SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
CD74HCT27E Texas Instruments CD74HCT27E 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT27 3 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 게이트도 4MA, 4MA 2 µA 3 23ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74AUP1G32GN,132 Nexperia USA Inc. 74aup1g32gn, 132 0.1974
RFQ
ECAD 6724 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74AUP1G32 1 0.8V ~ 3.6V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 또는 또는 4MA, 4MA 500 NA 2 6.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
NC7ST86M5 Fairchild Semiconductor NC7ST86M5 0.2400
RFQ
ECAD 110 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 7st86 1 4.5V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 750 xor (또는 독점) 2MA, 2MA 1 µA 2 28ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74HC10QDREP Texas Instruments SN74HC10QDREP 0.9735
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC10 3 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 3 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7SP00L6X onsemi NC7SP00L6X -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 온세미 7SP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7SP00 1 0.9V ~ 3.6V 6 마이크로 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nc7sp00l6xtr 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 2.6MA, 2.6MA 0.9 µA 2 7ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2.1V
74ACTQ32SJX Fairchild Semiconductor 74ActQ32SJX 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74ACTQ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ACTQ32 4 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,000 또는 또는 24MA, 24MA 2 µA 2 6.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
54LS02FMQB National Semiconductor 54LS02FMQB 1.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국가 국가 54ls 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - 54LS02 4 4.5V ~ 5.5V 14-cfp 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 400µA, 4MA 5.4 MA 2 18NS @ 5V, 50pf 0.7V 2V
MC5405F Motorola MC5405F 2.2400
RFQ
ECAD 178 0.00000000 모토로라 MC5405 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack 오픈 오픈 MC5405 6 4.5V ~ 5.5V 14-cflatpack 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 -, 16MA 1 - 0.4V 2.4V
SN74S86N Texas Instruments SN74S86N 1.4100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 텍사스 텍사스 74S 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74S86 4 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 xor (또는 독점) 1ma, 20ma 2 10.5ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
74VHC32M Fairchild Semiconductor 74VHC32M 0.3700
RFQ
ECAD 246 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHC32 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 814 또는 또는 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74HC20PW/C118 NXP USA Inc. 74HC20PW/C118 0.0900
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC20 2 2V ~ 6V 14-tssop - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
JM38510/02306BCA Texas Instruments JM38510/02306BCA 3.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 JM38510 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
MC74AC32DT onsemi MC74AC32DT 0.1200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74AC32 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SN74AHC08MDREP Texas Instruments SN74AHC08MDREP 0.9735
RFQ
ECAD 4338 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHC08 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
CD54HC368F3A Texas Instruments CD54HC368F3A -
RFQ
ECAD 9402 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-CD54HC368F3A 1
SN74S02NS Texas Instruments SN74S02NS 0.5900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8542.39.0001 1
CD74ACT20E Harris Corporation CD74ACT20E 0.4400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 해리스 해리스 74ACT 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74ACT20 2 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 4 13.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC2G38GN,115 NXP Semiconductors 74LVC2G38GN, 115 0.1700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LVC2G38 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC2G38GN, 115-954 귀 99 8542.39.0001 1
PI74FCT132DTW9 Diodes Incorporated PI74FCT132DTW9 -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 대부분 활동적인 74FCT132 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SN74F00DRE4 Texas Instruments SN74F00DRE4 -
RFQ
ECAD 2917 0.00000000 텍사스 텍사스 74f 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74F00 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 1ma, 20ma 2 5NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HC10D,652 Nexperia USA Inc. 74HC10D, 652 0.4300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC10 3 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 3 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74AHCT1G08DCKRE4 Texas Instruments 74AHCT1G08DCKRE4 -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74AHCT1G08 1 4.5V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC3G04YEPR Texas Instruments SN74LVC3G04YEPR -
RFQ
ECAD 3357 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-XFBGA, DSBGA - 74LVC3G04 3 1.65V ~ 5.5V 8-DSBGA (1.9x0.9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 3 3.2ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
4011BDM National Semiconductor 4011bdm 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국가 국가 4011b 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 4011b 4 - 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 - 30 µA 2 48ns @ 15V, 50pf - -
CD74AC10EX Harris Corporation CD74AC10EX 0.2300
RFQ
ECAD 5974 0.00000000 해리스 해리스 74AC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74AC10 3 1.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 3 12.2ns @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.65V 1.2V ~ 3.85V
SN74136N Texas Instruments SN74136N 0.7800
RFQ
ECAD 556 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 SN74136 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
CD74ACT02EE4 Texas Instruments CD74ACT02EE4 0.5480
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 4 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP - Rohs3 준수 296-CD74Act02EE4 귀 99 8542.39.0001 25 게이트도 24MA, 24MA 4 µA 2 12.2ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74AUP1G04DPWR Texas Instruments sn74aup1g04dpwr 0.5100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74AUP1G04 1 0.8V ~ 3.6V 4-X2SON (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 4MA, 4MA 500 NA 1 5.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
74LVX86MTR STMicroelectronics 74LVX86MTR -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 stmicroelectronics 74lvx 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVX86 4 2V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 2 µA 2 12.8ns @ 3.3v, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
SN74S00PSR Texas Instruments SN74S00PSR -
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 텍사스 텍사스 74S 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74S00 2 4.75V ~ 5.25V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 1ma, 20ma 2 5NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고