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선형 (49377)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TDA7491MV	-	RFQ	1340	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	36-BFSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드	d. d	Depop, 입력 차동, 음소거, 단락 및 열 보호, 대기 대기	TDA7491		1 채널 (모노)		5V ~ 18V	POWERSSO-36 EPD	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	49																			25W x 1 @ 6ohm
THS3110CD	-	RFQ	1873	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS311	4.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	225										1300V/µs	100MHz	260 MA	현재 현재		1.5 µA	3 MV	10 v	30 v
TSM924CSE+	-	RFQ	4124	실리콘 실리콘	TSM92X	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	전압 전압		TSM924		CMOS, 푸시,, TTL			16-	다운로드		1 (무제한)		TSM924CSE+SIL	귀 99	8542.39.0001	48	4	2.5V ~ 11V, ± 1.25V ~ 5.5V	10MV@ 2.5V	-	40ma	6.5µA	80dB CMRR, 80dB PSRR	12µs	-
TUA6010XS	0.8300	RFQ	6	인피온 인피온	-	대부분	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000
TLE2024BMJ	24.7200	RFQ	19	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				200µa (x4 ()	-	4		14-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										0.7V/µs		40 MA	범용	2.8 MHz	40 Na	500 µV	4 v	40 v
TSV6191Ailt	0.5484	RFQ	4147	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TSV6191	10.5µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.08V/µs		63 MA	범용	450 kHz	1 PA	800 µV	1.5 v	5.5 v
LMC8101BP	0.5200	RFQ	4	국가 국가	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-VFBGA				1.1ma	철도 철도 레일	1		8-DSBGA	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.33.0001	250										1.2V/µs			범용	1.3 MHz	1 PA	700 µV	2.7 v	10 v
TLE2062ACDG4	-	RFQ	5440	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2062	625µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	800 µV	7 v	36 v
TPA6100A2D	1.6600	RFQ	357	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	Depop, 및 단락 열 보호 보호, 종료	TPA6100		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		1.6V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75																			50MW x 2 @ 16ohm
LMV772max	-	RFQ	8911	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMV772	600µA (x2 채널)	차동, 대 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1.4V/µs		75 MA	범용	3.5MHz	0.23 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
AD811AR-20	6.2700	RFQ	3	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	쓸모없는		현재 현재	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			AD811	16.5 MA	-	1		20-	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	37		± 4.5V ~ 18V								2500V/µs	140MHz	100 MA
LMV324LIDT	0.9600	RFQ	2594	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMV324	130µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.7V/µs		70 MA	범용	1.3 MHz	27 NA	1 MV	2.7 v	5.5 v
MAX40027ATC/VY+T.	7.6650	RFQ	3400	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면, 마운트 측면	12-Wfdfn d 패드 패드	범용		MAX40027		차동, LVD, 차동, LVD			12-SWTDFN-EP (3x2)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	175-MAX40027ATC/VY+TTR	귀 99	8542.39.0001	2,500	2	2.7V ~ 3.6V	5MV @ 3.3v	10µa @ 3.3v	24ma	23MA	80dB PSRR	280µs	1.5MV
TLE2061AIDG4	-	RFQ	8758	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE206	290µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	500 µV	7 v	36 v
TLC277CPS	3.0400	RFQ	4	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TLC277	1.9ma (x2 ()	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80										5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
ADA4853-3YCPZ-R7	3.5100	RFQ	5	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		전압 전압	표면 표면	16-wfqfn q 패드, csp			ADA4853	1.4 MA	철도 철도 레일	3		16-LFCSP-WQ (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,500		2.65V ~ 5V								120V/µs	100MHz	160 MA
INA240A4QPWRQ1	4.0000	RFQ	5	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			INA240	1.8ma	-	1		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000										2V/µs	400 kHz		현재의 현재의		90 µA	5 µV	2.7 v	5.5 v
LTC6090CS8E#PBF	10.3900	RFQ	755	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드			LTC6090	2.8ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC-EP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100										21V/µs			범용	12MHz	3 PA	330 µV	9.5 v	140 v
lt1397hde#trpbf	4.3350	RFQ	3162	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-wfdfn d 패드			LT1397	4.6MA (x4 ()	-	4		14-DFN (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										800V/µs	400MHz	80 MA	현재 현재		10 µA	1 MV	4 v	12 v
LM2904VQPWR	-	RFQ	9690	Rohm 반도체	트로피	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LM2904	1MA	-	2		8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LM2904VQPWRRS	귀 99	8542.33.0001	3,000										0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	26 v
lm4910max/nopb	-	RFQ	8516	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	Depop, 열, 셧다운 보호	LM4910		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		2.2V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500																			35MW x 2 @ 32ohm
MAX954C/D	-	RFQ	4569	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	쓸모없는		스마트 스마트	표면 표면	주사위	증폭기, 비교기		MAX954					주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	100
EL5178ISZ-T13	-	RFQ	2823	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL5178	12.5MA	미분	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										850V/µs	700MHz		미분	350MHz	14 µA	1.9 MV	4.75 v	11 v
SCV33202VDR2G	-	RFQ	1243	온세미	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는													-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-SCV33202VDR2GTR	쓸모없는		2,500
TLV2620IP	0.4100	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				800µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1										6V/µs		28 MA	CMOS	11 MHz	2 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
MAX4236EUT+G11	-	RFQ	2666	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6			최대 423	350µA	철도 철도 레일	1		SOT-6	-	Rohs3 준수			175-max4236eut+g11	쓸모없는		1										0.3V/µs		30 MA	범용	1.7 MHz	1 PA	5 µV	2.4 v	5.5 v
PAM8908JER	0.9300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-ufqfn 노출 패드	AB	단락 단락 열 및	PAM8908		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		2.5V ~ 5.5V	U-QFN3030-16	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000																			35MW x 2 @ 16ohm
LMH6881SQE/NOPB	10.8700	RFQ	259	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	24-wfqfn q 패드			LMH6881	100ma	-	1		24-WQFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										-	2.4GHz		미분				4.75 v	5.25 v
PAM8902KER-P	-	RFQ	4692	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-vqfn q 패드	d. d	단락 단락 열 및	PAM8902		1 채널 (모노)		2.7V ~ 5.5V	16-QFN (4x4)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	PAM8902KER-PDI	귀 99	8542.33.0001	3,000																			-
TLC4502QDRG4	-	RFQ	8334	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC450	2.5MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										2.5V/µs		50 MA	CMOS	4.7 MHz	1 PA	10 µV	4 v	6 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (49377)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²