SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74LVC1G10GM,115 NXP USA Inc. 74LVC1G10GM, 115 0.0600
RFQ
ECAD 203 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74LVC1G10 1 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (1.45X1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 4,699 NAND 게이트 32MA, 32MA 4 µA 3 3.6ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVT14DB,112 NXP Semiconductors 74LVT14DB, 112 0.6400
RFQ
ECAD 496 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LVT14 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVT14DB, 112-954 1
74LVC1G04FZ4-7 Diodes Incorporated 74LVC1G04FZ4-7 0.0919
RFQ
ECAD 9756 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn - 74LVC1G04 1 1.65V ~ 5.5V X2-DFN1410-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 32MA, 32MA 200 µA 1 5NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
54AC14/SDA-L Rochester Electronics, LLC 54AC14/SDA-L 613.6000
RFQ
ECAD 140 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 54AC14 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-54AC14/SDA-L-2156 1
74LV1T87GXH Nexperia USA Inc. 74LV1T87GXH 0.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74LV1T87 1 1.6V ~ 5.5V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10,000 xnor (독점 독점 아니오) 8ma, 8ma 1 µA 2 5.1ns @ 5V, 30pf 0.1V ~ 0.3V 1.28V ~ 4.6V
SN74HCT32DRE4 Texas Instruments SN74HCT32DRE4 -
RFQ
ECAD 4363 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 22ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74ALS08DB Texas Instruments SN74ALS08DB 0.1900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8542.39.0001 1
74HCT86PW,118 NXP Semiconductors 74HCT86PW, 118 0.0900
RFQ
ECAD 115 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HCT86 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT86PW, 118-954 3,293
SN74AHCT14DGVR Texas Instruments SN74AHCT14DGVR 0.4700
RFQ
ECAD 6648 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74AHCT14 6 4.5V ~ 5.5V 14-TVSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 8NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
74HC14PW,118 NXP USA Inc. 74HC14PW, 118 -
RFQ
ECAD 6834 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
CD4012AFB Harris Corporation CD4012AFB 13.7100
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 CD4012 - rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74VHC08MX onsemi 74VHC08MX 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHC08 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74LV00PW/C4J Nexperia USA Inc. 74LV00PW/C4J 0.0900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74lv 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 4 1V ~ 5.5V 14-tssop - 2156-74LV00PW/C4J 3,242 NAND 게이트 12MA, 12MA 40 µA 2 14ns @ 5V, 50pf 0.3V ~ 0.8V 0.9V ~ 2V
74ACT11008NSR Texas Instruments 74ATT11008NSR -
RFQ
ECAD 1772 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ATT11008 4 4.5V ~ 5.5V 16- 형의 행위 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 24MA, 24MA 4 µA 2 8NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
TC7WU04FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK, LF 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tc7wu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7wu04 3 2V ~ 6V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 3 10NS @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.7V ~ 4.8V
74AHC3G14DP-Q100H Nexperia USA Inc. 74AHC3G14DP-Q100H 0.2375
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 슈미트 슈미트 74AHC3G14 3 2V ~ 5.5V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 3 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
74AUP1G14FX4-7 Diodes Incorporated 74AUP1G14FX4-7 0.1228
RFQ
ECAD 6086 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 슈미트 슈미트 74AUP1G14 1 0.8V ~ 3.6V X2-DFN1409-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 4MA, 4MA 500 NA 1 6.1ns @ 3.3v, 30pf 0.15V ~ 0.88V 0.65V ~ 2.32V
SN54HC36J Texas Instruments SN54HC36J 3.0100
RFQ
ECAD 311 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54HC36 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
SN74LV86ATPWRG4Q1 Texas Instruments SN74LV86ATPWRG4Q1 0.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74LV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LV86 4 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 xor (또는 독점) 12MA, 12MA 20 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
NLVVHC1GT08DTT1G onsemi NLVVHC1GT08DTT1G 0.4600
RFQ
ECAD 7217 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 - NLVVHC1GT08 1 3V ~ 5.5V 5-TSP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.53V ~ 0.8V 1.4V ~ 2V
DM74LS03N onsemi DM74LS03N -
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 온세미 74ls 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 74LS03 4 4.75V ~ 5.25V 14-mdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 -, 8ma 2 45NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G125FS3-7 Diodes Incorporated 74LVC1G125FS3-7 0.1106
RFQ
ECAD 4688 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 74LVC1G125 X2-DFN0808-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000
SN74HC7002PWT Texas Instruments SN74HC7002PWT -
RFQ
ECAD 8565 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC7002 4 2V ~ 6V 14-tssop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 22ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
74HC00PW,112 Nexperia USA Inc. 74HC00PW, 112 -
RFQ
ECAD 7101 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC00 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 40 µA 2 7NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7S08P5 Fairchild Semiconductor NC7S08P5 0.2400
RFQ
ECAD 1061 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7S08 1 2V ~ 6V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 그리고 그리고 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V 1.5V
MC74LCX04DTG onsemi MC74LCX04DTG 0.7000
RFQ
ECAD 454 0.00000000 온세미 74lcx 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LCX04 6 2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 인버터 24MA, 24MA 10 µA 1 5.2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
MC74VHC1GT02DF1G onsemi MC74VHC1GT02DF1G -
RFQ
ECAD 4729 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74VHC1GT02 1 3V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 8ma, 8ma 1 µA 2 7.7ns @ 5V, 50pf 0.28V ~ 0.8V 1V ~ 2V
MC74VHC1G05DTT1G onsemi MC74VHC1G05DTT1G 0.3800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 열린 열린 74VHC1G05 1 2V ~ 5.5V 5-TSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74LVC1G02DBVRG4 Texas Instruments SN74LVC1G02DBVRG4 -
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74LVC1G02 1 1.65V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 10 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74S140N Texas Instruments SN74S140N 2.9500
RFQ
ECAD 196 년 0.00000000 텍사스 텍사스 74S 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74S140 2 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 40ma, 60ma 4 6NS @ 5V, 150pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고