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논리 (25711)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	산출	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	출력 출력	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	전파 전파	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
CD54HCT139F3A	-	RFQ	8419	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD54HCT139F3A			1
5962-9761501VCA	-	RFQ	1656	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9761501VCA			1
SN74HC14PWT	1.2900	RFQ	4	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	74HC14				6	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	인버터			5.2MA, 5.2MA		2 µA		1								21ns @ 6v, 50pf			0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
JM38510/65352SCA	114.0600	RFQ	98	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						JM38510							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
JM38510/30003BCA	-	RFQ	4279	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/30003BCA			1
CD74HC574M96	0.9300	RFQ	517	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74HC574		트라이 트라이, 스테이트 반전			2V ~ 6V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	7.8ma, 7.8ma	기준					60MHz				긍정적 긍정적 가장자리		28ns @ 6v, 50pf	8 µA	10 pf
SN74BCT29823nt	2.8900	RFQ	1	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74BCT29823							다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
SN74LVC1G86DBVT	0.9000	RFQ	1	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	74LVC1G86				1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	xor (또는 독점)			32MA, 32MA		10 µA		2								4NS @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74LVC541APW	0.9200	RFQ	8634	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVC541	-	3 국가			1.65V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	70	버퍼, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
SN7405D	0.3600	RFQ	1	텍사스 텍사스	7400	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		오픈 오픈	SN7405				6	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터			-, 16MA				1								55ns @ 5V, 15pf			0.8V	2V
SN74LVCC4245APWT	2.0500	RFQ	418	텍사스 텍사스	74LVCC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74LVCC4245		트라이 트라이, 스테이트 반전		1		24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250									-		-	-													전압 전압	양방향	8	4.5 V ~ 5.5 v	2.7 V ~ 5.5 v
CD74HC174M	1.2300	RFQ	179	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HC174		비 비			2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40		1	6	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터					35MHz				긍정적 긍정적 가장자리		28ns @ 6v, 50pf	8 µA	10 pf
74ALVCH16374DGGRE4	-	RFQ	7365	텍사스 텍사스	74ALVCH	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입		74ALVCH16374		트라이 트라이, 스테이트 반전			1.65V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		2	8	24MA, 24MA	기준					150MHz				긍정적 긍정적 가장자리		4.2ns @ 3.3v, 50pf	40 µA	3 pf
SN74HC125APWR	0.5700	RFQ	2712	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HC125	-	3 국가			2V ~ 6V	14-tssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	4	1	7.8ma, 7.8ma
SN74LS164NSRE4	-	RFQ	6858	텍사스 텍사스	74ls	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LS164		푸시 푸시			4.75V ~ 5.25V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의
SN74AHC1G14DBV3	-	RFQ	7324	텍사스 텍사스	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		슈미트 슈미트					1	2V ~ 5.5V	SOT-23-5	-	Rohs3 준수			296-SN74AHC1G14DBV3			1	인버터			8ma, 8ma		1 µA		1								10.6ns @ 5V, 50pf			1.9V ~ 3.35V	2.2V ~ 3.85V
SN74LV165APWRG3	0.9100	RFQ	2	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LV165		보완 보완			2V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	시프트 시프트	1	8		평행 평행 일련의 또는
SN74AHCT595DR	0.5800	RFQ	7	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74AHCT595		트라이 트라이			4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
74Act11000NSRE4	-	RFQ	8594	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74ATT11000				4	4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			24MA, 24MA		4 µA		2								10.9ns @ 5v, 50pf			0.8V	2V
CD74HC165MTE4	-	RFQ	3886	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC165		보완 보완			2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	시프트 시프트	1	8		평행 평행 일련의 또는
CD40194BNSR	-	RFQ	9786	텍사스 텍사스	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			CD40194		푸시 푸시			3V ~ 18V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	등록, 양방향	1	4		만능인
CD74HC595E	1.1900	RFQ	458	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74HC595		트라이 트라이			2V ~ 6V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
SN74LV123APWRG4	-	RFQ	2094	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			SN74LV123					2 V ~ 5.5 v	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	모노스트 모노스트			12MA, 12MA																	예		2	13 ns
CD74HCT4094ME4	-	RFQ	5164	텍사스 텍사스	74hct	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HCT4094		트라이 트라이			4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의
SN74AHC132DRE4	-	RFQ	4204	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		슈미트 슈미트	74AHC132				4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA		2								9.7ns @ 5V, 50pf			0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
SN74AHCT74MDREP	0.9735	RFQ	9279	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74AHCT74		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		2	1	8ma, 8ma	설정 (설정 사전) 및 재설정					140MHz				긍정적 긍정적 가장자리		8.8ns @ 5V, 50pf	2 µA	2 pf
SN74HC174PWR	0.5000	RFQ	4	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HC174		비 비			2V ~ 6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	6	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터					50MHz				긍정적 긍정적 가장자리		27ns @ 6v, 50pf	8 µA	3 pf
CD4585BPW	0.5300	RFQ	1	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	크기 크기		CD4585			활성 활성		3V ~ 18V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90				4.2MA, 4.2MA			4								에이비	160ns @ 15V, 50pf	100 µa
CD74HCT03MT	0.9200	RFQ	436	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		열린 열린	74HCT03				4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	NAND 게이트			-, 4MA		2 µA		2								24ns @ 4.5v, 50pf			0.8V	2V
SN74F258DG4	-	RFQ	6145	텍사스 텍사스	74f	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74F258					4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40				3ma, 24ma									단일 단일									4 x 2 : 1	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (25711)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²