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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
5962-8984401CA Texas Instruments 5962-8984401CA 13.7700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 5962-8984401 4 4.5V ~ 5.5V 14-CDIP - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-5962-8984401CA-296 귀 99 8542.39.0001 1 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 2 µA 2 32ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74VHC14D,118 Nexperia USA Inc. 74VHC14D, 118 0.4400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74VHC14 6 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
TC7SHU04FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SHU04FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SHU 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-953 - 7SHU04 1 2V ~ 5.5V FSV - 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0.3V 1.7V
TC7W02F(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W02F (TE12L) -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 7W Digi-Reel® 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.122 ", 3.10mm 너비) - 7W02 2 2V ~ 6V 8-SOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74LVC08APW Texas Instruments SN74LVC08APW 1.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVC08 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 그리고 그리고 24MA, 24MA 1 µA 2 3.9ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74ACTQ00MTCX onsemi 74ActQ00MTCX -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 온세미 74ACTQ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ACTQ00 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 24MA, 24MA 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MM74HCT04MTC onsemi MM74HCT04MTC -
RFQ
 ECAD 1515 0.00000000 온세미 74hct 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 인버터 4.8ma, 4.8ma 2 µA 1 20NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74AHCT02DBR Texas Instruments SN74AHCT02DBR 0.3800
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AHCT02 4 4.5V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HCT32PW,118 Nexperia USA Inc. 74HCT32PW, 118 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74LS03N Texas Instruments SN74LS03N 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 74LS03 4 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 250µA, 16MA 2 32ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
SN74LV04ATPWRQ1 Texas Instruments SN74LV04ATPWRQ1 -
RFQ
 ECAD 4014 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74LV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LV04 6 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 12MA, 12MA 20 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
SN74HC04N Texas Instruments SN74HC04N 0.5700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HC04 6 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LCX00SJX onsemi 74LCX00SJX -
RFQ
 ECAD 4594 0.00000000 온세미 74lcx 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LCX00 4 2V ~ 3.6V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 10 µA 2 5.2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
TC7SZ04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ04FU, LJ -
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SZ04 1 1.8V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 2 µA 1 4.3ns @ 5V, 50pf - -
SN54AS805BJ Texas Instruments SN54AS805BJ 12.8800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54AS805 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
SN74AHCT00QPWRQ1 Texas Instruments SN74AHCT00QPWRQ1 0.5800
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74AHCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
NLX1G332CMUTCG onsemi NLX1G332CMUTCG -
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-ufdfn - NLX1G332 1 1.65V ~ 5.5V 6-udfn (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 32MA, 32MA 1 µA 3 7NS @ 5V, 50pf - -
74LVCU04ABQ,115 Nexperia USA Inc. 74LVCU04ABQ, 115 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVCU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74LVCU04 6 1.2V ~ 3.6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 24MA, 24MA 40 µA 1 2ns @ 3.3v, 50pf 0.12V ~ 1.2V 1.08V ~ 2.4V
74AC20SJX onsemi 74AC20SJX -
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 온세미 74AC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AC20 2 2V ~ 6V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 2 µA 4 7NS @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
MC14025BDG onsemi MC14025BDG 0.6700
RFQ
 ECAD 671 0.00000000 온세미 4000B 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - MC14025 3 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 게이트도 8.8ma, 8.8ma 1 µA 3 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
SN74LV02ADBR Texas Instruments SN74LV02ADBR 0.5800
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LV02 4 2V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
N74F14N,602 NXP USA Inc. N74F14N, 602 -
RFQ
 ECAD 6722 0.00000000 NXP USA Inc. 74f 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 74F14 6 4.5V ~ 5.5V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 1ma, 20ma 1 8.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74VHC02MTR STMicroelectronics 74VHC02MTR 0.5500
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 stmicroelectronics 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHC02 4 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74HC132D,652 NXP USA Inc. 74HC132d, 652 -
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,140 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
74AHC30GU12/S500X Nexperia USA Inc. 74AHC30GU12/S500X 0.2000
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 74AHC30 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74AHC30GU12/S500X-1727 1
74HC2G86DC-Q100H Nexperia USA Inc. 74HC2G86DC-Q100H 0.2978
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74HC2G86 2 2V ~ 6V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74HC03DT Texas Instruments SN74HC03DT 1.0900
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74HC03 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 NAND 게이트 -, 5.2ma 2 µA 2 23ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74LVC2G08QDCURQ1 Texas Instruments SN74LVC2G08QDCURQ1 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74LVC2G08 2 1.65V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 296-SN74LVC2G08QDCURQ1TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 10 µA 2 4.8ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SY100S321JZ Microchip Technology SY100S321JZ -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 100 년대 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 28-LCC (J-Lead) - 100S321 9 -4.2V ~ -5.5V 28-PLCC (11.48x11.48) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 38 인버터 - 1 700ps @ -5v, - - -
MC74VHC1GU04DF1G-L22038 onsemi MC74VHC1GU04DF1G-L22038 0.0420
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74VHC1GU04 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-MC74VHC1GU04DF1G-L22038TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.7V ~ 4.4V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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