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논리 (25711)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	공급 공급
CD74AC540M	1.2900	RFQ	185	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74AC540	-	3 국가			1.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전	1	8	24MA, 24MA
SN74LVC374AQPWRQ1	-	RFQ	3383	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74LVC374		트라이 트라이, 스테이트 반전			2V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SN74LVC374AQPWRQ1-NDR	귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	24MA, 24MA	기준					100MHz							긍정적 긍정적 가장자리	8.5ns @ 3.3v, 50pf	10 µA	4 pf
CD4049UBNSR	0.5700	RFQ	1292	텍사스 텍사스	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	CD4049				6	3V ~ 18V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			4.3ma, 24ma		4 µA		1										50ns @ 15V, 50pf			1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
SN74LVCZ16245ADLR	1.4340	RFQ	2287	텍사스 텍사스	74LVCZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVCZ16245	-	3 국가			2.7V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
sn74als112an	0.9712	RFQ	8254	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	JK 유형		74als112		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25		2	1	400µA, 8mA	설정 (설정 사전) 및 재설정					30MHz							부정적인 부정적인	19NS @ 5V, 50pf	4.5 MA
74Act11000DR	1.2810	RFQ	9389	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74ATT11000				4	4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			24MA, 24MA		4 µA		2										10.9ns @ 5v, 50pf			0.8V	2V
SN74ALS74ADRE4	-	RFQ	7917	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74ALS74		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		2	1	400µA, 8mA	설정 (설정 사전) 및 재설정					34 MHz							긍정적 긍정적 가장자리	18NS @ 5V, 50pf	4 MA
CD74HCT393M96	0.6500	RFQ	9	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HCT393			위로		4.5 V ~ 5.5 v	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	이진 이진	2	4											비동기	-	27 MHz	부정적인 부정적인
CD74HCT241M96	0.7000	RFQ	7595	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74HCT241	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	2	4	6MA, 6MA
SN74LVC16374ADGVR	0.6835	RFQ	2	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74LVC16374		트라이 트라이, 스테이트 반전			1.65V ~ 3.6V	48-TVSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		2	8	24MA, 24MA	기준					150MHz							긍정적 긍정적 가장자리	4.5ns @ 3.3v, 50pf	20 µA	5 pf
SN74HC03NG4	-	RFQ	3969	텍사스 텍사스	74HC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		열린 열린	74HC03				4	2V ~ 6V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트			-, 5.2ma		2 µA		2										23ns @ 6v, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74CBTD3306CPWR	0.5500	RFQ	1	텍사스 텍사스	74CBTD	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스		74CBTD3306					4.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				-									단일 단일										1 x 1 : 1	2
5962-9757401QSA	-	RFQ	2105	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9757401QSA			1
SN74LVTH18504APMR	5.6685	RFQ	7784	텍사스 텍사스	74lvth	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-LQFP			74LVTH18504						64-LQFP (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	범용 범용 트랜시버가있는 abt 스캔 테스트 장치 장치						20																								2.7V ~ 3.6V
SN74CBT3383CDBQR	0.3450	RFQ	4624	텍사스 텍사스	74CBT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)	버스 FET 스위치 교환		74CBT3383					4.5V ~ 5.5V	24-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				-									단일 단일										5 x 2 : 2	1
SN74LS27NS	0.5200	RFQ	19	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
SN74S10NSRE4	-	RFQ	7147	텍사스 텍사스	74S	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74S10				3	4.75V ~ 5.25V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			1ma, 20ma				3										5NS @ 5V, 50pf			0.8V	2V
SN74ALVC10NSR	0.4900	RFQ	8248	텍사스 텍사스	74ALVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74ALVC10				3	1.65V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			24MA, 24MA		10 µA		3										3ns @ 3.3v, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
LP3928TL-1828/NOPB	-	RFQ	7883	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-WFBGA		SIM 카드 인터페이스	LP3928		트라이 트라이, 스테이트 반전		1		16-DSBGA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250									-		-	-														전압 전압	양방향	3	1.65 V ~ 1.95 v	1.65 V ~ 3.6 v
SNJ54F245W	-	RFQ	9724	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54F245W			1
SN74LV27AD	1.2200	RFQ	1	텍사스 텍사스	74lv	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74LV27				3	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	게이트도			12MA, 12MA		20 µA		3										7.9ns @ 5V, 50pf			0.5V	1.5V
CD74AC373M96	0.9100	RFQ	167	텍사스 텍사스	74AC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74AC373		트라이 트라이			1.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA																			8 : 8	1	3ns
Cy74FCT652CTSOCT	1.4400	RFQ	1	텍사스 텍사스	74fct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT652	-	3 국가			4.75V ~ 5.25V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
CD4040bns	0.2200	RFQ	2	텍사스 텍사스	4000B	대부분	활동적인						CD4040							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
SN74CBT3384ADWR	0.7700	RFQ	501	텍사스 텍사스	74CBT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	버스 버스		74CBT3384					4.5V ~ 5.5V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				-									단일 단일										5 x 1 : 1	2
SN74LVC1G00DCKTE4	-	RFQ	4973	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74LVC1G00				1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	NAND 게이트			32MA, 32MA		10 µA		2										4.3ns @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74ALS645A-12	2.5400	RFQ	36	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74ALS645	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	트랜시버, 반전 비	1	8	15ma, 24ma
74ATT11240DBR	-	RFQ	4262	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ATT11240	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	24-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전	2	4	24MA, 24MA
SN74LV20ADR	0.8500	RFQ	5	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74LV20				2	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			12MA, 12MA		20 µA		4										7NS @ 5V, 50pf			0.5V	1.5V
CD74HCT283E	0.8500	RFQ	143	텍사스 텍사스	74hct	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74HCT283						16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	빠른 빠른 바이너리 캐리가있는						4																								4.5V ~ 5.5V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (25711)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²