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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
MC3025L	2.3000	RFQ	558	모토로라	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-	MC3025	2	-	14-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	-		4	-	-	-
XC7SET02GW, 125	0.6200	RFQ	120	Nexperia USA Inc.	7 세트	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	7 세트 02	1	4.5V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	8ma, 8ma	1 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
CD74HCU04MT	-	RFQ	4595	텍사스 텍사스	74HCU	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCU04	6	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	12NS @ 6V, 50pf	0.3V ~ 1.1V	1.7V ~ 4.8V
MC74HC133FL1	-	RFQ	3472	온세미	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HC133	1	2V ~ 6V	14 -Soic	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1,000	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	1 µA	13	10NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
MM74C10N	-	RFQ	7269	온세미	74C	가방	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74C10	3	3V ~ 15V	14-mdip	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	8ma, 8ma		3	70ns @ 10V, 50pf	1.5V ~ 2V	3.5V ~ 8V
NC7S02P5	0.2400	RFQ	65	페어차일드 페어차일드	7S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	7S02	1	2V ~ 6V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	게이트도	2.6MA, 2.6MA	1 µA	2	17ns @ 6v, 50pf	0.5V	1.5V
CD74ACT10E	1.0500	RFQ	715	텍사스 텍사스	74ACT	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74ACT10	3	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	24MA, 24MA	4 µA	3	13.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
M74VHC1GT32DFT1G	-	RFQ	6709	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74VHC1GT32	1	3V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.53V ~ 0.8V	1.4V ~ 2V
SN74AHC14PW-P	-	RFQ	4035	텍사스 텍사스	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트		6	2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수			296-SN74AHC14PW-P			1	인버터	8ma, 8ma	1 µA	6	10.6ns @ 5V, 50pf	1.9V ~ 3.35V	2.2V ~ 3.85V
SN74LVC1GU04YZTR	-	RFQ	1689	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	4-UFBGA, DSBGA	-	74LVC1GU04	1	1.65V ~ 5.5V	4-DSBGA (0.9x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	32MA, 32MA	10 µA	1	3NS @ 5V, 50pf	-	-
SN74LVC32ADB	0.1000	RFQ	19	텍사스 텍사스	74LVC	대부분	활동적인					74LVC32				-					귀 99	8542.39.0001	1
74LVC1G08GM, 115	0.4500	RFQ	126	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn	-	74LVC1G08	1	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	4 µA	2	4NS @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74HC08N	0.5700	RFQ	847	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74HC08	4	2V ~ 6V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	17ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
54LS136DMQB	0.5700	RFQ	4	국가 국가	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	오픈 오픈	54LS136	4	4.5V ~ 5.5V	14-cerdip	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	xor (또는 독점)	-, 4MA	10 MA	2	23ns @ 5v, 15pf	0.7V	2V
74ALVC04BQ, 115	0.1200	RFQ	36	NXP USA Inc.	74ALVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74ALVC04	6	1.65V ~ 3.6V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드						0000.00.0000	2,509	인버터	24MA, 24MA	20 µA	1	2ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74AHC08D, 112	0.1200	RFQ	70	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74AHC08				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC08D, 112-954			1
CD4082BF3A	10.2400	RFQ	98	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					CD4082				다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-CD4082BF3A-296			1
NL27WZU04DFT2	0.2700	RFQ	50	온세미	27wz	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	-	27WZU04	2	1.65V ~ 5.5V	SC-88/SC70-6/SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	NL27WZU04DFT2OS	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	16MA, 16MA	1 µA	1	5.6ns @ 5V, 50pf	-	-
MC74HCU04AFR1	0.0900	RFQ	6	온세미	74HCU	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HCU04	4	2V ~ 6V	14 -Soic	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				1,000	xnor (독점 독점 아니오)	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	12NS @ 6V, 50pf	0.3V ~ 1.1V	1.7V ~ 4.8V
CD4049UBER3817	0.1800	RFQ	3487	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
74Act11032N	1.9640	RFQ	5747	텍사스 텍사스	74ACT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74ATT11032	4	4.5V ~ 5.5V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	또는 또는	24MA, 24MA	4 µA	2	8.1ns @ 5v, 50pf	0.8V	2V
74AUP2G00RA3-7	0.1349	RFQ	5059	다이오드가 다이오드가	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn	-	74AUP2G00	2	0.8V ~ 3.6V	X2-DFN1210-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	NAND 게이트	4MA, 4MA	500 NA	2	6.5ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
NC7SZ04P5X	-	RFQ	2807	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	7SZ04	1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	32MA, 32MA	2 µA	1	4.3ns @ 5V, 50pf	-	-
74LVC2G08DP-Q100H	0.6000	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	-	74LVC2G08	2	1.65V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	4 µA	2	3.8ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	0.95V ~ 3.4V
SLV74HC14ADTR2G	-	RFQ	3027	온세미	자동차, AEC-Q100, 74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC14	6	2V ~ 6V	14-tssop	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)					1	인버터	5.2MA, 5.2MA	1 µA	1	19NS @ 6V, 50pf	-	-
74HC32PW-Q100,118	0.1542	RFQ	9611	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC32	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74HC02DR	0.3900	RFQ	10	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC02	4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74HC04PWG4	-	RFQ	6664	텍사스 텍사스	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC04	6	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	16ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVC1G386GW/S400125	0.1200	RFQ	87	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					74LVC1G386				다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000
SN7406DE4	-	RFQ	5858	텍사스 텍사스	7400	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	오픈 오픈	SN7406	6	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터	-, 40ma		1	23ns @ 5v, 15pf	0.8V	2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²