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논리 (25711)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
5962-9753301Q2A	-	RFQ	5305	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9753301Q2A	귀 99	8542.39.0001	1
Sn74als867antg4	-	RFQ	7175	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	24-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74ALS867			위로, 아래로		4.5 V ~ 5.5 v	24-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	15	이진 이진	1	8										비동기	동기	35MHz	긍정적 긍정적 가장자리
CY74FCT2373CTQCT	-	RFQ	2034	텍사스 텍사스	74fct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			74FCT2373		트라이 트라이			4.75V ~ 5.25V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입 투명 타입			15ma, 12ma																			8 : 8	1	1.5ns
SN74HC161DR	0.4600	RFQ	17	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC161			위로		2 V ~ 6 v	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	이진 이진	1	4										비동기	동기	36 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
SN74LVC1G126DRYR	0.4800	RFQ	22	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-ufdfn			74LVC1G126	-	3 국가			1.65V ~ 5.5V	6 x (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
SN74LVC2G86DCURG4	-	RFQ	5882	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)		-	74LVC2G86				2	1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	xor (또는 독점)			32MA, 32MA		10 µA	2										3.6ns @ 5V, 50pf			0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
SN74LVC1G08IDCKREP	1.7400	RFQ	17	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74LVC1G08				1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			32MA, 32MA		10 µA	2										4NS @ 5V, 50pf			-	-
74AC11244DW	4.0300	RFQ	143	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74AC11244	-	3 국가			3V ~ 5.5V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전 비	2	4	24MA, 24MA
Sn74ABT646ANSR	1.0800	RFQ	5469	텍사스 텍사스	74ABT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABT646	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	24-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
CD74AC273M	1.2300	RFQ	1119	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74AC273		비 비			1.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25		1	8	24MA, 24MA	마스터 마스터				100MHz							긍정적 긍정적 가장자리	13.5ns @ 5V, 50pf	8 µA	10 pf
SN74AUP1G74YFPR	0.2730	RFQ	9382	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-XFBGA, DSBGA	D- 타입		74AUP1G74		보완 보완			0.8V ~ 3.6V	8-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000		1	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				100MHz							긍정적 긍정적 가장자리	7ns @ 3.3v, 30pf	500 NA	1.5 pf
SN74HCS14BQAR	0.5400	RFQ	2	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-qfn n 패드		슈미트 슈미트 입력	74HCS14				6	2V ~ 6V	14-WQFN (3x2.5)	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-SN74HCS14BQARTR	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			7.8ma, 7.8ma		2 µA	1										16ns @ 6v, 50pf			1V ~ 3V	1.5V ~ 4.2V
SN74HC191D	0.9200	RFQ	1	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC191			위로, 아래로		2 V ~ 6 v	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40	이진 이진	1	4										-	동기	24 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
5962-9172801QLA	49.1500	RFQ	1	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						5962-9172801							다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
SN74LS641-1DW	3.6600	RFQ	163	텍사스 텍사스	74ls	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LS641	-	오픈 오픈			4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	1	8	-, 48MA
CD74HCT86M96	0.6800	RFQ	7	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74HCT86				4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)			4MA, 4MA		2 µA	2										32ns @ 4.5v, 50pf			0.8V	2V
SNJ54AS250AJT	-	RFQ	9075	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54AS250AJT			1
SN74HC157N	0.5700	RFQ	949	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	멀티플렉서		74HC157					2V ~ 6V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25				7.8ma, 7.8ma								단일 단일											4 x 2 : 1	1
SN74ABT620DW	1.6100	RFQ	2922	텍사스 텍사스	74ABT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ABT620	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전	1	8	32MA, 64MA
TCA9517DR	1.2100	RFQ	3	텍사스 텍사스	TCA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	TCA9517		열린 열린		1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500								-		-	-															전압 전압	양방향	2	0.9 v ~ 5.5 v	2.7 V ~ 5.5 v
CD74HC03M	1.1600	RFQ	652	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		열린 열린	74HC03				4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트			-, 5.2ma		2 µA	2										17ns @ 6v, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74LS595N-NG	-	RFQ	3970	텍사스 텍사스	74ls	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)					트라이 트라이			4.75V ~ 5.25V	16-PDIP	-	Rohs3 준수			296-SN74LS595N-NG			1	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
M38510/30301BDA	-	RFQ	9019	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													-	Rohs3 준수			296-M38510/30301BDA			1
JM38510/65802BEA	-	RFQ	6355	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/65802BEA			1
CD74HC125M96	0.7100	RFQ	5	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC125	-	3 국가			2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	7.8ma, 7.8ma
sn74als20adr	0.5400	RFQ	8963	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74als20				2	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			400µA, 8mA			4										12.5ns @ 5V, 50pf			0.8V	2V
CD4532BPW	-	RFQ	6087	텍사스 텍사스	4000B	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	우선 우선 인코더		CD4532					3V ~ 18V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,160				6.8ma, 6.8ma								이중 이중											1 x 8 : 3	1
Cy74FCT841CTSOCT	0.8835	RFQ	1016	텍사스 텍사스	74fct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT841		트라이 트라이			4.75V ~ 5.25V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			32MA, 64MA																			10:10	1	1.5ns
SN74LVC112ANSR	0.8100	RFQ	2218	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	JK 유형		74LVC112		보완 보완			1.65V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		2	1	24MA, 24MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				150MHz							부정적인 부정적인	5.9ns @ 3.3v, 50pf	10 µA	4.5 pf
SN74LVC1G97DCKRG4	-	RFQ	3354	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			74LVC1G97		단일 단일		1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	구성 구성 다중 가능한			32MA, 32MA			3															아니요

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (25711)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²