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게이트와 게이트와 (16927)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
2SB544E-MP-ON	-	RFQ	1787	온세미	*	대부분	활동적인					2SB544E				-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
74F20PCQ	-	RFQ	9112	국가 국가	*	대부분	활동적인					74F20				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
5409/BCA	61.3800	RFQ	519	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인					5409				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
NC7SZ86P5	-	RFQ	1303	페어차일드 페어차일드	7SZ	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	7SZ86	1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	xor (또는 독점)	32MA, 32MA	2 µA	2	5.4ns @ 5V, 50pf	-	-
NC7SV38P5X	0.0600	RFQ	17	페어차일드 페어차일드	7SV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	열린 열린	7SV38	1	0.9V ~ 3.6V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	-, 24ma	900 NA	2	3.3ns @ 3v, 30pf	0.7V ~ 0.8V	1.6V ~ 2V
74HCT20DB, 112	0.1800	RFQ	2	NXP USA Inc.	74hct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HCT20	2	4.5V ~ 5.5V	14-ssop	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,092	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	4	28ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
MC74HC27FR2	-	RFQ	9503	온세미	74HC	대부분	활동적인					74HC27				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				2,000
74S40DC	0.2800	RFQ	5	국가 국가	74S	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74S40	2	4.75V ~ 5.25V	14-CDIP	다운로드	rohs 비준수가	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	3ma, 60ma	44 MA	4	6NS @ 5V, 150pf	0.8V	2V
74LVC00AD, 112	0.1000	RFQ	9	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVC00				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC00AD, 112-954			1
74LVC1G27GF, 132	0.0700	RFQ	94	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVC1G27				다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G27GF, 132-954	귀 99	8542.39.0001	1
74HCT03D, 652	0.1200	RFQ	39	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT03				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT03D, 652-954			1
SNJ54F04W	-	RFQ	1923	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54F04W	귀 99	8542.39.0001	1
JM38510/37001BCA	-	RFQ	9341	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/37001BCA			1
SN74AHC32N-P2	-	RFQ	7640	텍사스 텍사스	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-		4	2V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-SN74AHC32N-P2			1	또는 또는	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
5962-9681601QCA	-	RFQ	7986	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9681601QCA			1
CD4012BF3A	-	RFQ	8576	텍사스 텍사스	4012b	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-		2	3V ~ 18V	14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD4012BF3A	귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	6.8ma, 6.8ma	5 µA	4	90ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
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SNJ54LS27J	-	RFQ	6209	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54LS27J			1
SNJ54AC08FK	-	RFQ	6782	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54AC08FK			1
CD4023BF	-	RFQ	8194	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-		3	3V ~ 18V	14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD4023BF	귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	6.8ma, 6.8ma	5 µA	3	90ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
SN54S30J	-	RFQ	2189	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SN54S30J	귀 99	8542.39.0001	1
SN74LS06NE4	0.3664	RFQ	1323	텍사스 텍사스	74ls	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	오픈 오픈		6	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-SN74LS06NE4	귀 99	8542.39.0001	25	인버터		60 MA	6	20NS @ 5V, 15pf	0.8V	2V
CD74AC14EE4	0.3373	RFQ	1160	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	슈미트 슈미트		6	1.5V ~ 5.5V	14-PDIP	-	Rohs3 준수			296-CD74AC14EE4	귀 99	8542.39.0001	25	인버터	24MA, 24MA	4 µA	6	10.5ns @ 5V, 50pf	2.4V	3.4V
5962-9760501Q2A	-	RFQ	7171	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9760501Q2A			1
JM38510/00801BCA	-	RFQ	8563	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/00801BCA			1
CD4001UBF	-	RFQ	4784	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	-		4	3V ~ 18V	14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD4001UBF	귀 99	8542.39.0001	1	게이트도	6.8ma, 6.8ma	5 µA	2	50ns @ 15V, 50pf	1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
CD4093BM96	0.5500	RFQ	20	텍사스 텍사스	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	CD4093	4	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	3.4ma, 3.4ma	4 µA	2	130ns @ 15V, 50pf	0.9V ~ 4V	3.6V ~ 10.8V
74LCX00MX	0.2700	RFQ	165	페어차일드 페어차일드	74lcx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LCX00	4	2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1,099	NAND 게이트	24MA, 24MA	10 µA	2	5.2ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
Hef4069ubt, 652	0.1500	RFQ	372	NXP USA Inc.	4000B	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	Hef4069	6	3V ~ 15V	14-	다운로드					귀 99	8542.39.0001	2,033	인버터	3.4ma, 3.4ma	1 µA	1	30NS @ 15V, 50pf	1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
74LCX32MTCX	-	RFQ	6260	페어차일드 페어차일드	74lcx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LCX32	4	2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는	24MA, 24MA	10 µA	2	5.5ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²