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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74LS10M onsemi SN74LS10M -
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74LS10 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
74AHC3GU04GD,125 NXP USA Inc. 74AHC3GU04GD, 125 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. 74AHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74AHC3GU04 3 2V ~ 5.5V 8- Xson (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 3 7NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.7V ~ 4.4V
74HC30DB,118 NXP USA Inc. 74HC30DB, 118 0.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC30 1 2V ~ 6V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 8 22ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.2V ~ 3.2V
MC74ACT86ML1 onsemi MC74ACT86ML1 0.1400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74Act86 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
74AUP2G32GF,115 NXP USA Inc. 74AUP2G32GF, 115 0.1600
RFQ
 ECAD 506 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74AUP2G32 2 0.8V ~ 3.6V 8-XSON (1.35X1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 4MA, 4MA 500 NA 2 6.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
MC14078BF onsemi MC14078BF -
RFQ
 ECAD 8572 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MC14078 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
54LS22/BCA Rochester Electronics, LLC 54LS22/BCA -
RFQ
 ECAD 7184 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 54LS22 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74HC2G00GD,125 NXP USA Inc. 74HC2G00GD, 125 0.1400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74HC2G00 2 2V ~ 6V 8- Xson (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 20 µA 2 7NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74S11DC National Semiconductor 74S11DC 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 국가 국가 74S 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 74S11 3 4.75V ~ 5.25V 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 - 42 MA 3 - - -
HCPL061R2 Fairchild Semiconductor HCPL061R2 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 HCPL061 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
74VHC14SJX Fairchild Semiconductor 74VHC14SJX 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74VHC14 6 2V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
MC74HC7266AFEL onsemi MC74HC7266AFEL 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC7266 4 2V ~ 6V 14 -Soic - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 2,000 xnor (독점 독점 아니오) 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
MC74HCT08AD onsemi MC74HCT08AD 0.1200
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 온세미 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT08 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 4MA, 4MA 1 µA 2 17ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74F02DR2 onsemi MC74F02DR2 0.1200
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74F02 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500
SN74HC32ANSRG4 Texas Instruments SN74HC32ANSRG4 -
RFQ
 ECAD 3301 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC32 4 2V ~ 6V 14- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 또는 또는 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NL27WZ06DBVT1G onsemi NL27WZ06DBVT1G -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74, SOT-457 열린 열린 27WZ06 2 1.65V ~ 5.5V SC-74 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NL27WZ06DBVT1GTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA 1 µA 2 3NS @ 5V, 50pf - -
NLV18VHC1GT04DFT2G onsemi NLV18VHC1GT04DFT2G -
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 18VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 18VHC1GT04 1 4.5V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NLV18VHC1GT04DFT2GTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.75V ~ 2.9V 1.5V ~ 3.85V
NL27WZ08MU1TCG onsemi NL27WZ08MU1TCG -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-ufdfn - 27WZ08 2 1.65V ~ 5.5V 8-UDFN (1.95x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NL27WZ08MU1TCGTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
NL27WZ02MU3TCG onsemi NL27WZ02MU3TCG -
RFQ
 ECAD 5052 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-ufdfn - 27WZ02 2 1.65V ~ 5.5V 8-UDFN (1.45x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NL27WZ02MU3TCGTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
NLV18SZ02DFT2G onsemi NLV18SZ02DFT2G -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 18SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 18SZ02 1 1.65V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NLV18SZ02DFT2GTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 1 µA 2 5.9ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.9V 1.4V ~ 3.6V
NLV18VHC1G02DFT2G onsemi NLV18VHC1G02DFT2G -
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 18VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 18VHC1G02 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NLV18VHC1G02DFT2GTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 8ma, 8ma 1 µA 2 10.6ns @ 5V, 50pf 0.75V ~ 2.9V 1.5V ~ 3.85V
MC74F32MR1 onsemi MC74F32MR1 0.1000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74F32 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1,000
74H11PC National Semiconductor 74H11pc 1.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74H11 3 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 - 48 MA 3 7.5ns @ 5V, 50pf - -
74HC11FP-E Renesas Electronics America Inc 74hc11fp-e 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 74HC11 3 2V ~ 6V - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 3 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC74HC132AFL1 Motorola MC74HC132AFL1 0.2300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 모토로라 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14 -Soic - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
54F21/BCA Rochester Electronics, LLC 54F21/BCA 68.8800
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 54F21 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
MC14072BFL1 onsemi MC14072BFL1 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MC14072 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1,000
74HC20FP-E Renesas Electronics America Inc 74HC20FP-E 0.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 74HC20 2 2V ~ 6V - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74LS14ML1 onsemi SN74LS14ml1 0.1400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74LS14 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
74HC20FPEL-E Renesas Electronics America Inc 74hc20fpel-e 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 74HC20 2 2V ~ 6V - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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