm 폭) | 74LVT16244 | - | 3-상태 | 2.7V ~ 3.6V | 48-SSOP | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVT16244BDL,118-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 백업, 비반전 | 4 | 4 | 32mA, 64mA | |||||||||||||||||
![]() | 74VHCT245D,118 | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74VHCT | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | 74VHCT245 | - | 3-상태 | 4.5V ~ 5.5V | 20-SO | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-74VHCT245D,118 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 트랜시버, 비반전 | 1 | 8 | 8mA, 8mA | |||||||||||||||||
![]() | 74LVC07APW,112 | 0.1000 | ![]() | 77 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 14-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | 74LVC07 | - | 오픈드레인 | 1.2V ~ 5.5V | 14-TSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC07APW,112-954 | 1 | 백업, 비반전 | 6 | 1 | -, 32mA | |||||||||||||||||||
![]() | HEF4013BTT,118 | - | ![]() | 3096 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 4000B | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 14-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | D형 | HEF4013 | 보완적인 | 3V ~ 15V | 14-TSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-HEF4013BTT,118-954 | 1 | 2 | 1 | 3.4mA, 3.4mA | 설정(프리셋) 및 회원 | 40MHz | 위치티브에지 | 60ns @ 15V, 50pF | 4μA | 7.5pF | ||||||||||||||
![]() | 74AUP1Z04GN,132 | - | ![]() | 1621 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74AUP | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-XFDFN | 74AUP1Z04 | 6-XSON(0.9x1) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 인버터, X-Tal 드라이버 | - | 0.8V ~ 3.6V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LV74D,112 | 0.1200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LV | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | D형 | 74LV74 | 보완적인 | 1V ~ 5.5V | 14-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LV74D,112-954 | 1 | 2 | 1 | 12mA, 12mA | 설정(프리셋) 및 회원 | 110MHz | 위치티브에지 | 17ns @ 5V, 50pF | 20μA | 3.5pF | ||||||||||||||
![]() | 74AUP1G97GF,132 | 0.1700 | ![]() | 177 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G97 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G97GF,132-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC1GU04GS,132 | 0.0800 | ![]() | 86 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-XFDFN | - | 74LVC1GU04 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | 6-XSON, SOT1202(1x1) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC1GU04GS,132-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,831 | 인버터 | 32mA, 32mA | 4μA | 1 | 3ns @ 5V, 50pF | - | - | ||||||||||||||
![]() | 74AHCT245D,112 | - | ![]() | 3317 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74AHCT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | 74AHCT245 | - | 3-상태 | 4.5V ~ 5.5V | 20-SO | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 트랜시버, 비반전 | 1 | 8 | 8mA, 8mA | |||||||||||||||||||||
![]() | 74AXP2T08GFX | 0.1600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AXP2T08 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AXP2T08GFX-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LV00DB,118 | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74LV00 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LV00DB,118-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC1G08GW,125 | - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | 74LVC1G08 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC1G08GW,125-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVT245D,112 | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | 74LVT245 | - | 3-상태 | 2.7V ~ 3.6V | 20-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVT245D,112-954 | 1 | 트랜시버, 비반전 | 1 | 8 | 32mA, 64mA |

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