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![]() | EL5362IU-T7 | - | ![]() | 2968 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) | EL5362 | 1.5MA (x3 () | - | 3 | 16-QSOP | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,000 | 4000V/µs | 500MHz | 100 MA | 현재 현재 | 2 µA | 1.5 MV | 5 v | 12 v | |||||||||
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![]() | INA105BM | 38.9300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-99-8 9 캔 | INA105 | 1.5MA | - | 1 | To-99-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | 3V/µs | 1MHz | 20 MA | 미분 | 50 µV | 10 v | 36 v | ||||||||||
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![]() | AD8009ARZ- 릴 | 3.3600 | ![]() | 1774 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AD8009 | 16MA | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 5500V/µs | 1GHz | 175 MA | 현재 현재 | 50 µA | 2 MV | 5 v | 12 v | |||||||||
![]() | LF411ACN | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Biet II ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | LF411 | 1.8ma | - | 1 | 8-PDIP | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 40 | 15V/µs | J-FET | 4 MHz | 50 PA | 300 µV | 10 v | 44 v | ||||||||||
![]() | ONET9901PARGPG4 | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 20-vfqfn 노출 패드 | ONET990 | 35MA | 미분 | 1 | 20-QFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 91 | - | 10GHz | 제한 | 3 v | 3.6 v | ||||||||||||
![]() | LM2904D | 3.5700 | ![]() | 915 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | LM2904 | 700µA | 단일 단일 | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 100 | 0.6V/µs | 40 MA | 범용 | 700 kHz | 20 NA | 2 MV | 3 v | 30 v | |||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고