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논리 (25711)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	산출	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	출력 출력	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간
JM38510/65802BEA	-	RFQ	6355	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/65802BEA			1
SN74HC74NS	-	RFQ	1992	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입				보완 보완				2V ~ 6V	14-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		296-SN74HC74NS	귀 99	8542.39.0001	1		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					60MHz			긍정적 긍정적 가장자리		30NS @ 6V, 50pf	4 µA								3 pf
SN74ALS157ADBR	0.1500	RFQ	20	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인														-					귀 99	8542.39.0001	1
SN74HC20N	0.5700	RFQ	546	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74HC20					2	2V ~ 6V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		2 µA		4							19NS @ 6V, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74LVC2244ADW	1.5800	RFQ	302	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVC2244	-	3 국가				1.65V ~ 3.6V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전 비	2	4	12MA, 12MA
CD74HC02ME4	-	RFQ	4088	텍사스 텍사스	74HC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74HC02					4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	게이트도			5.2MA, 5.2MA		2 µA		2							15NS @ 6V, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
Cy74FCT257CTSOCTG4	-	RFQ	8488	텍사스 텍사스	74fct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	멀티플렉서		74FCT257						4.75V ~ 5.25V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				32MA, 64MA							단일 단일																4 x 2 : 1	1
SNJ54LVTH245AFK	-	RFQ	8033	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54LVTH245AFK			1
5962-9221403MRA	-	RFQ	7285	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9221403MRA			1
SN74LS684N	6.8400	RFQ	12	텍사스 텍사스	74ls	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)	크기 크기		74LS684				활성 활성		4.85V ~ 5.25V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20				400µa, 24ma			8							a = b, a> b	30NS @ 5V, 45pf
74LVC2G157DCURE4	-	RFQ	1698	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	멀티플렉서		74LVC2G157						1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000				32MA, 32MA							단일 단일																1 x 2 : 1	1
SN74HC109D	1.0900	RFQ	4	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	JK 유형		74HC109		보완 보완				2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					60MHz			긍정적 긍정적 가장자리		30NS @ 6V, 50pf	4 µA								3 pf
SN74ABT374AN	1.1100	RFQ	8010	텍사스 텍사스	74ABT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		74ABT374		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20		1	8	32MA, 64MA	기준					200MHz			긍정적 긍정적 가장자리		6.6ns @ 5V, 50pf	250 µA								3.5 pf
SN74LVC8T245PWRE4	1.5500	RFQ	169	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVC8T245	-	3 국가				1.65V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	번역 번역	2	8	32MA, 32MA
SN74HC74DT	1.0900	RFQ	6	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HC74		보완 보완				2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					60MHz			긍정적 긍정적 가장자리		30NS @ 6V, 50pf	4 µA								3 pf
SN74AUP1G04DBVT	1.0100	RFQ	2	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	74AUP1G04					1	0.8V ~ 3.6V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	인버터			4MA, 4MA		500 NA		1							5.4ns @ 3.3v, 30pf										0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
74LVC2G157DCUTG4	-	RFQ	3679	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	멀티플렉서		74LVC2G157						1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250				32MA, 32MA							단일 단일																1 x 2 : 1	1
Cy74FCT245ATSOC	1.1300	RFQ	349	텍사스 텍사스	74fct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT245	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
SN74HC10NSR	0.7400	RFQ	4445	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC10					3	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		2 µA		3							16ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74LVC540APWRE4	-	RFQ	8924	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVC540	-	3 국가				1.65V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전	1	8	24MA, 24MA
CD74HC541M	1.0100	RFQ	644	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74HC541	-	3 국가				2V ~ 6V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전 비	1	8	7.8ma, 7.8ma
SN74BCT29827BNSRE4	-	RFQ	6811	텍사스 텍사스	74bct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74BCT29827	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	24-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	1	10	24MA, 48MA
SN74HC563DWR	1.3200	RFQ	5089	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74HC563		트라이 트라이				2V ~ 6V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			7.8ma, 7.8ma																							8 : 8	1	23ns
SN74LVC16374AGRDR	-	RFQ	3719	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-TFBGA	D- 타입		74LVC16374		트라이 트라이, 스테이트 반전				1.65V ~ 3.6V	54-BGA Microstar Junior (8x5.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000		2	8	24MA, 24MA	기준					150MHz			긍정적 긍정적 가장자리		4.5ns @ 3.3v, 50pf	20 µA								5 pf
74Act16657dl	-	RFQ	2744	텍사스 텍사스	74ACT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ATT16657	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	56-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
CY74FCT16245CTPVC	3.2000	RFQ	177	텍사스 텍사스	74fct	튜브	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT16245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	2	8	32MA, 64MA
SN74LVC02APWT	1.0100	RFQ	64	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74LVC02					4	1.65V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	게이트도			24MA, 24MA		1 µA		2							4.2ns @ 3.3v, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74LV240ADBRE4	-	RFQ	6932	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LV240	-	3 국가				2V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전	2	4	16MA, 16MA
SN74LVC1G29YZPR	0.2925	RFQ	8059	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-XFBGA, DSBGA	디코더/demultiplexer		74LVC1G29						1.65V ~ 5.5V	8-DSBGA (1.9x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000				32MA, 32MA							단일 단일																1 x 2 : 3	1
SN74V235-10PAG	11.7540	RFQ	2437	텍사스 텍사스	74V	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-tqfp			74V235			확인되지 확인되지			3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	160					동기				100MHz			36k (2k x 18)					6.5ns	35MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	예

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (25711)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²