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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 전류 - 공급 | 출력 출력 | 회로 회로 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 요소 요소 | 기능 | 표준 | 제어 제어 | 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) | 전압- 오프셋 입력 (최대) | 현재- 바이어스 입력 (최대) | 현재- 유형 (출력) | 현재 -Quiescent (최대) | CMRR, PSRR (TYP) | 전파 전파 (지연) | 히스테리시스 | 슬림 슬림 | -3dB 대역폭 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | load |
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![]() | MAX472CPA+ | 6.3900 | ![]() | 4744 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 20µA | - | 1 | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | - | 1.5 MA | 현재의 현재의 | 20 µA | 120 µV | 3 v | 36 v | ||||||||||||||||||||||
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![]() | HA7-2505-5x136 | 1.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 75 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | 4MA | - | 1 | 8-cerdip | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 0000.00.0000 | 1 | 30V/µs | 20 MA | 범용 | 12MHz | 125 NA | 4 MV | 40 v | 40 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | AS1702V-TZ | - | ![]() | 5034 | 0.00000000 | AMS OSRAM | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 10-wfdfn d 패드 | AB | - | 1 채널 (모노) | 2.7V ~ 5.5V | 10-mlpd (3x3) | - | 쓸모없는 | 1 | 1.8W x 1 @ 4ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | lmv324ipwrrb | - | ![]() | 7612 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | LMV® | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 410µA | 푸시 푸시, 풀 투 레일 | 4 | 14-tssop | - | Rohs3 준수 | 296-lmv324ipwrrb | 1 | 1V/µs | 40 MA | 범용 | 1MHz | 15 na | 1.7 MV | 2.7 v | 5.5 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TL082CMX | - | ![]() | 1954 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TL082 | 3.6ma (x2 () | - | 2 | 8-SOIC | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 13V/µs | 17 MA | J-FET | 4 MHz | 50 PA | 5 MV | 36 v | 36 v | ||||||||||||||||||||
![]() | NJM4559L | - | ![]() | 6651 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 3.5MA | - | 2 | 8-sip | 다운로드 | 쓸모없는 | 25 | 2V/µs | 범용 | 6MHz | 25 NA | 500 µV | 8 v | 36 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NJU7089R-TE2 | 1.5600 | ![]() | 5841 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | AB | - | NJU7089 | 1 채널 (모노) | 1.8V ~ 5.5V | 8-VSP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.2W x 1 @ 8ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS1574-CTE3 | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 전문 전문 | 표면 표면 | 16-vqfn q 패드 | GS1574 | 3.135V ~ 3.465V | 16-QFN (4x4) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 평형 평형 | smpte | 연속물 | ||||||||||||||||||||||||||||||
ADA4899-1YCPZ-R7 | 6.6300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-WFDFN d 패드 패드, CSP | ADA4899 | 14.7ma | - | 1 | 8-LFCSP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,500 | 310V/µs | 600MHz | 200 MA | 전압 전압 | 6 µA | 35 µV | 4.5 v | 12 v | |||||||||||||||||||||
![]() | CLC449AJE | 25.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CLC449 | 12MA | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 95 | 2500V/µs | 1.1GHz | 90 MA | 현재 현재 | 6 µA | 3 MV | 10 v | 12 v | ||||||||||||||||||||
![]() | TLE2022QDREP | 3.4275 | ![]() | 5258 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Excalibur ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLE2022 | 170µA (x2 채널) | - | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.5V/µs | 30 MA | 범용 | 2.8 MHz | 35 NA | 120 µV | 4 v | 40 v | ||||||||||||||||||||
![]() | EL2250CS | 2.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인터 인터 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 전압 전압 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 5 MA | - | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 97 | 2.7V ~ 12V, ± 1.35V ~ 6V | 275V/µs | 125MHz | 100 MA | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA358AE | 0.2000 | ![]() | 2078 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 1.5MA | - | 2 | 8-PDIP | - | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-CA358AE | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | - | 40 MA | 범용 | 1MHz | 45 NA | 2 MV | 3 v | 30 v | ||||||||||||||||||||
![]() | TLE2144IDWG4 | 2.2500 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | TLE214 | 6.9ma (x4 () | 철도 철도 레일 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 40 | 45V/µs | 50 MA | 범용 | 5.9 MHz | 700 NA | 290 µV | 4 v | 44 v | ||||||||||||||||||||
![]() | TS393CD | - | ![]() | 2268 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 범용 | TS393 | CMOS, 오픈, | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 2 | 2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V | 5MV @ 10V | 1pa @ 5v | 20MA | 25µA | 71dB CMRR | - | - | ||||||||||||||||||||
LM393DGKRG4 | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | 미분 | LM393 | CMOS, MOS,, 드레인, TTL | 8-VSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 | 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V | 5MV @ 30V | 0.25µA @ 5V | 20MA | 2.5MA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | LM4985TM/NOPB-NS | - | ![]() | 2060 | 0.00000000 | 국가 국가 | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | lmv822mm | 1.2200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 국가 국가 | 자동차, AEC-Q100, LMV® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | 500µA (x2 채널) | 철도 철도 레일 | 2 | 8-VSSOP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,000 | 2V/µs | 45 MA | 범용 | 5.6 MHz | 40 Na | 1 MV | 2.5 v | 5.5 v | |||||||||||||||||||||
![]() | ISO122UE4 | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | 버 버 | - | 대부분 | 활동적인 | 데이터 데이터 | 표면 표면 | 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 8 개의 리드 | 격리 | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tcb701fng, el | 4.1496 | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 36-BSSOP (0.433 ", 11.00mm) 노출 패드 | 36-HSSOP | - | Rohs3 준수 | 264-TCB701FNG, ELTR | 700 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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