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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LT1631CS#PBF	15.5200	RFQ	4231	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1631	4.1ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	55	10V/µs		70 MA	범용	30MHz	550 NA	220 µV	2.7 v	36 v
LT1990CS8#TRPBF	4.6600	RFQ	11	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1990	140µA	철도 철도 레일	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.55V/µs	105 kHz	22 MA	미분			900 µV	2.7 v	36 v
OPA2704EA/2K5G4	-	RFQ	3844	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA270	160µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	3V/µs		10 MA	CMOS	3MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
TSV852AIDT	2.4500	RFQ	830	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TSV852	130µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-12393-2	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.7V/µs		70 MA	범용	1.3 MHz	27 NA	800 µV	2.5 v	5.5 v
TLV2404IN	3.2204	RFQ	6130	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2404	900NA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25	0.0025V/µs		200 µA	범용	5.5 kHz	100 PA	390 µV	2.5 v	16 v
CS3012-ISZ	-	RFQ	3390	Cirrus Logic Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			CS3012	1.7ma	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드		2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100	2V/µs			범용		50 PA	10 µV	2.7 v	6.7 v
TLV2472IDR	1.4790	RFQ	1315	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2472	600µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
THS4022CD	11.3915	RFQ	5482	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4022	7.8ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	470V/µs	350MHz	100 MA	전압 전압	350MHz	3 µA	500 µV	9 v	32 v
LT1782HS6#TRMPBF	5.9800	RFQ	2192	아날로그 아날로그 Inc.	최고 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			LT1782	45µA	철도 철도 레일	1		TSOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	500	0.075V/µs		30 MA	범용	225 kHz	8 NA	500 µV	2.5 v	18 v
AD8203YRMZ	5.2200	RFQ	284	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			AD8203	250µA	-	1		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	0.330V/µs			미분	60 kHz	40 Na	2 MV	3.5 v	12 v
LT1633CS#PBF	15.7600	RFQ	2	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1633	4.6MA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	55	45V/µs		70 MA	범용	45MHz	1.15 µA	500 µV	2.7 v	36 v
lt1361cs8#trpbf	9.7400	RFQ	1	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1361	4MA (x2 2)	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	800V/µs		34 MA	전압 전압	50MHz	300 NA	300 µV	5 v	30 v
LMC662AIMX/NOPB	2.1600	RFQ	4	텍사스 텍사스	LMC®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC662	750µa (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	1.1V/µs		40 MA	CMOS	1.4 MHz	0.002 PA	1 MV	4.75 v	15.5 v
ADA4177-2ARZ-R7	6.1000	RFQ	2	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			ADA4177	500µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	1.5V/µs	6MHz	25 MA	범용	3.5MHz	300 PA	2 µV	5 v	36 v
MCP6V87T-E/MNY	2.0700	RFQ	3	마이크로 마이크로 기술	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			MCP6V87	500µA	철도 철도 레일	2		8-TDFN (2x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	150-mcp6v87t-e/mnytr	귀 99	8542.33.0001	3,300	4V/µs		40 MA	헬기 (드리프트 제로)	5 MHz	2 PA	25 µV	2.5 v	5.5 v
LM358PW-JF	-	RFQ	8561	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				500µA (x2 채널)	푸시 푸시, 풀	2		8-tssop	-	Rohs3 준수			296-LM358PW-JF			1	0.3V/µs		30 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	30 v
EL5173ISZ-T13	-	RFQ	7487	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL5173	12MA	미분	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	900V/µs	450MHz		미분		11 µA	3 MV	4.75 v	11 v
LT1217CS8#TRPBF	6.4800	RFQ	9882	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1217	1MA	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	500V/µs	10MHz	100 MA	현재 현재		100 NA	1 MV	9 v	36 v
TDA7490	-	RFQ	3831	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	25-Flexiwatt (형성 된 리드 리드)	d. d	데포, 단락, 음소거 및 열 보호 보호, 대기	TDA7490		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		± 10V ~ 25V	25-Flexiwatt (수직)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	357										50W x 1 @ 16ohm; 25W x 2 @ 8ohm
MAX9700CETB+	-	RFQ	2026	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-wfdfn d 패드	d. d	-	MAX9700		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	10-TDFN (3x3)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	175-max9700CETB+	귀 99	8542.33.0001	100										1.6W x 1 @ 6ohm
OPA347NA/250	0.9500	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA347	20µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	0.17V/µs		17 MA	범용	350 kHz	0.5 PA	2 MV	2.3 v	5.5 v
TSM104WAID	1.4300	RFQ	659	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TSM104	1.4ma (x4 ()	-	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40	0.3V/µs		40 MA	범용	900 kHz	30 na	500 µV	3 v	30 v
BD7280YG-CTR	1.4900	RFQ	2	Rohm 반도체	AEC-Q100, NANO CAP ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-6				1.7ma	푸시 푸시, 풀 투 레일	1		6-ssop	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000	10V/µs		50 MA	CMOS	7 MHz	0.5 PA	10 µA	2.5 v	5.5 v
LT1462ACS8#PBF	11.5800	RFQ	368	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1462	28µA (x2 ()	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-2735-LT1462ACS8#PBF	귀 99	8542.33.0001	100	0.13V/µs		17 MA	J-FET	175 kHz	1 PA	600 µV	10 v	30 v
LT1222CN8#PBF	11.4800	RFQ	6913	아날로그 아날로그 Inc.	C-Load ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LT1222	8ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	200V/µs		26 MA	범용	500MHz	100 NA	100 µV	10 v	30 v
MC14577CFL2	-	RFQ	4351	모토로라	*	대부분	활동적인												-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	2,000
MCP6275T-E/SN	0.7200	RFQ	8079	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MCP6275	170µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MCP6275T-E/SN-NDR	귀 99	8542.33.0001	3,300	0.9V/µs		25 MA	범용	2 MHz	1 PA	3 MV	2 v	6 v
LTC6087HDD#PBF	3.8800	RFQ	5970	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	10-wfdfn d 패드			LTC6087	1.05MA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-2735-LTC6087HDD#PBF	귀 99	8542.33.0001	121	7.2V/µs		45 MA	CMOS	14 MHz	1 PA	330 µV	2.7 v	5.5 v
NJM2135M-TE2#	-	RFQ	5410	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	AB	대기			1 채널 (모노)		2V ~ 16V	8-DMP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,000										400mw x 1 @ 100ohm
LT6200CS8#PBF	6.5600	RFQ	534	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT6200	20MA	철도 철도 레일	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100	50V/µs			범용	165 MHz	23 µA	2.5 MV	2.5 v	12.6 v

2000+
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표준 제품 단위
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전 세계 제조업체
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2800+

15,000m2

15,000m²