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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74LV14ANS-P Texas Instruments SN74LV14ANS-P -
RFQ
 ECAD 8749 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 6 2V ~ 5.5V 14- - Rohs3 준수 296-SN74LV14ANS-P 1 인버터 12MA, 12MA 20 µA 6 10.6ns @ 5V, 50pf 0.75V ~ 1.5V 1.75V ~ 3.5V
SN74HCT02DBLE Texas Instruments SN74HCT02DBLE -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCT02 2 2V ~ 6V 14-ssop 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 20ns @ 6v, 50pf 0.8V 2V
74ALVC00D,118 Nexperia USA Inc. 74ALVC00D, 118 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ALVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ALVC00 4 1.65V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 24MA, 24MA 20 µA 2 2.1ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
CD4025BEE4 Texas Instruments CD4025BEE4 0.4040
RFQ
 ECAD 7482 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 3 3V ~ 18V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 296-CD4025BEE4 귀 99 8542.39.0001 25 게이트도 6.8ma, 6.8ma 5 µA 3 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
5962-9682501QDA Texas Instruments 5962-9682501QDA 23.0600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 5962-9682501 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
NL17SG86P5T5G onsemi NL17SG86P5T5G -
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 온세미 Minigate ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-953 - 17SG86 1 0.9V ~ 3.6V SOT-953 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 8,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 500 NA 2 4.7ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74AHCT00D,112 NXP USA Inc. 74AHCT00D, 112 0.1200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74AHCT00 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,140
SN74ACT00PWLE Texas Instruments SN74Act00pwle 0.0500
RFQ
 ECAD 5876 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74ACT00 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
NL17SZ00DBVT1G onsemi NL17SZ00DBVT1G -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 온세미 17SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 17SZ00 1 1.65V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-NL17SZ00DBVT1G-488 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 32MA, 32MA 1 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
74AHCT04D,112 NXP USA Inc. 74AHCT04D, 112 0.1000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74AHCT04 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,140
CD74HC20EX Harris Corporation CD74HC20EX 0.2400
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 해리스 해리스 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HC20 2 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74AHC32PW,118 NXP Semiconductors 74AHC32PW, 118 -
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AHC32 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AHC32PW, 118-954 귀 99 8542.39.0001 1
SNJ54ALS804AJ Texas Instruments snj54als804aj 26.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54ALS804 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74ABT32PW,112 Nexperia USA Inc. 74ABT32PW, 112 -
RFQ
 ECAD 4799 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ABT 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ABT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 또는 또는 15ma, 20ma 50 µA 2 3.4ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
CD4025BF/3 Harris Corporation CD4025BF/3 1.6700
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 쓸모없는 CD4025 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
DM74LS86N onsemi DM74LS86N -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 온세미 74ls 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74LS86 4 4.75V ~ 5.25V 14-mdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 xor (또는 독점) 400µA, 8mA 2 23ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC1G02DPWR Texas Instruments SN74LVC1G02DPWR 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74LVC1G02 1 1.65V ~ 5.5V 4-X2SON (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 10 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74AUP2G86GD,125 NXP USA Inc. 74AUP2G86GD, 125 0.1400
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74AUP2G86 2 0.8V ~ 3.6V 8- Xson (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 500 NA 2 7.1ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
SN7405D Texas Instruments SN7405D 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 오픈 오픈 SN7405 6 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 -, 16MA 1 55ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
SN74H11N Texas Instruments SN74H11N 2.6600
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74H11 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
74HCT27D Nexperia USA Inc. 74HCT27D 0.0800
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT27 3 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 4MA, 4MA 2 µA 21ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74AHCT1G14W5-7 Diodes Incorporated 74AHCT1G14W5-7 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AHCT1G14 1 4.5V ~ 5.5V SOT-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 8NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
ASNT5040-KMC ADSANTEC ASNT5040-KMC 550.0000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 adsantec - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-cflatpack - ASNT5040 1 3.1V ~ 3.5V 24-CQFP (8x8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2837-ASNT5040-KMC 귀 99 8542.39.0001 1 xor (또는 독점) - 125 MA 4 - - -
74LVC14APW,118 NXP Semiconductors 74LVC14APW, 118 0.0800
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LVC14 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC14APW, 118-954 귀 99 8542.39.0001 1
MC10H106M onsemi MC10H106M -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 온세미 10h 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - MC10H106 3 -4.94V ~ -5.46V 16- Ooeaj 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 게이트도 50MA, 50MA 4, 3, 3 1.5ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
4025BDM National Semiconductor 4025bdm 2.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 4025B 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
74LS20PC National Semiconductor 74LS20PC 0.1900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 국가 국가 74ls 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74LS20 2 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 400µA, 8mA 2.2 MA 4 15NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHC1GT04MU1TCG onsemi MC74VHC1GT04MU1TCG 0.8900
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 74VHC1GT04 1 2V ~ 5.5V 6-UDFN (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.28V ~ 0.8V 1V ~ 2V
74VHCT32D,118 Nexperia USA Inc. 74VHCT32d, 118 0.1470
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74VHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74AHC05DBR Texas Instruments SN74AHC05DBR 0.4400
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 열린 열린 74AHC05 6 2V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 -, 8ma 2 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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