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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 특징 | 기본 기본 번호 | 회로 회로 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 논리 논리 | 전류 - 높음 출력, 낮음 | 현재 -Quiescent (최대) | 입력 입력 | cl | 입력 입력 레벨 - 낮음 | 입력 입력 레벨 - 높음 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TC7SZ00FE, LJ (CT | 0.3700 | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | TC7SZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-553 | - | 7SZ00 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | ESV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | NAND 게이트 | 32MA, 32MA | 2 µA | 2 | 3.6ns @ 5V, 50pf | - | - | |||
NLX2G04AMUTCG | 0.5300 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 온세미 | Minigate ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-ufdfn | - | NLX2G04 | 2 | 1.65V ~ 5.5V | 6-UDFN (1.45x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 인버터 | 32MA, 32MA | 1 µA | 2 | 3.6ns @ 5V, 50pf | - | - | |||
![]() | 74F02SJ | - | ![]() | 5029 | 0.00000000 | 온세미 | 74f | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | - | 74F02 | 4 | 4.5V ~ 5.5V | 14-SOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 47 | 게이트도 | 1ma, 20ma | 2 | 5.5ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | ||||
![]() | 74AHCT1G02GW, 165 | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 74AHCT | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 74AHCT1G02 | 1 | 4.5V ~ 5.5V | 5-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 게이트도 | 8ma, 8ma | 1 µA | 2 | 7.5ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | ||
![]() | 74LVC1G08GW/S500125 | - | ![]() | 2435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 74LVC1G08 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G08GS, 132 | - | ![]() | 5535 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G08 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-74AUP1G08GS, 132-954 | 1 | ||||||||||||||||||
CD74HC32M96 | 0.4400 | ![]() | 951 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74HC32 | 4 | 2V ~ 6V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 또는 또는 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 2 | 15NS @ 6V, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | |||
![]() | 74LVC1G02GM, 132 | 0.1040 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 74LVC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-xfdfn | - | 74LVC1G02 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | 6- XSON, SOT886 (1.45x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 게이트도 | 32MA, 32MA | 4 µA | 2 | 4NS @ 5V, 50pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7V ~ 2V | ||
![]() | SN74LVC1G14DCK3 | - | ![]() | 5386 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 슈미트 슈미트 | 74LVC1G14 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | SC-70-5 | - | Rohs3 준수 | 1 | 인버터 | 32MA, 32MA | 10 µA | 1 | 6NS @ 5V, 50pf | 0.64V ~ 2.29V | 1.16V ~ 3.33V | ||||||
![]() | NC7SV14P5X | 0.4800 | ![]() | 7161 | 0.00000000 | 온세미 | 7SV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 슈미트 슈미트 | 7SV14 | 1 | 0.9V ~ 3.6V | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 인버터 | 24MA, 24MA | 900 NA | 1 | 3.3ns @ 3v, 30pf | 0.1V ~ 0.6V | 0.7V ~ 2.2V | ||
![]() | 7UL1T00FU, LF | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 7UL1T00 | 1 | 2.3V ~ 3.6V | USV | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | NAND 게이트 | 8ma, 8ma | 1 µA | 2 | 3.3ns @ 3.3v, 15pf | 2V ~ 2.48V | 0.1V ~ 0.4V | |||
![]() | 74lcx32ft (AJ) | 0.0906 | ![]() | 7873 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 74lcx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | - | 74LCX32 | 4 | 1.65V ~ 3.6V | 14-TSSSOPB | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 또는 또는 | 24MA, 24MA | 10 µA | 2 | 6.5ns @ 3.3v, 50pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7V ~ 2V | |||
![]() | I74F133N, 112 | - | ![]() | 4730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 74f | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | - | 74F13 | 1 | 4.5V ~ 5.5V | 16-DIP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | NAND 게이트 | 1ma, 20ma | 13 | 7.5ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | |||
![]() | DM74ALS20AN | - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | 온세미 | 74ALS | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | - | 74als20 | 2 | 4.5V ~ 5.5V | 14-mdip | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | NAND 게이트 | 400µA, 8mA | 4 | 11ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | ||||
