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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
MC74HC00AFELG onsemi MC74HC00AFELG -
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC00 4 2V ~ 6V SOEIAJ-14 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC7W14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W14FU, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 667 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) 슈미트 슈미트 7W14 3 2V ~ 6V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 3 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.5V 1.5V ~ 4.2V
SN7438DRE4 Texas Instruments SN7438DRE4 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 오픈 오픈 SN7438 4 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 -, 48MA 2 22ns @ 5v, 45pf 0.8V 2V
74LV04BQ,115 NXP USA Inc. 74LV04BQ, 115 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. 74lv 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74LV04 6 1V ~ 5.5V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 12MA, 12MA 40 µA 1 8ns @ 3.3v, 50pf 0.3V ~ 0.8V 0.9V ~ 2V
74LVC02ABQ,115 Nexperia USA Inc. 74LVC02ABQ, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74LVC02 4 1.2V ~ 3.6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 24MA, 24MA 40 µA 2 4.4ns @ 3.3v, 50pf 0.12V ~ 0.8V 1.08V ~ 2V
74LVC1G125FZ4-7 Diodes Incorporated 74LVC1G125FZ4-7 0.1012
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 74LVC1G125 X2-DFN1410-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000
74LVCE1G04W5-7 Diodes Incorporated 74LVCE1G04W5-7 0.3900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74lvce 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74LVCE1G04 1 1.4V ~ 5.5V SOT-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 1 3.3ns @ 5v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LV86DB,112 NXP USA Inc. 74LV86DB, 112 -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 NXP USA Inc. 74lv 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LV86 4 1V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 78 xor (또는 독점) 12MA, 12MA 40 µA 2 13ns @ 3.3v, 50pf 0.3V ~ 0.8V 0.9V ~ 2V
SN74ALVC04NSR Texas Instruments SN74ALVC04NSR -
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 텍사스 텍사스 74ALVC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ALVC04 6 1.65V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 24MA, 24MA 10 µA 1 2.8ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVX32MTCX onsemi 74LVX32MTCX 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 74lvx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVX32 4 2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 10.1ns @ 3.3v, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
HCF4011M013TR STMicroelectronics HCF4011M013TR -
RFQ
 ECAD 4365 0.00000000 stmicroelectronics 4000 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - HCF4011 4 3V ~ 20V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 6.8ma, 6.8ma 5 µA 2 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74LVT02DB,118 Nexperia USA Inc. 74lvt02db, 118 -
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVT 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LVT02 4 2.7V ~ 3.6V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 20MA, 32MA 2 2.8ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
SN74LV00ADG4 Texas Instruments SN74LV00ADG4 -
RFQ
 ECAD 9409 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LV00 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 NAND 게이트 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74AHC1G32GW,125 Nexperia USA Inc. 74AHC1G32GW, 125 0.3400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74AHC1G32 1 2V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 8ma, 8ma 1 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
MC10H106M onsemi MC10H106M -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 온세미 10h 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - MC10H106 3 -4.94V ~ -5.46V 16- Ooeaj 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 게이트도 50MA, 50MA 4, 3, 3 1.5ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
TC7SZ08FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ08FE, LJ (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-553 - 7SZ08 1 1.65V ~ 5.5V ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 2 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf - -
74LVC1G02GW,125 NXP USA Inc. 74LVC1G02GW, 125 -
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 74LVC1G02 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000
74HCT2G04GW-Q100H Nexperia USA Inc. 74HCT2G04GW-Q100H 0.1071
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 슈미트 슈미트 74HCT2G04 2 4.5V ~ 5.5V 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 4MA, 4MA 10 µA 2 18NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
74HC4002PW-Q100,11 Nexperia USA Inc. 74HC4002PW-Q100,11 0.3667
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC4002 2 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LV00PW/AUJ NXP USA Inc. 74LV00PW/AUJ -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 NXP USA Inc. 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LV00 4 1V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935302039118 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 12MA, 12MA 10 µA 2 11ns @ 5V, 50pf 0.3V ~ 0.8V 0.9V ~ 2V
74F02SCX onsemi 74F02SCX -
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 온세미 74f 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74F02 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 1ma, 20ma 2 5.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74AHC14PWRG4 Texas Instruments SN74AHC14PWRG4 -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74AHC14 6 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
SN74HC21PWT Texas Instruments SN74HC21PWT 1.0900
RFQ
 ECAD 313 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC21 2 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 19NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7SV32FHX onsemi NC7SV32FHX -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 온세미 7SV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7SV32 1 0.9V ~ 3.6V 6-Micropak2 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 또는 또는 24MA, 24MA 900 NA 2 3.3ns @ 3v, 30pf 0.7V ~ 0.8V 1.6V ~ 2V
SN74AHC14QPWRG4Q1 Texas Instruments SN74AHC14QPWRG4Q1 0.6500
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74AHC14 6 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
NL17SZ08XV5T2G-L22087 onsemi NL17SZ08XV5T2G-L22087 0.0600
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 온세미 17SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-553 - 17SZ08 1 1.65V ~ 5.5V SOT-553 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 488-NL17SZ08XV5T2G-L22087TR 귀 99 8542.39.0001 4,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf - -
74LV1T08GVH Nexperia USA Inc. 74LV1T08GVH 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74LV1T08 1 1.6V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 4.6ns @ 5V, 30pf 0.58 ~ 0.8V 0.94 ~ 2.1V
SN74ACT10QPWRG4Q1 Texas Instruments SN74ACT10QPWRG4Q1 0.7400
RFQ
 ECAD 1748 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74ACT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ACT10 3 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 3 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC2G32DCUTE4 Texas Instruments SN74LVC2G32DCUTE4 -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74LVC2G32 2 1.65V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 또는 또는 32MA, 32MA 10 µA 2 3.2ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVT04PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74LVT04PW-Q100J 0.5327
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVT04 6 2.7V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 20MA, 32MA 1 2.6ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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