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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
MC74HCT04AD	-	RFQ	9325	온세미	74hct	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HCT04	6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	인버터	4MA, 4MA	1 µA	1	17ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74LVC1G14FX4-7	0.1167	RFQ	1586	다이오드가 다이오드가	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn	슈미트 슈미트	74LVC1G14	1	1.65V ~ 5.5V	X2-DFN1409-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	32MA, 32MA	200 µA	1	6.5ns @ 5V, 50pf	0.3V ~ 1.45V	1.2V ~ 3.33V
V62/03647-01XE	1.0150	RFQ	1932	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수			296-v62/03647-01xetr			2,000
NLV14049UBDG	-	RFQ	8931	온세미	4000B	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	NLV14049	6	3V ~ 18V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	48	인버터	10MA, 40MA	4 µA	1	50ns @ 15V, 50pf	1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
NC7SP02L6X	-	RFQ	9602	온세미	7SP	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	-	7SP02	1	0.9V ~ 3.6V	6 마이크로 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	게이트도	2.6MA, 2.6MA	900 NA	2	7ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2.1V
sn54als11aj	-	RFQ	8288	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SN54ALS11AJ			1
74LVC1GU04GM, 115	0.5000	RFQ	4513	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	-	74LVC1GU04	1	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	32MA, 32MA	4 µA	1	3NS @ 5V, 50pf	-	-
74AHCT86PW, 118	0.4100	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AHCT86	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)	8ma, 8ma	2 µA	2	8.8ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
sn74ac08pwr	0.5800	RFQ	11	텍사스 텍사스	74AC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AC08	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	그리고 그리고	24MA, 24MA	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
74AUP1G04SE-7	0.4400	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74AUP1G04	1	0.8V ~ 3.6V	SOT-353	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	1	5.4ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SN74HCS4075QDRQ1	0.6100	RFQ	2	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74HCS	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트 입력	74HCS4075	3	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	7.8ma, 7.8ma	2 µA	3	12NS @ 6V, 50pf	1V ~ 3V	1.5V ~ 4.2V
74VHC02MX	0.6700	RFQ	9	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74VHC02	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
CD4073BF	10.2000	RFQ	35	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					CD4073				다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-CD4073BF-296			1
DM74ALS1008AN	-	RFQ	8515	온세미	74ALS	튜브	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74ALS1008	4	4.5V ~ 5.5V	14-mdip	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고	2.6ma, 24ma		2	9NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
BU4011BFV-E2	0.4410	RFQ	1906	Rohm 반도체	4000B	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	BU4011	4	3V ~ 16V	14-SSOP-B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	1.2MA, 3MA	4 µA	2	40ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
74HC1G14GV-Q100H	0.4300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	슈미트 슈미트	74HC1G14	1	2V ~ 6V	SC-74A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	2.6MA, 2.6MA	20 µA	1	32ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
SN74HC00DBR	0.4300	RFQ	5474	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HC00	4	2V ~ 6V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVX08MTR	-	RFQ	4788	stmicroelectronics	74lvx	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVX08	4	2V ~ 3.6V	14-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	4MA, 4MA	2 µA	2	10.6ns @ 3.3v, 50pf	0.5V ~ 0.8V	1.5V ~ 2.4V
SN74LVC2G08DCUTE4	-	RFQ	6856	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	-	74LVC2G08	2	1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	그리고 그리고	32MA, 32MA	10 µA	2	3.8ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
MC74AC20DG	0.6500	RFQ	25	온세미	74AC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AC20	2	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	NAND 게이트	24MA, 24MA	4 µA	4	7NS @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
sn74lv10adr	0.4000	RFQ	4739	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LV10	3	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	12MA, 12MA	20 µA	3	7.9ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
DM54LS27W/883	2.0100	RFQ	515	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack	-	54LS27	3	4.5V ~ 5.5V	14-cfp	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	게이트도	400µA, 4MA	6.8 MA	3	18NS @ 5V, 50pf	0.7V	2V
5962-8858901DA	-	RFQ	9016	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-8858901DA			1
SN74LV05ADG4	-	RFQ	9760	텍사스 텍사스	74lv	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	열린 열린	74LV05	6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터	-, 12MA	20 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
74lcx10mx	-	RFQ	6467	온세미	74lcx	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LCX10	3	2.3V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	24MA, 24MA	10 µA	3	4.9ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74VCX08MX	0.7200	RFQ	2	온세미	74VCX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74VCX08	4	1.2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	24MA, 24MA	20 µA	2	2.8ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.8V	1.6V ~ 2V
74LVX00MTCX	0.6100	RFQ	1	온세미	74lvx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVX00	4	2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	2	9.7ns @ 3.3v, 50pf	0.5V ~ 0.8V	1.5V ~ 2.4V
SN74ALS02ANSR	0.9200	RFQ	2370	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74ALS02	4	4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	게이트도	400µA, 8mA	2.2 MA	2	12NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
CD4001BPWR	0.5300	RFQ	6	텍사스 텍사스	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	CD4001	4	3V ~ 18V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	게이트도	3.4ma, 3.4ma	1 µA	2	90ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
sn74AHCT02PWR	0.3800	RFQ	3	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AHCT02	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²