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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
CD4025BPWE4 Texas Instruments CD4025BPWE4 -
RFQ
 ECAD 9364 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - CD4025 3 3V ~ 18V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 게이트도 3.4ma, 3.4ma 1 µA 3 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
XC7SH04GW,125 Nexperia USA Inc. XC7SH04GW, 125 0.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 7SH 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SH04 1 2V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
MC74AC02DR2 onsemi MC74AC02DR2 -
RFQ
 ECAD 3426 0.00000000 온세미 74AC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AC02 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 24MA, 24MA 4 µA 2 6.5ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
SN74LVC00ADBRG4 Texas Instruments SN74LVC00ADBRG4 -
RFQ
 ECAD 5486 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LVC00 4 1.65V ~ 3.6V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 1 µA 2 4.1ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
TC7SH14FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH14FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SH 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-953 슈미트 슈미트 7SH14 1 2V ~ 5.5V FSV - 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
74LCX04M onsemi 74lcx04m 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 74lcx 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LCX04 6 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 인버터 24MA, 24MA 10 µA 1 5.2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74HCT03PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74HCT03PW-Q100J 0.4100
RFQ
 ECAD 8465 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 열린 열린 74HCT03 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 -, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
MM74HC32MTC onsemi MM74HC32MTC 0.4900
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 온세미 74HC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC32 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 또는 또는 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC74VHC1GT02DF1G onsemi MC74VHC1GT02DF1G -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74VHC1GT02 1 3V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 8ma, 8ma 1 µA 2 7.7ns @ 5V, 50pf 0.28V ~ 0.8V 1V ~ 2V
SN74LVC1GU04DCKR Texas Instruments SN74LVC1GU04DCKR 0.3400
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LVC1GU04 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 1 3.5ns @ 5V, 50pf - -
74LVQ32SC onsemi 74LVQ32SC -
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 온세미 74LVQ 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVQ32 4 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 74LVQ32SC-NDR 귀 99 8542.39.0001 1,100 또는 또는 12MA, 12MA 2 µA 2 9ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
SN74HCU04PWR Texas Instruments sn74hcu04pwr 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 74HCU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCU04 6 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 14ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.7V ~ 4.8V
SN74LVC00APWRG4 Texas Instruments SN74LVC00APWRG4 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVC00 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 1 µA 2 4.1ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVC1G06GF,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G06GF, 132 0.4500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 열린 열린 74LVC1G06 1 1.65V ~ 5.5V 6- XSON, SOT891 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 -, 32MA 200 µA 1 4NS @ 5V, 50pf 0.58V ~ 1.65V 1.07V ~ 3.85V
74VHCU04SJX Fairchild Semiconductor 74VHCU04SJX 0.1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VHCU 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74VHCU04 6 2V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0.3V 1.7V
74AHCT1G86SE-7 Diodes Incorporated 74AHCT1G86SE-7 0.2600
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74AHCT1G86 1 4.5V ~ 5.5V SOT-353 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74AC20N onsemi MC74AC20N -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 온세미 74AC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74AC20 2 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 4 7NS @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
MC10H102M onsemi MC10H102M -
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 온세미 10h 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 4/4 출력 또는 MC10H102 4 -4.94V ~ -5.46V 16- Ooeaj 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 게이트도 50MA, 50MA 2 1.25ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
SN74LVC1G06DPWR Texas Instruments SN74LVC1G06DPWR 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 열린 열린 74LVC1G06 1 1.65V ~ 5.5V 5-X2SON (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 32MA 10 µA 1 3.5ns @ 5V, 50pf 0.58V ~ 1.65V 1.07V ~ 3.85V
74HC7266N,652 NXP USA Inc. 74HC7266N, 652 -
RFQ
 ECAD 3609 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HC7266 4 2V ~ 6V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 xnor (독점 독점 아니오) 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MM74HCT08SJX Fairchild Semiconductor MM74HCT08SJX 0.3500
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCT08 4 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 4.8ma, 4.8ma 2 µA 2 18NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LV1T86GXH Nexperia USA Inc. 74LV1T86GXH 0.4400
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74LV1T86 1 1.6V ~ 5.5V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 1 µA 2 5.1ns @ 5V, 30pf 0.1V ~ 0.3V 1.28V ~ 4.6V
NC7S14M5 onsemi NC7S14M5 -
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 온세미 7S 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 슈미트 슈미트 7S14 1 2V ~ 6V SOT-23-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 인버터 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.5V 1.5V ~ 4.2V
SN74AUP1G06DBVR Texas Instruments SN74AUP1G06DBVR 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 열린 열린 74AUP1G06 1 0.8V ~ 3.6V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 4MA 500 NA 1 10.5ns @ 3.3v, 30pf 0.1V ~ 0.45V 3.6v
CD74HCT30E Texas Instruments CD74HCT30E 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT30 1 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 8 28ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
SN7404N Texas Instruments SN7404N 2.3200
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - SN7404 6 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 400µA, 16MA 1 22ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
946PC National Semiconductor 946pc -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 946pc 4 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 120µA, 12mA 2 45NS @ 5V, 50pf - -
MM74HC00MX Fairchild Semiconductor MM74HC00MX 0.2200
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC00 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LVX14MTC onsemi 74LVX14MTC 0.6100
RFQ
 ECAD 841 0.00000000 온세미 74lvx 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74LVX14 6 2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 14.1ns @ 3.3v, 50pf 0.9V 2.2V
TC7SZ32F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ32F, LJ (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 7SZ32 1 1.8V ~ 5.5V SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 32MA, 32MA 2 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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