SN74LS14D | 1.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74ls | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74LS14 | 6 | 4.75V ~ 5.25V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 인버터 | 400µA, 8mA | 1 | 22ns @ 5V, 15pf | 0.5V | 1.9V | ||||
SN74HC10DR | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74HC10 | 3 | 2V ~ 6V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | NAND 게이트 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 3 | 16ns @ 6v, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | |||
CD74ACT10M | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74ACT | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74ACT10 | 3 | 4.5V ~ 5.5V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | NAND 게이트 | 24MA, 24MA | 4 µA | 3 | 13.5ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | |||
CD4069ubmg4 | - | ![]() | 7894 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 4000B | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | CD4069 | 6 | 3V ~ 18V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 인버터 | 3.4ma, 3.4ma | 1 µA | 1 | 50ns @ 15V, 50pf | 1V ~ 2.5V | 4V ~ 12.5V | |||
![]() | HEC4093BT, 112 | - | ![]() | 9634 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 4000B | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슈미트 슈미트 | HEC4093 | 4 | 3V ~ 15V | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 57 | NAND 게이트 | 3.4ma, 3.4ma | 1 µA | 2 | 60ns @ 15V, 50pf | 1.5V ~ 4V | 3.5V ~ 11V | ||
![]() | 74LCX04BQX | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | 74lcx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-vfqfn 노출 패드 | - | 74LCX04 | 6 | 2V ~ 3.6V | 14-dqfn (3x2.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 인버터 | 24MA, 24MA | 10 µA | 1 | 5.2ns @ 3.3v, 50pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7V ~ 2V | ||
SN74LS32DE4 | - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74ls | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74LS32 | 4 | 4.75V ~ 5.25V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 또는 또는 | 400µA, 8mA | 2 | 22ns @ 5V, 15pf | 0.8V | 2V | ||||
SN74HC7032DR | - | ![]() | 1097 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74HC7032 | 4 | 2V ~ 6V | 14 -Soic | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 또는 또는 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 2 | 22ns @ 6v, 50pf | 0.3V ~ 1.2V | 1.5V ~ 4.2V | |||
![]() | DM74ALS86M | - | ![]() | 2801 | 0.00000000 | 온세미 | 74ALS | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74ALS86 | 4 | 4.5V ~ 5.5V | 14 -Soic | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,100 | xor (또는 독점) | 400µA, 8mA | 2 | 17ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | ||||
NL17SV02XV5T2G | - | ![]() | 2953 | 0.00000000 | 온세미 | 17SV | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-553 | - | 17SV02 | 1 | 0.9V ~ 3.6V | SOT-553 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 게이트도 | 24MA, 24MA | 900 NA | 2 | 3.3ns @ 3v, 30pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.6V ~ 2V | |||
![]() | SN74HC7002NSRG4 | - | ![]() | 3331 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74HC7002 | 4 | 2V ~ 6V | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 게이트도 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 2 | 22ns @ 6v, 50pf | 0.3V ~ 1.2V | 1.5V ~ 4.2V | ||
74LV132d, 112 | - | ![]() | 1444 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 74lv | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74LV132 | 4 | 1V ~ 5.5V | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 57 | NAND 게이트 | 12MA, 12MA | 40 µA | 2 | 9NS @ 5V, 50pf | 0.3V ~ 1.2V | 1.4V ~ 3.9V | |||
SN74LVC00AD | 1.0100 | ![]() | 610 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74LVC | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74LVC00 | 4 | 1.65V ~ 3.6V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | NAND 게이트 | 24MA, 24MA | 1 µA | 2 | 4.1ns @ 3.3v, 50pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7V ~ 2V | |||
74HCU04D, 652 | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 74HCU | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74HCU04 | 6 | 2V ~ 6V | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 57 | 인버터 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 1 | 12NS @ 6V, 50pf | 0.3V ~ 1.2V | 1.7V ~ 4.8V | |||
![]() | SNJ54LS20J | - | ![]() | 4204 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 54LS20 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SN74LVC1G125 세일 | - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74LVC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 5-XFBGA, DSBGA | 74LVC1G125 | 5-DSBGA (1.4x0.9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 |
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