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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
RC4559PE4	0.5480	RFQ	1898	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				3.3ma	아니요	2		8-PDIP	-	Rohs3 준수			296-RC4559PE4	귀 99	8542.33.0001	50		2V/µs			범용	4 MHz	40 Na	2 MV	10 v	30 v
LA47503	2.0800	RFQ	270	Sanyo	*	대부분	활동적인													다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-LA47503-600057			1
opa4684idr	5.0100	RFQ	2232	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4684	1.7ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		780V/µs	95MHz	160 MA	현재 현재	1.9GHz	5 µA	1.5 MV	2.8 v	12 v
ltc6405iud#pbf	11.4500	RFQ	72	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인		데이터 데이터	표면 표면	16-wfqfn q 패드	ADC 드라이버		LTC6405					16-QFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	121
LT1013CN8#PBF	6.9100	RFQ	3050	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LT1013	350µa (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.4V/µs		20 MA	범용	1MHz	15 na	60 µV	4 v	44 v
5962-945301M2A	29.6300	RFQ	343	해리스 해리스	군사, MIL-STD-883	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	20-Clcc				-	-	4		20-CLCC (8.89x8.89)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1		0.75V/µs		15 MA	범용	3MHz	50 NA	200 µV	30 v	30 v
AD844JRZ-16-REEL7	14.1600	RFQ	431	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			AD844	6.5MA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		2000V/µs	60MHz	80 MA	현재 현재		200 NA	50 µV	9 v	36 v
OP07CP	1.7100	RFQ	908	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OP07	-	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.3V/µs			범용	600 kHz	1.8 NA	60 µV	6 v	36 v
ATIA202KY	81.4100	RFQ	2	아날로그 아날로그, Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	38-sip, 10 ip, 오프셋 리드				5MA	-	1		10-sip	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		4022-ATIA202KY	귀 99	8542.33.0000	1		-	100 kHz	400 µA	격리		30 PA		13.5 v	16.5 v
MAX4024ESD+T	-	RFQ	1920	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		2 : 1 증폭기 멀티플렉서	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4024	25 MA	-	3		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	4.5V ~ 11V, ± 2.25V ~ 5.5V	360V/µs	200MHz
TDF8590th/N1T/S23J	-	RFQ	5657	NXP USA Inc.	TDF	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-BSOP (0.433 ", 11.00mm 너비) 노출 패드	d. d	-			1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		± 14V ~ 29V	24 시간	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	568-TDF8590th/N1T/S23JTR	쓸모없는		500											160w x 1 @ 8ohm; 80w x 2 @ 4ohm
PM208Z	1.5600	RFQ	2	아날로그 아날로그 Inc.	-	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				300µA	-	1		8-cerdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		-			범용		800 PA	700 µV	6 v	40 v
TLE2064CDRG4	-	RFQ	3133	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2064	1.25MA (x4 채널)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	900 µV	7 v	36 v
lia101ptr	-	RFQ	2101	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		데이터 데이터	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	격리							16-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.49.8000	1,000
AD844ANZ	15.5800	RFQ	152	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			AD844	6.5MA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		2000V/µs	60MHz	80 MA	현재 현재		200 PA	50 µV	9 v	36 v
LT1058SW#PBF	14.4900	RFQ	9628	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			LT1058	1.7ma (x4 ()	-	4		16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	47		13V/µs			J-FET	5 MHz	10 PA	350 µV	20 v	36 v
MCP6043T-I/SN	0.6750	RFQ	4086	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MCP6043	600NA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,300		0.003V/µs		20 MA	범용	14 kHz	1 PA	3 MV	1.4 v	6 v
MAX98374EFF+	-	RFQ	4425	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	22-powerufqfn	d. d	-	MAX98374		1 채널 (모노)		5.5V ~ 16V	22-FC2QFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max98374eff+	귀 99	8542.33.0001	100											12.5W x 1 @ 4ohm
ADA4899-1YCPZ-R2	-	RFQ	8831	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-WFDFN d 패드 패드, CSP			ADA4899	14.7ma	-	1		8-LFCSP (3x3)	다운로드		3 (168 시간)			귀 99	8542.33.0001	250		310V/µs	600MHz	200 MA	전압 전압		6 µA	35 µV	4.5 v	12 v
MCP619-I/P	2.3100	RFQ	16	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			MCP619	19µa (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MCP619-I/P-NDR	귀 99	8542.33.0001	30		0.08V/µs		17 MA	CMOS	190 kHz	5 na	150 µV	2.3 v	5.5 v
LA4425F-E	-	RFQ	4600	온세미	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	5-sip	AB	Depop, 단락, 과전압, 열 보호	LA4425		1 채널 (모노)		5V ~ 16V	5- 시프	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50											6W x 1 @ 4ohm
TLE2082ACP	4.2700	RFQ	1420	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLE2082	3.1ma (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		40V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	700 µV	4.5 v	38 v
LMV710IDBVRG4	-	RFQ	4965	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV710	1.17ma	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		5V/µs			범용	5 MHz	4 PA	400 µV	2.7 v	5.5 v
TLV9154QPWRQ1	1.6500	RFQ	2094	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				560µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000		21V/µs		75 MA	범용	4.5MHz	10 PA	125 µV	2.7 v	16 v
TL071CPG4	-	RFQ	5766	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TL071	1.4ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
INA2128UA/1K	12.3300	RFQ	3773	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			INA2128	1.4ma (x2 ()	-	2		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단	200 kHz	2 NA	10 µV	4.5 v	36 v
INA128HD	-	RFQ	6213	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA128	700µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단		2 NA	25 µV	4.5 v	36 v
UPC1663GV-A	-	RFQ	6460	셀	-	대부분	쓸모없는		미분	표면 표면	8-SSOP (0.126 ", 3.20mm 너비)			UPC1663	13 MA	미분	1		도 8-	-		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1	-	-	700MHz	20 MA
lmp7716mm/nopb	2.9400	RFQ	3	텍사스 텍사스	LMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMP7716	1.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		11.5V/µs		66 MA	범용	17 MHz	0.1 PA	10 µV	1.8 v	5.5 v
LM4923LQ/NOPB	1.7000	RFQ	8768	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-wqfn n 패드	AB	Depop, 입력 차동, 셧다운, 열 보호	LM4923		1 채널 (모노)		2.4V ~ 5.5V	8-WQFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000											1.1W x 1 @ 8ohm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²