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선형 (49377)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	표준	제어 제어	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLC271CP	1.2600	RFQ	6	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC271	950µA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50					5.3V/µs		30 MA	범용	2.2 MHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
MAX4436EUA+	11.4200	RFQ	9	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			MAX4436	15MA (x2 2)	-	2		8-ux/usop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max4436eua+	귀 99	8542.33.0001	50					133V/µs	150MHz	65 MA	범용		14 µA	1 MV	4.5 v	5.5 v
INA213CIDCKR	1.4700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA213	65µA	-	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000					0.4V/µs			현재의 현재의	80 kHz	28 µA	5 µV	2.7 v	26 v
lt1122cs8#trpbf	6.3450	RFQ	4698	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1122	7.8ma	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					75V/µs			J-FET	13MHz	12 PA	130 µV	10 v	36 v
ina210Airswt	1.6100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-ufqfn			INA210	65µA	-	1		10-uqfn (1.8x1.4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250					0.4V/µs			현재의 현재의	14 kHz	28 µA	0.55 µV	2.7 v	26 v
OP492GSZ	10.1900	RFQ	644	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OP492	1ma (x4 4)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	56					4V/µs		10.5 MA	범용	4 MHz	375 NA	1.4 MV	4.5 v	33 v
AD8607ARZ	3.9900	RFQ	8896	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8607	40µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98					0.1V/µs		70 MA	CMOS	400 kHz	0.2 PA	12 µV	1.8 v	5 v
E-TDA7560	12.4600	RFQ	539	stmicroelectronics	자동차	튜브	활동적인	-		구멍을 구멍을	25-Flexiwatt (형성 된 리드 리드)	AB	음소거, 및 단락 열 보호 보호, 대기	TDA7560		4 채널 (쿼드)		8V ~ 18V	25-Flexiwatt (수직)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	17														80w x 4 @ 2ohm
MAX4233ABC	6.8800	RFQ	1	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-WFBGA, CSPBGA				1.2MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		10-UCSP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1					10V/µs		200 MA	CMOS	10MHz	1 PA	850 µV	2.7 v	5.5 v
THS4151CD	12.3900	RFQ	34	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4151	17.5MA	미분	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75					650V/µs	150MHz	85 MA	미분	340MHz	4.3 µA	1.1 MV	4 v	33 v
TDA7577LVPD	-	RFQ	8274	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	PowerSo-36 6 된 상단 패드	AB	음소거, 보호 단락, 대기	TDA7577		2 채널 (스테레오)		6V ~ 18V	PowerSo-36	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	31														45W x 2 @ 4ohm
SSM4567ACBZ-R7	3.7600	RFQ	5	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	19-UFBGA, WLCSP	d. d	-	SSM4567		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.2V	19-WLCSP (1.74x2.1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000														3.17W x 1 @ 4ohm
NJM2233BD#	-	RFQ	6292	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모		소비자 소비자	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)							-	8-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	스위치	-	-
EL5166IS	2.8900	RFQ	48	엘란 엘란	-	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				8.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.33.0001	97					6000V/µs	1.4GHz	200 MA	현재 현재		8.5 µA	500 µV	5 v	12 v
LMV797mm	-	RFQ	5597	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMV797	1.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000					11.5V/µs		60 MA	범용	17 MHz	0.1 PA	100 µV	1.8 v	5.5 v
OPA132UA/2K5G4	-	RFQ	9140	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA132	4MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					20V/µs		40 MA	범용	8 MHz	5 PA	500 µV	5 v	36 v
TL082BIYDT	0.8600	RFQ	32	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL082	1.4ma	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					16V/µs		40 MA	J-FET	4 MHz	20 PA	1 MV	6 v	36 v
ONET2804TY	46.2000	RFQ	1393	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		광학 광학	표면 표면	주사위	증폭기 증폭기		ONET2804					주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		5A991B1	8542.33.0001	675
BGY835C, 112	-	RFQ	8425	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모		catv	섀시 섀시	SOT-115J			BGY83	340 MA	-	1		SOT115J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25				-	-
ltc6800hms8#trpbf	5.3100	RFQ	937	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LTC6800	1.3ma	철도 철도 레일	1		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					0.2V/µs			수단	200 kHz	4 NA	100 µV	2.7 v	5.5 v
TS1871IYLT	1.8900	RFQ	3	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TS1871	500µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000					0.6V/µs		80 MA	범용	1.8 MHz	70 NA	100 µV	1.8 v	6 v
TPA0213DGQR	3.3700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	10-powertfsop, 10-msop (0.118 ", 3.00mm 너비)	AB	Depop, 멀티플렉서 입력, 종료	TPA0213		스테레오 스테레오 1 헤드폰이있는 (모노)		2.5V ~ 5.5V	10-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500														2W x 1 @ 4ohm; 90mw x 2 @ 32ohm
TS321IDBVRG4	-	RFQ	8179	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TS321	600µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000					0.4V/µs		40 MA	범용	800 kHz	20 NA	500 µV	3 v	30 v
MC33074DTBR2	-	RFQ	8291	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MC33074	1.9ma (x4 ()	-	4		14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MC33074DTBR2OS	귀 99	8542.33.0001	2,500					13V/µs		30 MA	J-FET	4.5MHz	100 NA	1 MV	3 v	44 v
TLC271ACDR	1.1100	RFQ	426	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC271	950µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					5.3V/µs		30 MA	범용	2.2 MHz	0.7 PA	900 µV	3 v	16 v
ISO122JPE4	-	RFQ	3055	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-25 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm), 8 개의 리드			ISO122	5MA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25					2V/µs	50 kHz	15 MA	격리			20 MV	9 v	36 v
LMP8640QMKE-T/NOPB	3.3500	RFQ	3773	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			LMP8640	2.3ma	-	1		SOT-23-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250					1.8V/µs			현재의 현재의	950 kHz	13 µA	900 µV	2.7 v	12 v
TL071CDRE4	-	RFQ	3976	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL071	1.4ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
CA3060E	2.7800	RFQ	1	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)				850µA	-	3		16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1					8V/µs			범용	110 kHz	2.5 µA	1 MV	36 v	36 v
TPA3106D1VFP	8.1700	RFQ	7192	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	32-lqfp q 패드	d. d	차동 차동, 입력, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TPA3106		1 채널 (모노)		10V ~ 26V	32-HLQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250														40W x 1 @ 8ohm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (49377)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²