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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
54F32/BCA Rochester Electronics, LLC 54F32/BCA -
RFQ
 ECAD 1834 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 54F32 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
DM74ALS133N onsemi DM74ALS133N -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 온세미 74ALS 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74ALS133 1 4.5V ~ 5.5V 16-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 NAND 게이트 400µA, 8mA 13 25NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHC1GT14DBVT1G onsemi MC74VHC1GT14DBVT1G -
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 슈미트 슈미트 74VHC1GT14 1 3V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.35V ~ 0.6V 1.6V ~ 2.1V
SN74F02DR Texas Instruments SN74F02DR 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 74f 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74F02 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 1ma, 20ma 2 5.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
TC7SET04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET04FU, LJ (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7 세트 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7 세트 04 1 4.5V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVX32M onsemi 74lvx32m -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 온세미 74lvx 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVX32 4 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,100 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 10.1ns @ 3.3v, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
MC2104FB2 Motorola MC2104FB2 -
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 모토로라 * 대부분 활동적인 MC2104 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
NC7SZ08M5 Fairchild Semiconductor NC7SZ08M5 -
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 7SZ08 1 1.8V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 그리고 그리고 32MA, 32MA 2 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf - -
MM74HCT00MX Fairchild Semiconductor MM74HCT00MX 0.2500
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,178 NAND 게이트 4.8ma, 4.8ma 1 µA 2 23ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G386GW/S400125 NXP USA Inc. 74LVC1G386GW/S400125 0.1200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LVC1G386 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
DM54S140J-MIL National Semiconductor DM54S140J-MIL 1.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국가 국가 54S 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 54S140 2 4.5V ~ 5.5V 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 3ma, 60ma 44 MA 4 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
9004FM/B Rochester Electronics, LLC 9004fm/b 67.8500
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1
74LVC3G14GF,115 Nexperia USA Inc. 74LVC3G14GF, 115 0.6400
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn 슈미트 슈미트 74LVC3G14 3 1.65V ~ 5.5V 8-XSON (1.35X1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 32MA, 32MA 4 µA 3 4.3ns @ 5V, 50pf 0.25V ~ 1.2V 1.5V ~ 3.6V
74F02SCX onsemi 74F02SCX -
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 온세미 74f 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74F02 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 1ma, 20ma 2 5.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC2G14DBVR Texas Instruments SN74LVC2G14DBVR 0.4800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-6 슈미트 슈미트 74LVC2G14 2 1.65V ~ 5.5V SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.4V 1.4V ~ 3.7V
74AUP1G86FX4-7 Diodes Incorporated 74AUP1G86FX4-7 0.1228
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74AUP1G86 1 0.8V ~ 3.6V X2-DFN1409-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 500 NA 2 7.1ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
CD40106BK3 Harris Corporation CD40106BK3 18.7800
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack 슈미트 슈미트 CD40106 6 3V ~ 18V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 6.8ma, 6.8ma 20 µA 1 120ns @ 15V, 50pf 0.9V ~ 4V 3.6V ~ 10.8V
74HCT3G04DC,125 Nexperia USA Inc. 74HCT3G04DC, 125 0.6800
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74HCT3G04 3 4.5V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 4MA, 4MA 1 µA 3 18NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G32GW,125 Nexperia USA Inc. 74LVC1G32GW, 125 0.3800
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LVC1G32 1 1.65V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 32MA, 32MA 4 µA 2 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
HEF4075BT,653 NXP USA Inc. HEF4075BT, 653 -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 NXP USA Inc. 4000B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - HEF4075 3 3V ~ 15V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 3MA, 3MA 4 µA 3 40ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74VCX86M Fairchild Semiconductor 74VCX86M 0.1400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VCX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VCX86 4 1.2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 1,100 xor (또는 독점) 24MA, 24MA 20 µA 2 3ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.8V 1.6V ~ 2V
74AHCT02D-Q100J Nexperia USA Inc. 74AHCT02D-Q100J 0.1474
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHCT02 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
CD74HC08PW Texas Instruments CD74HC08PW 1.0700
RFQ
 ECAD 344 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC08 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC74VHC1GU04DFTG onsemi MC74VHC1GU04DFTG -
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 74VHC1GU04 SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000
SN74LV00APWRE4 Texas Instruments SN74LV00APWRE4 -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LV00 4 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
DM7406M onsemi DM7406M -
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 온세미 7400 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 오픈 오픈 DM7406 6 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 인버터 -, 40ma 1 23ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
MC74VHC1G04DTT1 onsemi MC74VHC1G04DTT1 -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 - 74VHC1G04 1 2V ~ 5.5V 5-TSP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74LVC32ADR Texas Instruments SN74LVC32ADR 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVC32 4 1.65V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 24MA, 24MA 1 µA 2 3.6ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVC1G04GN,132 NXP Semiconductors 74LVC1G04GN, 132 0.0900
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74LVC1G04 1 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC1G04GN, 132-954 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 32MA, 32MA 4 µA 1 3.7ns @ 5v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74LVC1G00DRY2 Texas Instruments SN74LVC1G00DRY2 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 74LVC1G00 1 1.65V ~ 5.5V 6 x (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 32MA, 32MA 10 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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