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	TS358CD	0.1836	RFQ		2631	0.00000000	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				1.5MA	아니요	2		8-DIP	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TS358CD			10,000										0.4V/µs	40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
	TS34119CS RLG	0.7100	RFQ		65	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	클래스 a	-	TS34119		1 채널 (모노)		2V ~ 16V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500																		250MW x 1 @ 32ohm
	TS321CX5 RFG	0.6300	RFQ		5	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TS321	430µA	-	1		SOT-25	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.4V/µs	40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
	TS103ACS RLG	0.3600	RFQ		8755	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS103	500µA (x2 채널)	-	2		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.5V/µs	40 MA	범용	1MHz	20 NA	500 µV	3 v	18 v
	TS393C	0.1939	RFQ		3839	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용							8-SOP	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TS393CSTR			5,000	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V		16MA @ 5V	2.5MA	-	-	-
	TS331CX5	0.1582	RFQ		5485	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753	범용							SOT-25	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-ts331cx5tr			12,000	1	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 5V		16MA @ 5V	2.5MA	-	-	-
	TS393CS RLG	0.1995	RFQ		5354	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		TS393		CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL			8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	2MV @ 5V	0.025µA	16MA @ 5V	1MA	-	-	-
	TS358CS RLG	0.5900	RFQ		3367	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS358	1.5MA	미분	2		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.4V/µs	40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
	TS331CX5 RFG	0.1707	RFQ		3083	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753	범용		TS331		CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL			SOT-25	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV	0.025µA	16MA @ 5V	1MA	-	-	-
	TS358cs	0.1939	RFQ		8740	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1.5MA	아니요	2		8-SOP	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TS358CSTR			5,000										0.4V/µs	40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
	TS358CD C3G	0.1980	RFQ		4453	0.00000000	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.309 ", 7.87mm)			TS358	1.5MA	미분	2		8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										0.4V/µs	40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
	TS393CD	0.1852	RFQ		1169	0.00000000	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	범용							8-DIP	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TS393CD			10,000	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V		16MA @ 5V	2.5MA	-	-	-
	TS393CD C3G	0.1998	RFQ		2406	0.00000000	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.309 ", 7.87mm)	범용		TS393		CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL			8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	2MV @ 5V	0.025µA	16MA @ 5V	1MA	-	-	-
	TS103ACS	0.3337	RFQ		3486	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				600µA	아니요	2		8-SOP	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TS103ACSTR			5,000										0.5V/µs	40 MA	범용	1MHz	20 NA	500 µV	3 v	18 v
	TS34118CS28	1.3943	RFQ		2503	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		스피커폰	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	증폭기							28-SOP	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TS34118CS28TR			3,000
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	TS34118CS28 RDG	1.5267	RFQ		3340	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		스피커폰	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	증폭기		TS34118					28-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,500
	TS321CX5	0.1883	RFQ		1280	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인													-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-ts321cx5tr			12,000
	TS103CS RLG	-	RFQ		6132	0.00000000	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS103	500µA (x2 채널)	-	2		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.5V/µs	40 MA	범용	1MHz	20 NA	500 µV	3 v	18 v

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