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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
74HC03PW653	0.1200	RFQ	27	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	열린 열린	74HC03	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	-, 5.2ma	2 µA	2	16ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVC86AD, 112	-	RFQ	3849	Nexperia USA Inc.	74LVC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC86	4	1.2V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	57	xor (또는 독점)	24MA, 24MA	40 µA	2	5ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
JM38510/31003BCA	-	RFQ	5333	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/31003BCA			1
SN74AUP1G08DCKRE4	-	RFQ	2968	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74AUP1G08	1	0.8V ~ 3.6V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	4MA, 4MA	500 NA	2	6.2ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
NL18SZ125DFT2G	-	RFQ	5677	온세미	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					18SZ125				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000
TC7WZ32FK, LJ (CT	0.0871	RFQ	8703	Toshiba 반도체 a 저장	7wz	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	-	7WZ32	2	1.65V ~ 5.5V	8-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는	32MA, 32MA	1 µA	2	3.7ns @ 5v, 50pf	-	-
SN74LS38DR2	0.1000	RFQ	12	모토로라	74ls	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	오픈 오픈	74LS38	4	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	250µa, 24ma	12 MA	2	32ns @ 5v, 45pf	0.8V	2V
NLV18VHC1GT50DFT2G	-	RFQ	9984	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	18VHC1GT50	1	4.5V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-NLV18VHC1GT50DFT2GTR	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
74HCT2G86DP-Q100H	-	RFQ	9815	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HCT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	-	74HCT2G86	2	4.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935302244125	귀 99	8542.39.0001	3,000	xor (또는 독점)	4MA, 4MA	1 µA	2	19NS @ 4.5V, 50pf	0.8V	2V
NC7SZ00P5X-F40	-	RFQ	8880	온세미	-	대부분	쓸모없는					7SZ00				-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	488-NC7SZ00P5X-F40	귀 99	8542.39.0001	1
MC74LCX32DR2G	0.6300	RFQ	2	온세미	74lcx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LCX32	4	2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	24MA, 24MA	10 µA	2	5.5ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74HC132DBR	0.4200	RFQ	1859	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC132	4	2V ~ 6V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
74ATT11008N	1.9640	RFQ	7726	텍사스 텍사스	74ACT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74ATT11008	4	4.5V ~ 5.5V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고	24MA, 24MA	4 µA	2	8NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74HC32D/S400118	0.0700	RFQ	5	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC32	4	2V ~ 6V	14-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
MC362AG	19.8500	RFQ	100	모토로라	MC350	대부분	활동적인	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	100-10 캔 금속	-	MC362	2	-	100-10	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	게이트도	-		3	-	-	-
74HCT14PW-Q100,118	-	RFQ	9507	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100, 74HCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74HCT14	6	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드						0000.00.0000	1	인버터	4MA, 4MA	2 µA	1	34ns @ 4.5v, 50pf	0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
DM74LS32SJ	0.1400	RFQ	14	페어차일드 페어차일드	74ls	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74LS32	4	4.75V ~ 5.25V	14-SOP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는	400µA, 8mA	9.8 MA	2	15NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC74HC1G08DFT2GH	-	RFQ	4245	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HC1G08	1	2V ~ 6V	14 -Soic	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	843	그리고 그리고	2.6MA, 2.6MA	1 µA	2	17ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
8404601ca	-	RFQ	8257	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-8404601CA			1
5962-8683301DA	-	RFQ	7524	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-8683301DA			1
SN74AHC02DG4	-	RFQ	5399	텍사스 텍사스	74AHC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC02	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	2	8.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
MC832P	0.6300	RFQ	7290	모토로라	MC830	대부분	활동적인	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	MC832	2	5V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	2.5MA, 36MA		4	-	1.1V	1.9V
N74F10N, 602	-	RFQ	8975	NXP USA Inc.	74f	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74F10	3	4.5V ~ 5.5V	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	1ma, 20ma		3	5NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
NC7SVL08FHX	0.4400	RFQ	2	온세미	7SVL	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	-	7SVL08	1	0.9V ~ 3.6V	6-Micropak2 ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	그리고 그리고	24MA, 24MA	900 NA	2	3.5ns @ 3v, 30pf	0.7V ~ 0.8V	0.9V ~ 1.5V
SN74LVC1G00DCK3	-	RFQ	8988	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					74LVC1G00				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000
MC74VHC1G02DFT1	-	RFQ	4268	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74VHC1G02	1	2V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	8ma, 8ma	1 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
CD74ACT04M96E4	-	RFQ	9693	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74Act04	6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	24MA, 24MA	4 µA	1	9.3ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC74VHC1GT14DFT1	-	RFQ	8695	온세미	74VHC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	슈미트 슈미트	74VHC1GT14	1	3V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.35V ~ 0.6V	1.6V ~ 2.1V
74LVC14APW, 112	0.5000	RFQ	71	Nexperia USA Inc.	74LVC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74LVC14	6	1.2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	96	인버터	24MA, 24MA	40 µA	1	6.4ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1V ~ 2V
74HC2G32DP-Q100H	-	RFQ	3147	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	-	74HC2G32	2	2V ~ 6V	8-tssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74HC2G32DP-Q100H	귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	13ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²