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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 요소 요소 기능 표준 제어 제어 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) load
TLE2021MP Texas Instruments TLE2021MP 2.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 240µA - 1 8-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.33.0001 1 0.5V/µs 20 MA 범용 2 MHz 25 NA 150 µV 4 v 40 v
LMC8101BP National Semiconductor LMC8101BP 0.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 국가 국가 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFBGA 1.1ma 철도 철도 레일 1 8-DSBGA 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.33.0001 250 1.2V/µs 범용 1.3 MHz 1 PA 700 µV 2.7 v 10 v
LM4875M/NOPB National Semiconductor LM4875M/NOPB 1.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 국가 국가 부머 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AB Depop, 음소거, m, 열 보호, 볼륨 제어 모노 모노 1 헤드폰이있는 (모노) 2.7V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.33.0001 1 1W x 1 @ 8ohm; 110mw x 1 @ 32ohm
5962-9560302QCA Texas Instruments 5962-9560302QCA -
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 296-5962-9560302QCA 1
INA293B3QDBVRQ1 Texas Instruments INA293B3QDBVRQ1 3.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 INA293 1.5MA - 1 SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 2.5V/µs 1MHz 현재의 현재의 20 µA 10 µV 2.7 v 20 v
LM2902DBR Texas Instruments LM2902DBR 0.1100
RFQ
ECAD 112 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 1.4ma (x4 () - 4 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.5V/µs 30 MA 범용 1.2 MHz 20 NA 3 MV 3 v 26 v
TS932BIDT STMicroelectronics ts932bidt -
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ECAD 2459 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TS932 20µa (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.05V/µs 5 MA 범용 100 kHz 1 PA 2 MV 2.7 v 10 v
ISL28417FBBZ Renesas Electronics America Inc ISL28417FBBZ -
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL28417 440µa (x4 채널) - 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 -ISL28417FBBZ 귀 99 8542.33.0001 1,000 0.5V/µs 43 MA 범용 1.5MHz 80 PA 10 µV 4.5 v 40 v
LM386N-1/NOPB Texas Instruments LM386N-1/NOPB 1.3400
RFQ
ECAD 3043 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) AB - LM386 1 채널 (모노) 4V ~ 12V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 40 325MW x 1 @ 8ohm
MAX4368EUA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4368EUA 0.7300
RFQ
ECAD 983 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) AB - 1 채널 (모노) 2.3V ~ 5.5V 8-µmax 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 330mw x 1 @ 16ohm
ADOP27AH/883B Analog Devices Inc. 27AH/883B 13.4400
RFQ
ECAD 6768 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-99-8 9 캔 3MA - 1 To-99-8 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 2.8V/µs 범용 8 MHz 10 na 10 µV 8 v 36 v
ICL7653CPA Analog Devices Inc./Maxim Integrated ICL7653CPA 3.0900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 1.2MA - 1 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 2.5V/µs 헬기 (드리프트 제로) 2 MHz 4 PA 700 MV 4.5 v 16 v
OP37GS Analog Devices Inc. OP37GS -
RFQ
ECAD 3822 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OP37 - - 1 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 98 17V/µs 범용 63MHz 15 na 30 µV 8 v 36 v
INA190A5IRSWT Texas Instruments INA190A5IRSWT 3.5100
RFQ
ECAD 251 0.00000000 텍사스 텍사스 제로 제로 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 10-ufqfn INA190 40µA 철도 철도 레일 1 10-uqfn (1.8x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250 0.25V/µs 20 kHz 현재의 현재의 27 kHz 500 PA 2 µV 1.7 v 5.5 v
LM615IM Texas Instruments LM615IM 31.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 Super-Block ™ 대부분 쓸모없는 LM615 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 48
MAX40027ATC/VY+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX40027ATC/VY+T. 7.6650
