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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
NC7SZ38L6X	0.1700	RFQ	200	페어차일드 페어차일드	7SZ	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	열린 열린	7SZ38	1	1.65V ~ 5.5V	6 마이크로 팩	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1,719	NAND 게이트	-, 32MA	2 µA	2	4.3ns @ 5V, 50pf	-	-
5962-9218301MCA	-	RFQ	6182	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					5962-9218301				다운로드					0000.00.0000	1
JM38510/31003B2A	15.1300	RFQ	122	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					JM38510				다운로드				귀 99	8542.39.0001	1
74AHC132D112	-	RFQ	9289	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					74AHC132				다운로드				귀 99	8542.39.0001	1
CD54HC4049F3A	-	RFQ	1360	텍사스 텍사스	54HC	대부분	활동적인					54HC4049				다운로드				귀 99	8542.39.0001	1
NC7SZ02M5X	1.0000	RFQ	2576	페어차일드 페어차일드	7SZ	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	7SZ02	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	게이트도	32MA, 32MA	2 µA	2	4.3ns @ 5V, 50pf	-	-
74HC30PW, 112	0.1400	RFQ	26	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC30	1	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	2,123	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	8	22ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LV1T86GX, 125	-	RFQ	6920	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드					0000.00.0000	1
74LVC1G02GF, 132	0.1000	RFQ	82	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인					74LVC1G02				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000
JM54ACT00BDA-RH	300.0200	RFQ	438	국가 국가	54ACT	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack	-	54ACT00	4	4.5V ~ 5.5V	14-cfp	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	24MA, 24MA	40 µA	2	9.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74AHCT86BQ, 115	0.1400	RFQ	2	NXP USA Inc.	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74AHCT86	4	4.5V ~ 5.5V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	xor (또는 독점)	8ma, 8ma	2 µA	2	8.8ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
NC7SZ11L6X	0.1600	RFQ	20	페어차일드 페어차일드	7SZ	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	-	7SZ11	1	1.65V ~ 5.5V	6 마이크로 팩	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1,839	그리고 그리고	32MA, 32MA	2 µA	3	7.5ns @ 5V, 50pf	-	-
XC7SET02GW, 125	0.1800	RFQ	54	NXP USA Inc.	7 세트	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	7 세트 02	1	4.5V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1,679	게이트도	8ma, 8ma	1 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
NC7WP08K8X	0.1400	RFQ	59	페어차일드 페어차일드	7wp	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	-	7WP08	2	0.9V ~ 3.6V	US8	다운로드				귀 99	8542.39.0001	2,133	그리고 그리고	2.6MA, 2.6MA	900 NA	2	9.2ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2.1V
74HCT27D	0.0800	RFQ	5706	Nexperia USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCT27	3	4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1	게이트도	4MA, 4MA	2 µA		21ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
HEF4093BT, 652	-	RFQ	5848	NXP USA Inc.	4000B	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	Hef4093	4	3V ~ 15V	14-	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	3.4ma, 3.4ma	1 µA	2	60ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
JM54AC86SDA-RH	319.5200	RFQ	109	국가 국가	54AC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack	-		4	2V ~ 6V	14-cfp	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	xor (또는 독점)	24MA, 24MA	40 µA	2	10NS @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
74LVC1G14GM, 115	-	RFQ	8885	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn	슈미트 슈미트	74LVC1G14	1	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	32MA, 32MA	4 µA	1	6.5ns @ 5V, 50pf	0.46V ~ 1.58V	1.14V ~ 2.79V
SNJ54S02J	10.9900	RFQ	5938	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					54S02				다운로드				귀 99	8542.39.0001	1
74LVC32APW, 112	0.1100	RFQ	59	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인					74LVC32				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,400
74Aup1g11gm, 132	0.0800	RFQ	481	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74AUP1G11	1	0.8V ~ 3.6V	6-XSON (1.45X1)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	3,811	그리고 그리고	4MA, 4MA	500 NA	3	6.1ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
74LVC1G38GN, 132	0.0900	RFQ	155	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	열린 열린	74LVC1G38	1	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	-, 32MA	4 µA	2	3.9ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74HC02PW, 118	-	RFQ	5244	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC02	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74VHC132MTCX	0.1900	RFQ	33	페어차일드 페어차일드	74VHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74VHC132	4	2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1,585	NAND 게이트	8ma, 8ma	2 µA	2	9.7ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
74HC20PW, 118	0.1200	RFQ	52	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC20	2	2V ~ 6V	14-tssop	-				귀 99	8542.39.0001	2,498	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	4	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74AS02NS	0.9900	RFQ	6	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인									-				귀 99	8542.39.0001	1
SN74AS1008ADE4	-	RFQ	4780	텍사스 텍사스	74AS	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AS1008	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	그리고 그리고	48MA, 48MA		2	6NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
CD4012BEE4	0.2900	RFQ	1240	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					CD4012				다운로드				귀 99	8542.39.0001	750
NC7SV86L6X	-	RFQ	3910	페어차일드 페어차일드	7SV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	-	7SV86	1	0.9V ~ 3.6V	6 마이크로 팩	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	xor (또는 독점)	24MA, 24MA	900 NA	2	3.3ns @ 3v, 30pf	0.7V ~ 0.8V	1.6V ~ 2V
MM74HC08MTC	-	RFQ	6271	페어차일드 페어차일드	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC08	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	20ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²