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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
MC10102FNR2 onsemi MC10102FNR2 0.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MC10102 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 500
DM7432N National Semiconductor DM7432N 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - DM7432 4 4.75V ~ 5.25V 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 800µA, 16MA 38 MA 2 22ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
SN74LVC86PWLE Texas Instruments SN74LVC86PWLE 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74LVC86 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
74AHC02PW/C1118 NXP USA Inc. 74AHC02PW/C1118 0.0800
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74AHC02 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500
74H01DC National Semiconductor 74H01DC 1.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 74H01 4 4.75V ~ 5.25V 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 250µA, 20mA 40 MA 2 15NS @ 5V, 25pf 0.8V 2V
CD4075BF Harris Corporation CD4075BF -
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - CD4075 3 3V ~ 18V 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 6.8ma, 6.8ma 5 µA 3 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74HCT32PW/C4118 NXP USA Inc. 74HCT32PW/C4118 0.0900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
9014DM National Semiconductor 9014dm 7.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 9014dm 4 4.5V ~ 5.5V 16-CDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 xor (또는 독점) -, 17.6ma 8.1 MA 2 26NS @ 5V, 15pf 0.9V 1.7V
54H10DM National Semiconductor 54h10dm 6.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 54H10 3 4.5V ~ 5.5V 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 - 30 MA 3 - - -
MC74HC1G08DFT1GH onsemi MC74HC1G08DFT1GH -
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC1G08 1 2V ~ 6V 14 -Soic - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
DM54LS260W/883 National Semiconductor DM54LS260W/883 10.2600
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - 54LS260 2 4.5V ~ 5.5V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 400µA, 4MA 5.5 MA 5 12NS @ 5V, 15pf 0.7V 2V
7410PCQR National Semiconductor 7410pcqr -
RFQ
 ECAD 5383 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 7410 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74HCT30D-Q100118 NXP USA Inc. 74HCT30D-Q100118 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT30 1 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 8 28ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
CD4093BNS Texas Instruments CD4093 3 0.1700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 CD4093 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74AXP1G02GN125 NXP USA Inc. 74axp1g02gn125 0.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74axp1g02 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74HC132PW/S410118 NXP USA Inc. 74HC132PW/S410118 -
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
MM74C08N Fairchild Semiconductor MM74C08N 7.9600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74C 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74C08 4 3V ~ 15V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 25,500 그리고 그리고 8ma, 8ma 2 70ns @ 10V, 50pf 1.5V ~ 2V 3.5V ~ 8V
MM54HC08E/883 National Semiconductor MM54HC08E/883 6.6800
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 국가 국가 54HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 20-Clcc - 54HC08 4 2V ~ 6V 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC74VHC1G14MU2TCG onsemi MC74VHC1G14MU2TCG -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-ufdfn 슈미트 슈미트 74VHC1G14 1 2V ~ 5.5V 6-udfn (1.2x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-MC74VHC1G14MU2TCGTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 1.5V ~ 2.9V 2.2V ~ 3.85V
5962-8404101VCA Texas Instruments 5962-8404101VCA -
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8404101VCA 귀 99 8542.39.0001 1
SNJ54HC08W Texas Instruments SNJ54HC08W -
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-SNJ54HC08W 1
SN74AHCT132PWR-P Texas Instruments SN74AHCT132PWR-P -
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop - Rohs3 준수 296-SN74AHCT132PWR-P 1 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 1.9V ~ 2.1V
5962-8686501CA Texas Instruments 5962-8686501CA -
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8686501CA 1
NL17SZ14XV5T2G-L22087 onsemi NL17SZ14XV5T2G-L22087 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 17SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-553 슈미트 슈미트 17SZ14 1 1.65V ~ 5.5V SOT-553 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000 인버터 32MA, 32MA 1 µA 1 5.9ns @ 5V, 50pf 0.8V ~ 2.3V 1.4V ~ 3.6V
NL17SZ02P5T5G-L22088 onsemi NL17SZ02P5T5G-L22088 0.0600
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 온세미 17SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-953 - 17SZ02 1 1.65V ~ 5.5V SOT-953 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 488-NL17SZ02P5T5G-L22088TR 귀 99 8542.39.0001 8,000 게이트도 32MA, 32MA 1 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
74HC3GU04GD,125 NXP USA Inc. 74HC3GU04GD, 125 0.1700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74HC3GU04 3 2V ~ 6V 8- Xson (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 5.2MA, 5.2MA 20 µA 3 5NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7SZ32P5 Fairchild Semiconductor NC7SZ32P5 -
RFQ
 ECAD 5624 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7SZ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SZ32 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 또는 또는 32MA, 32MA 2 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf - -
JM38510/07008BDA-NS National Semiconductor JM38510/07008BDA-NS -
RFQ
 ECAD 2663 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 JM38510 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
7430DC National Semiconductor 7430DC 0.4100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 7430 1 4.75V ~ 5.25V 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 - 6 MA 8 - - -
74HC03DB118 Nexperia USA Inc. 74HC03DB118 0.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 열린 열린 74HC03 4 2V ~ 6V 14-ssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 -, 5.2ma 2 µA 2 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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