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![]() | SN74AS86ANS | 1.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||
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![]() | SN74HC86NE4 | 0.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74hct | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) | - | 74HC86 | 4 | 2V ~ 6V | 14-ssop | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | xor (또는 독점) | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 2 | 17ns @ 6v, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | |||||
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![]() | DM74ALS08MX | 0.2200 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | 74ALS | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74ALS08 | 4 | 4.5V ~ 5.5V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 그리고 그리고 | 400µA, 8mA | 2 | 14ns @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | |||||
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SN74F27DRE4 | - | ![]() | 3117 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74f | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74F27 | 3 | 4.5V ~ 5.5V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 게이트도 | 1ma, 20ma | 3 | 5NS @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | ||||
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![]() | SN74HCS04PWR | 0.3500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74HCS04 | 6 | 2V ~ 6V | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 인버터 | 7.8ma, 7.8ma | 2 µA | 1 | 16ns @ 6v, 50pf | 1V ~ 3V | 1.5V ~ 4.2V | ||
![]() | TC7WHU04FK, LJ (CT | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | tc7whu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) | - | 7WHU04 | 3 | 2V ~ 5.5V | 8-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 인버터 | 8ma, 8ma | 2 µA | 3 | 7NS @ 5V, 50pf | 0.3V | 1.7V |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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