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 | TLP7820 (D4ALF4, e | 6.5200 | | 8150 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | TLP7820 | 12MA | 미분 | 1 | 도 8- | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 5A991B1 | 8542.33.0001 | 75 | - | 230kHz | 격리 | 5.5 NA | 900 µV | 4.5 v | 5.5 v | ||||||||||||||||||||||
| LT1013DRE4 | - | | 8092 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | LT1013 | 320µa (x2 채널) | - | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.4V/µs | 범용 | 1MHz | 18 NA | 90 µV | 5 v | 30 v | |||||||||||||||||||||
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 | tda7391pdu | 3.2357 | | 4466 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.433 ", 11.00mm 너비) 노출 패드 | AB | Depop, 입력 차동, 음소거, 단락 및 열 보호, 대기 대기 | TDA7391 | 1 채널 (모노) | 8V ~ 18V | 파워 -20 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 497-11639-5 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 310 | 40W x 1 @ 3.2ohm | |||||||||||||||||||||||||
 | MIC842LBC5 TR | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Teeny ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 전압 전압 | 푸시 푸시 | SC-70-5 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 1.5V ~ 5.5V | - | - | 20MA | 3µA | - | 12µs | 20MV |
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