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면, 마운트 측면 12-Wfdfn d 패드 패드 범용 MAX40027 차동, LVD, 차동, LVD 12-SWTDFN-EP (3x2) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 175-MAX40027ATC/VY+TTR 귀 99 8542.39.0001 2,500 2 2.7V ~ 3.6V 5MV @ 3.3v 10µa @ 3.3v 24ma 23MA 80dB PSRR 280µs 1.5MV
MAX4174AJEUK Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4174AJEUK -
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 330µA 철도 철도 레일 1 SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 0.7V/µs 690 kHz 65 MA 범용 2 MHz 50 PA 500 µV 2.5 v 5.5 v
TLE2061AIDG4 Texas Instruments TLE2061AIDG4 -
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 텍사스 텍사스 Excalibur ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLE206 290µA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 3.4V/µs 80 MA J-FET 2 MHz 4 PA 500 µV 7 v 36 v
TLE2062ACDG4 Texas Instruments TLE2062ACDG4 -
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLE2062 625µa (x2 채널) - 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 3.4V/µs 80 MA J-FET 2 MHz 4 PA 800 µV 7 v 36 v
TPA3136D2PWPR Texas Instruments TPA3136D2PWPR 1.7000
RFQ
ECAD 1581 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) d. d Depop, 및 단락 열 보호 TPA3136 2 채널 (스테레오) 4.5V ~ 14.4V 28-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 10W x 2 @ 8ohm
TL070IDR Texas Instruments TL070IDR -
RFQ
ECAD 6713 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TL070 1.4ma - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 13V/µs J-FET 3MHz 65 PA 3 MV 7 v 36 v
LM10CLH/NOPB National Semiconductor LM10CLH/NOPB 2.1300
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 TO-99-8 9 캔 300µA - 1 To-99-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 4 0.2V/µs 20 MA 범용 12 NA 500 µV 1.1 v 40 v
LMH6504MM/NOPB National Semiconductor LMH6504mm/NOPB 3.8200
RFQ
ECAD 155 0.00000000 국가 국가 LMH® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 11ma - 1 8-VSSOP 다운로드 귀 99 8542.33.0001 79 1500V/µs 150MHz 80 MA 가변 가변 1.4 µA 7 v 12 v
FT801Q-T Bridgetek Pte Ltd. FT801Q-T 5.8925
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 Bridgetek Pte Ltd. - 쟁반 활동적인 비디오 비디오 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 FT801 1.8V ~ 3.3V 48-VQFN (7x7) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 260 제어 제어 - i²c, 연재
LMV824MTX-TI Texas Instruments LMV824MTX-TI -
RFQ
ECAD 4616 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, LMV® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 1ma (x4 4) 철도 철도 레일 4 14-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 2,500 2V/µs 45 MA 범용 5.6 MHz 40 Na 1 MV 2.5 v 5.5 v
MCP6042T-E/MSVAO Microchip Technology MCP6042T-E/MSVAO -
RFQ
ECAD 1322 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCP6042 600NA (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.003V/µs 20 MA 범용 14 kHz 1 PA 3 MV 1.4 v 6 v
LME49725MAX/NOPB National Semiconductor LME49725MAX/NOPB -
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 국가 국가 LME® 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 3MA (x2 2) 단일 단일 2 8-SOIC - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-LME49725MAX/NOPB-14 1 15V/µs 7 MHz 22 MA 기준 40MHz 15 na 500 µV 9 v 36 v
HA1-2839/883 Harris Corporation HA1-2839/883 14.5200
RFQ
ECAD 613 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - - 1 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.33.0001 1 550V/µs 10 MA 범용 500MHz 14.5 µA 2 MV 24 v 30 v
LT6017MPDJC#PBF Analog Devices Inc. LT6017MPDJC#PBF 20.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. LT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 22-Wfdfn d 패드 패드 LT6017 315µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 22-DFN (6x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -2735-LT6017MPDJC#PBF 귀 99 8542.33.0001 61 0.75V/µs 30 MA 범용 3.3 MHz 2 NA 50 µV 3 v 50 v
LMV324LIDT STMicroelectronics LMV324LIDT 0.9600
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LMV324 130µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.7V/µs 70 MA 범용 1.3 MHz 27 NA 1 MV 2.7 v 5.5 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고