전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 특징 | 기본 기본 번호 | 회로 회로 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 논리 논리 | 전류 - 높음 출력, 낮음 | 현재 -Quiescent (최대) | 입력 입력 | cl | 입력 입력 레벨 - 낮음 | 입력 입력 레벨 - 높음 |
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![]() | 74HC2G02DP-Q100H | 0.1868 | ![]() | 8902 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | - | 74HC2G02 | 2 | 2V ~ 6V | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 게이트도 | 5.2MA, 5.2MA | 20 µA | 2 | 16ns @ 6v, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | ||
![]() | 74AUP1G06GW, 125 | - | ![]() | 3695 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 74AUP | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 열린 열린 | 74AUP1G06 | 1 | 0.8V ~ 3.6V | 5-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 인버터 | -, 4MA | 500 NA | 1 | 10.5ns @ 3.3v, 30pf | 0.7V ~ 0.9V | 1.6V ~ 2V | |||
![]() | SN74HC27N-P2 | - | ![]() | 5862 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | - | 3 | 2V ~ 6V | 14-PDIP | - | Rohs3 준수 | 296-SN74HC27N-P2 | 1 | 게이트도 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 3 | 15NS @ 6V, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | ||||||
SN74HCS08DYYR | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | SOT-23-14 THIN, SOT-23 변형 | 슈미트 슈미트 입력 | 74HCS08 | 4 | 2V ~ 6V | 14-SOT-23- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 296-SN74HCS08DYYRTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 그리고 그리고 | 7.8ma | 2 µA | 2 | 12NS @ 6V, 50pf | 1V ~ 3V | 1.5V ~ 4.2V | ||
![]() | 74HCT10PW-Q100J | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, 74HCT | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | - | 74HCT10 | 3 | 4.5V ~ 5.5V | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | NAND 게이트 | 4MA, 4MA | 2 µA | 3 | 24ns @ 4.5v, 50pf | 0.8V | 2V | ||
![]() | SN74LV04ANS | 1.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74lv | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | - | 74LV04 | 6 | 2V ~ 5.5V | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 인버터 | 12MA, 12MA | 20 µA | 1 | 7.5ns @ 5V, 50pf | 0.1V ~ 0.55V | 1.9V ~ 3.8V | ||
![]() | DM74LS02N | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | 온세미 | 74ls | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | - | 74LS02 | 4 | 4.75V ~ 5.25V | 14-mdip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | 게이트도 | 400µA, 8mA | 2 | 18NS @ 5V, 50pf | 0.8V | 2V | |||
![]() | 74HC1G32GW-Q100H | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 74HC1G32 | 1 | 2V ~ 6V | 5-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 또는 또는 | 2.6MA, 2.6MA | 20 µA | 2 | 23ns @ 6v, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | ||
![]() | 5962-86841012A | - | ![]() | 7889 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 296-5962-86841012A | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 74AHCT3G14DP, 125 | - | ![]() | 5535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 74AHCT3G14 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | 74HC133D | 7.3700 | ![]() | 5627 | 0.00000000 | 로체스터 로체스터 장치, LLC | 74HC | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74HC133 | 1 | 2V ~ 6V | 16- | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | NAND 게이트 | 5.2MA, 5.2MA | 1 µA | 13 | 10NS @ 6V, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | ||
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![]() | MC74AC132D | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 온세미 | 74AC | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 74AC132 | 4 | 2V ~ 6V | 14 -Soic | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 55 | NAND 게이트 | 24MA, 24MA | 4 µA | 2 | 9NS @ 5V, 50pf | 0.5V ~ 1.1V | 2.2V ~ 3.9V | ||
![]() | 74LV14PW, 112 | - | ![]() | 1905 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 74lv | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74LV14 | 6 | 1V ~ 5.5V | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 96 | 인버터 | 12MA, 12MA | 40 µA | 1 | 15ns @ 3.3v, 50pf | 0.3V ~ 1.1V | 1.4V ~ 3.85V | ||
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![]() | SN74F02N | - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-SN74F02N | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | JM38510/37006BCA | 18.4400 | ![]() | 514 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | JM38510 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | JM38510/07006BDA | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | JM38510 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CD4011BPW | 1.1300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 4000B | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | - | CD4011 | 4 | 3V ~ 18V | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 90 | NAND 게이트 | 3.4ma, 3.4ma | 1 µA | 2 | 90ns @ 15V, 50pf | 1.5V ~ 4V | 3.5V ~ 11V | ||
![]() | 5962-8684201VCA | - | ![]() | 8859 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 296-5962-8684201VCA | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NC7SZ00FHX-L22175 | 0.1048 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | 온세미 | 7SZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-ufdfn | - | 7SZ00 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | 6-udfn (1x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 488-NC7SZ00FHX-L22175TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | NAND 게이트 | 32MA, 32MA | 2 µA | 2 | 4.3ns @ 5V, 50pf | - | - | ||
![]() | 100121fc | 3.4800 | ![]() | 271 | 0.00000000 | 국가 국가 | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 24-cflatpack | - | 100121 | 9 | 4.2V ~ 5.7V | 24-cflatpack | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 인버터 | - | 9 | - | 1.49V | 0.88V | |||
![]() | 1B1G08QDCKRQ1-NP | - | ![]() | 1010 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 296-1B1G08QDCKRQ1-NP | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | SN74HC132ANSR | 0.6300 | ![]() | 5930 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 슈미트 슈미트 | 74HC132 | 4 | 2V ~ 6V | 14- | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | NAND 게이트 | 5.2MA, 5.2MA | 2 µA | 2 | 19NS @ 6V, 50pf | 0.1V ~ 0.26V | 1.9V ~ 5.9V | ||
![]() | 74VHC00MTCX | 0.6100 | ![]() | 179 | 0.00000000 | 온세미 | 74VHC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | - | 74VHC00 | 4 | 2V ~ 5.5V | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | NAND 게이트 | 8ma, 8ma | 2 µA | 2 | 7.5ns @ 5V, 50pf | 0.5V | 1.5V | ||
HEF4071BT, 653 | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 4000B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | HEF4071 | 4 | 3V ~ 15V | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 또는 또는 | 3.4ma, 3.4ma | 4 µA | 2 | 35NS @ 15V, 50pf | 1.5V ~ 4V | 3.5V ~ 11V | |||
![]() | MC74AC08DTR2G | 0.6000 | ![]() | 4468 | 0.00000000 | 온세미 | 74AC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | - | 74AC08 | 4 | 2V ~ 6V | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 그리고 그리고 | 24MA, 24MA | 4 µA | 2 | 7.5ns @ 5V, 50pf | 0.9V ~ 1.65V | 2.1V ~ 3.85V | ||
![]() | 74LVC3G34SS8-7 | 0.5000 | ![]() | 9787 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 74LVC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | - | 3 | 1.65V ~ 5.5V | 8-ssop | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 인버터 | 32MA, 32MA | 10 µA | 3 | 3.8ns @ 5V, 50pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7V ~ 2V | ||||
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![]() | SN74LVC1G10YEPR | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 74LVC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-XFBGA, DSBGA | - | 74LVC1G10 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | 6-DSBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | NAND 게이트 | 32MA, 32MA | 10 µA | 3 | 3.6ns @ 5V, 50pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7V ~ 2V |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고