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![]() | 815AVR | 8.8500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 24-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비), 18 개의 리드, 융합 리드 | 30ma | 미분 | 2 | 24-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | 900V/µs | 110MHz | 500 MA | 미분 | 10 µA | 500 µV | 10 v | 36 v | |||||||||||||
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![]() | THS7374IPWR | 0.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 완충기 | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | THS7374 | 10 MA | 철도 철도 레일 | 4 | 14-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,000 | 2.85V ~ 5.5V | 130V/µs | 9.5MHz | 90 MA | ||||||||||||||||
![]() | LM6181IM-8 | - | ![]() | 4431 | 0.00000000 | 국가 국가 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 6.5MA | - | 1 | 8-SOIC | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | 1400V/µs | 100MHz | 130 MA | 현재 현재 | 100MHz | 250 NA | 1 MV | 7 v | 32 v | ||||||||||||
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![]() | EL5211IYE-T13 | - | ![]() | 6886 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | EL5211 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 | EL5211 | 5MA (X2 2) | 철도 철도 레일 | 2 | 8-HMSOP | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 75V/µs | 60MHz | 65 MA | 전압 전압 | 32 MHz | 2 NA | 3 MV | 4.5 v | 16.5 v | |||||||||||
![]() | TDA18260HN/C1,551 | 2.8900 | ![]() | 260 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 소비자 소비자 | 표면 표면 | 48-vfqfn 노출 패드 | 3.3v | 48-HVQFN (7x7) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-TDA18260HN/C1,551 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 조율사 | - | i²c |
일일 평균 RFQ 볼륨
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