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논리 (25711)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	공급 공급
CD4093BPWRG4	-	RFQ	8778	텍사스 텍사스	4000B	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	CD4093					4	3V ~ 18V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			3.4ma, 3.4ma		4 µA		2								130ns @ 15V, 50pf								0.9V ~ 4V	3.6V ~ 10.8V
SN74HCT540DWG4	-	RFQ	1732	텍사스 텍사스	74hct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74HCT540	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전	1	8	6MA, 6MA
CD74FCT240M	0.2000	RFQ	5	텍사스 텍사스	74fct	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT240						4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	인버터			15MA, 64MA
SN74ABT3613-15PQ	16.9600	RFQ	1	텍사스 텍사스	74ABT	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-BQFP q			74ABT3613				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	132-BQFP (24.13x24.13)	-	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	36					동기				66.7MHz		2.25K (64 x 36)						10ns	130ma	양방향	-	예	아니요	아니요
SN74AUC2G08DCTRE4	-	RFQ	1865	텍사스 텍사스	74AUC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)		-	74AUC2G08					2	0.8V ~ 2.7V	SM8 (SSOP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			9MA, 9MA		10 µA		2								1.6ns @ 2.5v, 30pf								0V ~ 0.7V	1.7V
SN74AC10DE4	0.1600	RFQ	1	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AC10					3	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트			24MA, 24MA		2 µA		3								7NS @ 5V, 50pf								0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
SN74AC00DG4	-	RFQ	3959	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AC00					4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트			24MA, 24MA		2 µA		2								8NS @ 5V, 50pf								0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
SN74AS04DG4	-	RFQ	1637	텍사스 텍사스	74AS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AS04					6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	인버터			2MA, 20MA				1								5NS @ 5V, 50pf								0.8V	2V
SN72258N	0.6800	RFQ	2	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인						SN722								-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.31.0001	700
SN74HCT04PWG4	-	RFQ	2060	텍사스 텍사스	74hct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74HCT04					6	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	90	인버터			4MA, 4MA		2 µA		1								18NS @ 5.5V, 50pf								0.8V	2V
SN74ALVC3631-15PQ	10.5400	RFQ	242	텍사스 텍사스	74ALVC	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-BQFP q			74ALVC3631				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	132-BQFP (24.13x24.13)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.31.0001	36					동기				66.7MHz		18K (512 x 36)						9.5ns	350µA	양방향	깊이, 너비	예	예	아니요
SN74HCS32PWR	0.3500	RFQ	63	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트 입력	74HCS32					4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	또는 또는			7.8ma, 7.8ma		2 µA		2								12NS @ 6V, 50pf								1V ~ 3V	1.5V ~ 4.2V
SN74HC4040DE4	-	RFQ	6110	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC4040			위로			2 V ~ 6 v	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	40	이진 이진	1	12									비동기	비동기	33MHz	부정적인 부정적인
SN74ALVC3631-15PCB	10.5400	RFQ	40	텍사스 텍사스	74ALVC	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	120-lqfp			74ALVC3631				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	120-HLQFP (14x14)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.31.0001	90					동기				66.7MHz		18K (512 x 36)						9.5ns	350µA	양방향	깊이, 너비	예	예	아니요
SN74S08NE4	0.9500	RFQ	387	텍사스 텍사스	74S	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74S08					4	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고			1ma, 20ma				2								7.5ns @ 5V, 50pf								0.8V	2V
CD74HC4049NSRG4	0.1200	RFQ	3	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC4049	-	푸시 푸시				2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전	6	1	5.2MA, 5.2MA
CD4007UBPWRG4	-	RFQ	8789	텍사스 텍사스	4000B	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			CD4007							14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	보완 보완 플러스 쌍						3																							3V ~ 18V
SN74ALS37ANE4	2.9700	RFQ	110	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74ALS37					4	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트			2.6ma, 24ma				2								8NS @ 5V, 50pf								0.8V	2V
SN74HC132PWE4	0.1000	RFQ	2088	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	74HC132					4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	90	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		2 µA		2								21ns @ 6v, 50pf								0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
CD4086BME4	0.4800	RFQ	690	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			CD4086		단일 단일			1	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	및/반전/또는 게이트			6.8ma, 6.8ma				8, (2, 2, 2, 2)																		아니요
SN74LV139ADE4	0.0900	RFQ	5143	텍사스 텍사스	74lv	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더/demultiplexer		74LV139						2V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	40				12MA, 12MA						단일 단일																	1 x 2 : 4	2
CD74AC245mg4	-	RFQ	4492	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74AC245	-	3 국가				1.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
SN74LV373APWE4	-	RFQ	1189	텍사스 텍사스	74lv	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LV373		트라이 트라이				2V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	70	d- 타입 투명 타입			16MA, 16MA																							8 : 8	1	1ns
CD74HC244MG4	-	RFQ	8286	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74HC244	-	3 국가				2V ~ 6V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전 비	2	4	7.8ma, 7.8ma
SN74ABT3611-20PQ	16.7200	RFQ	1	텍사스 텍사스	74ABT	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-BQFP q			74ABT3611				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	132-BQFP (24.13x24.13)	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	36					동기				50MHz		2.25K (64 x 36)						12ns	130ma	양방향	너비	예	아니요	아니요
SN74LV00ADG4	-	RFQ	9409	텍사스 텍사스	74lv	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74LV00					4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트			12MA, 12MA		20 µA		2								7.5ns @ 5V, 50pf								0.5V	1.5V
SN7438DRE4	0.8900	RFQ	2	텍사스 텍사스	7400	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		오픈 오픈	SN7438					4	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			-, 48MA				2								22ns @ 5v, 45pf								0.8V	2V
SN75472DE4	0.3000	RFQ	3242	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			SN75472	-	-				4.75V ~ 5.25V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	75	주변 주변 드라이버	2	2	-, 300ma
SN74HC10NSRE4	0.1200	RFQ	3	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC10					3	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		2 µA		3								16ns @ 6v, 50pf								0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74HC393PWE4	-	RFQ	8509	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HC393			위로			2 V ~ 6 v	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	90	이진 이진	2	4									비동기	-	36 MHz	부정적인 부정적인

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (25711)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²