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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
MC74ACT132DR2G	1.2200	RFQ	2	온세미	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74ATT132	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	24MA, 24MA	4 µA	2	11.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC74VHC14DTR2	-	RFQ	2178	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74VHC14	6	2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
74LVX132MTR	0.3200	RFQ	992	stmicroelectronics	74lvx	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74LVX132	4	2V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	2	9ns @ 3.3v, 50pf	0.9V	2.2V
MC10H113M	-	RFQ	5344	온세미	10h	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 75 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	MC10H113	4	-4.94V ~ -5.46V	16- Ooeaj	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	xor (또는 독점)	50MA, 50MA		2	1.8ns @ -5.2v, -	-1.48V	-1.13V
DM74ALS00AN	-	RFQ	1614	온세미	74ALS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74ALS00	4	4.5V ~ 5.5V	14-mdip	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	400µA, 8mA		2	11ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74AC32MTC	0.6900	RFQ	54	온세미	74AC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AC32	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	94	또는 또는	24MA, 24MA	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
TC7SZU04F (TE85L, JF	-	RFQ	7700	Toshiba 반도체 a 저장	TC7SZU	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	7SZU04	1	1.8V ~ 5.5V	SMV	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	16MA, 16MA	2 µA	1	5NS @ 5V, 50pf	-	-
74LVC1G32GM, 132	0.0700	RFQ	1	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74LVC1G32	1	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	4,459	또는 또는	32MA, 32MA	4 µA	2	4NS @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
TC74HC02APF	0.4500	RFQ	10	Toshiba 반도체 a 저장	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74HC02	4	2V ~ 6V	14-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	25	게이트도	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	13ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74AHC08D-Q100J	0.4400	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC08	4	2V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	8ma, 8ma	2 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
NL17SZ04EDFT2G	-	RFQ	2863	온세미	17SZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	17SZ04	1	1.65V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	32MA, 32MA	1 µA	1	4.3ns @ 5V, 50pf	0.08V ~ 0.55V	1.29V ~ 4V
SNJ54ATT11W	-	RFQ	5715	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54ATT11W			1
MC14077BDR2G	0.7900	RFQ	15	온세미	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	MC14077	4	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	xnor (독점 독점 아니오)	8.8ma, 8.8ma	1 µA	2	110ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
74LVC1G32W5-7	0.3400	RFQ	137	다이오드가 다이오드가	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G32	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-25	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는	32MA, 32MA	200 µA	2	1.7ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
CD74HC4002NSRE4	-	RFQ	4676	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HC4002	2	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	게이트도	5.2MA, 5.2MA	2 µA	4	17ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
M38510/33001B2A	-	RFQ	4886	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수			296-M38510/33001B2A	귀 99	8542.39.0001	1
MM74HCT05MTCX	0.6200	RFQ	6	온세미	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	열린 열린	74HCT05	6	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	-, 4.8ma	2 µA	1	15NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74AHC3G14GD, 125	0.1400	RFQ	61	NXP USA Inc.	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn	슈미트 슈미트	74AHC3G14	3	2V ~ 5.5V	8- Xson (2x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	3	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
SN74LVC1G32DBVR	0.3600	RFQ	166	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G32	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는	32MA, 32MA	10 µA	2	4NS @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
NLVHC02ADR2	-	RFQ	6663	온세미	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	NLVHC02	4	2V ~ 6V	14 -Soic	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	13ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74HCS14QBQARQ1	0.6400	RFQ	6	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74HCS	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-wfqfn q 패드	슈미트 슈미트 입력	74HCS14	6	2V ~ 6V	14-WQFN (3x2.5)	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-SN74HCS14QBQARQ1TR	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	7.8ma, 7.8ma	2 µA	1	16ns @ 6v, 50pf	1V ~ 3V	1.5V ~ 4.2V
74LCX14SJX	0.4600	RFQ	20	페어차일드 페어차일드	74lcx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트 입력	74LCX14	6	2V ~ 3.6V	14-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터	24MA, 24MA	10 µA	1	6.5ns @ 3.3v, 50pf	1.1V ~ 1.5V	1.7V ~ 2.2V
D74HV8T34T-WS#H0	2.6400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인					74hv8t34				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
SN74AUC1G08DBVR	0.4600	RFQ	33	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74AUC1G08	1	0.8V ~ 2.7V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	9MA, 9MA	10 µA	2	2NS @ 2.5V, 30pf	0.7V	1.7V
Sn74AHC00DR	0.3800	RFQ	8146	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC00	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
SN74AUC2G04YZPR	0.8300	RFQ	12	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-XFBGA, DSBGA	-	74AUC2G04	2	0.8V ~ 2.7V	6-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	9MA, 9MA	10 µA	1	1.5ns @ 2.5v, 30pf	0V ~ 0.7V	1.7V
SN74HC132DBR	0.4200	RFQ	1859	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC132	4	2V ~ 6V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
74ActQ04SJX	-	RFQ	3331	온세미	74ACTQ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74ACTQ04	6	4.5V ~ 5.5V	14-SOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터	24MA, 24MA	2 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74AHCT1G32DCKT	0.9100	RFQ	1	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74AHCT1G32	1	4.5V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	또는 또는	8ma, 8ma	1 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74LV04ADRG4	-	RFQ	5390	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LV04	6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	12MA, 12MA	20 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²