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선형 (49377)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)
OPA890IDBVT	2.8100	RFQ	7	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6		OPA890	1.1ma	-	1	SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										500V/µs	260MHz	40 MA	전압 전압	130MHz	100 NA	1 MV	3 v	12 v
LM2902VDTB	-	RFQ	4782	온세미	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		LM2902	-	-	4	14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	96										-		40 MA	범용	1MHz	90 NA	2 MV	3 v	32 v
Max4028ewe+	-	RFQ	6380	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는		2 : 1 증폭기 멀티플렉서	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		MAX4028	29 MA	-	3	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	46		4.5V ~ 5.5V								300V/µs	210MHz	30 MA
MCP606T-I/OTVAO	-	RFQ	8489	마이크로 마이크로 기술	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753		MCP606	18.7µA	철도 철도 레일	1	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MCP606T-I/OTVAOTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										0.08V/µs		17 MA	범용	155 kHz	1 PA	250 µV	2.5 v	6 v
opa2890idgst	4.5000	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		OPA2890	2.25MA (x2 채널)	-	2	10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										400V/µs	250MHz	40 MA	전압 전압	120MHz	100 NA	2 MV	3 v	12 v
TLV2432CDR	1.8700	RFQ	68	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		TLV2432	100µa (x2 ()	철도 철도 레일	2	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.25V/µs		50 MA	CMOS	550 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
NT24L55-GRP6	-	RFQ	6942	Semtech Corporation	-	대부분	활동적인		-	표면 표면	주사위	트랜스 임피던스 ance	NT24L55				주사위	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	24,000
TLV2764IPW	3.0839	RFQ	5211	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		TLV2764	20µa (x4 ()	철도 철도 레일	4	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90										0.23V/µs		10.2 MA	범용	500 kHz	3 PA	550 µV	1.8 v	3.6 v
MHW8182CN	-	RFQ	2027	NXP USA Inc.	-	쟁반	쓸모없는		catv	섀시 섀시	기준 기준		MHW81	220 MA	-	1	7-CATV 모듈	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		-								-
LM2904VQPWR	-	RFQ	9690	Rohm 반도체	트로피	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		LM2904	1MA	-	2	8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LM2904VQPWRRS	귀 99	8542.33.0001	3,000										0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	26 v
AP4310AMTR-G1	0.5500	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AP4310	150µa (x2 채널)	-	2	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000										0.5V/µs		40 MA	범용	1MHz	20 NA	500 µV	3 v	36 v
LMV772max	-	RFQ	8911	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LMV772	600µA (x2 채널)	차동, 대 철도 레일	2	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1.4V/µs		75 MA	범용	3.5MHz	0.23 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
LMH6504MAX/NOPB	3.9100	RFQ	4	국가 국가	LMH®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			11ma	-	1	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1500V/µs	150MHz	80 MA	가변 가변	150MHz	1.4 µA	10 MV	7 v	12 v
TSM924CSE+	-	RFQ	4124	실리콘 실리콘	TSM92X	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	전압 전압	TSM924		CMOS, 푸시,, TTL		16-	다운로드		1 (무제한)		TSM924CSE+SIL	귀 99	8542.39.0001	48	4	2.5V ~ 11V, ± 1.25V ~ 5.5V	10MV@ 2.5V	-	40ma	6.5µA	80dB CMRR, 80dB PSRR	12µs	-
TUA6010XS	0.8300	RFQ	6	인피온 인피온	-	대부분	활동적인											다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000
opa2316idrgt	2.1000	RFQ	6	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드		OPA2316	400µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2	8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										6V/µs		50 MA	CMOS	10MHz	5 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
INA121UAG4	-	RFQ	4354	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		INA121	450µA	-	1	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										0.7V/µs	5 kHz	14 MA	수단		4 PA	300 µV	4.5 v	36 v
ADTL084ARUZ	3.0300	RFQ	2950	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		ADTL084	1.2MA (x4 ()	-	4	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	96										20V/µs		27 MA	J-FET	5 MHz	2 PA	1.5 MV	8 v	36 v
TLV2332IPW	-	RFQ	4045	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		TLV233	210µA (x2 채널)	-	2	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	600										0.43V/µs		30 MA	범용	525 kHz	0.6 PA	1.1 MV	2 v	8 v
TL071MLB	7.5700	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			1.4ma	-	1	To-99-8	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1										13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
TL082IDRG4	-	RFQ	2290	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		TL082	1.4ma (x2 ()	-	2	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										13V/µs		10 MA	J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
ACPL-C78A-000E	13.4200	RFQ	636	Broadcom Limited	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.268 ", 6.81mm 너비)		ACPL-C78	11ma	미분	1	8- 너무 뻗어 너무	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80										-	100 kHz	18.6 MA	격리			300 µV	4.5 v	5.5 v
lt1397hde#trpbf	4.3350	RFQ	3162	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-wfdfn d 패드		LT1397	4.6MA (x4 ()	-	4	14-DFN (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										800V/µs	400MHz	80 MA	현재 현재		10 µA	1 MV	4 v	12 v
UA741in	-	RFQ	2525	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		UA741	1.7ma	-	1	8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										0.5V/µs		25 MA	범용	1MHz	10 na	1 MV	10 v	44 v
UPC3219GV-E1-A	0.6000	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	-	대부분	쓸모없는		자동 자동 제어 (AGC)	표면 표면	8-SSOP (0.126 ", 3.20mm 너비)			35 MA	미분	1	8-ssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.33.0001	1,000		4.5V ~ 5.5V								-	100MHz
MAX4236EUT+G11	-	RFQ	2666	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6		최대 423	350µA	철도 철도 레일	1	SOT-6	-	Rohs3 준수			175-max4236eut+g11	쓸모없는		1										0.3V/µs		30 MA	범용	1.7 MHz	1 PA	5 µV	2.4 v	5.5 v
AD811AR-20	6.2700	RFQ	3	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	쓸모없는		현재 현재	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		AD811	16.5 MA	-	1	20-	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	37		± 4.5V ~ 18V								2500V/µs	140MHz	100 MA
CLC420AJFQML	92.6000	RFQ	313	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			-	-	1	8-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1										750V/µs	45MHz	50 MA	전압 전압	35MHz	20 µA	3.5 MV	10 v	10 v
INA190A4NDDFREP	8.2000	RFQ	3	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8			48µA	-	1	TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										1V/µs	33 kHz		현재의 현재의		500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
TLE2061AIPG4	-	RFQ	9085	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		TLE2061	290µA	-	1	8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	500 µV	7 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (49377)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²