RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
ina111au/1k	8.2995	RFQ	9249	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			INA111	3.3ma	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		17V/µs	2 MHz	30 MA	수단		2 PA	200 µV	12 v	36 v
LM49250RLX/NOPB	2.3900	RFQ	1	텍사스 텍사스	BOOMER®, PowerWise®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	36-WFBGA, DSBGA	d. d	3d, Depop, dep 입력 입력, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어 제어	LM49250		모노 모노 모노 및 및 2 채널 (스테레오)		2.7V ~ 5.5V	36-DSBGA (3.5x3.24)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000											2.43wx 2 @ 4ohm; 170mw x 1 @ 32ohm
TLC272ACD	1.8200	RFQ	572	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC272	1.9ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	900 µV	3 v	16 v
MAX3945AETE+	-	RFQ	5582	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는		광학 광학	표면 표면	16-wfqfn q 패드	증폭기 증폭기		최대 394					16-TQFN (3x3)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	100
TAS5631PHD	21.0616	RFQ	2931	텍사스 텍사스	PurePath ™ HD	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	64-tqfp q 패드	d. d	Depop, 입력 디지털, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TAS5631		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		25V ~ 52.5V	64-HTQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	5A (24 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90											600W x 1 @ 2ohm; 300W x 2 @ 4ohm
TS27L4ACDT	-	RFQ	8340	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS27L4	10µa (x4 ()	-	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.04V/µs		45 MA	CMOS	100 kHz	1 PA	900 µV	3 v	16 v
TLE2081CP	2.8300	RFQ	43	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLE2081	1.7ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v
OPA2353EA/2K5	5.1700	RFQ	2	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2353	5.2MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		22V/µs		40 MA	CMOS	44 MHz	0.5 PA	3 MV	2.5 v	5.5 v
LT1999MPMS8-20F#TRPBF	8.7150	RFQ	9494	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LT1999	5.8ma	-	1		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		3V/µs	2 MHz	40 MA	현재의 현재의		137.5 µA	500 µV	4.5 v	5.5 v
TS27M2AMD	-	RFQ	3658	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS27M2	150µa (x2 채널)	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		0.6V/µs		45 MA	CMOS	1MHz	1 PA	900 µV	3 v	16 v
TAS5602DCAR	3.1950	RFQ	9159	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	디지털 pwm m, 단락 및 열 보호	TAS5602		2 또는 (스테레오) 또는 4 채널 (쿼드 쿼드)		10V ~ 26V	56-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000											20W x 2 @ 8ohm; 19W x 4 @ 4ohm
TAS5755MDFD	5.5600	RFQ	140	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	56-powertssop (0.240 ", 6.10mm 너비)	d. d	단락 단락 열 및	TAS5755		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		3V ~ 3.6V	56-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	35
LM101AH	14.5600	RFQ	118	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔				1.8ma	-	1		To-99-8	다운로드					귀 99	8542.33.0001	21		0.5V/µs			범용	1MHz	30 na	700 µV	10 v	44 v
NCV21912DMR2G	3.9100	RFQ	16	온세미	자동차, AEC-Q100, 제로 드리프트	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			NCV21912	475µA	철도 철도 레일	2		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000		1.6V/µs		18 MA	제로 제로	2 MHz	100 PA	1 µV	4 v	36 v
MCP6H82T-E/SN	-	RFQ	1814	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MCP6H82	700µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,300		5V/µs		55 MA	범용	5.5MHz	10 PA	1 MV	3.5 v	12 v
TLC27M2AMJGB	5.8000	RFQ	1	텍사스 텍사스	Lincmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				285µA (x2 채널)	-	2		8-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		0.62V/µs		30 MA	CMOS	635 kHz	0.7 PA	900 µV	4 v	16 v
TLC2252AQPWRG4Q1	1.3665	RFQ	4024	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC2252	80µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		0.12V/µs		50 MA	범용	210 kHz	1 PA	200 µV	4.4 v	16 v
AD8031BRZ	8.0700	RFQ	417	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8031	900µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98		35V/µs	80MHz	15 MA	전압 전압		450 NA	500 µV	2.7 v	12 v
ISL59112IEZ-T7	-	RFQ	1165	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		완충기	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			ISL59112	2 MA	철도 철도 레일	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	2.5V ~ 3.6V	85V/µs	40MHz	115 MA
AD829SE/883B	-	RFQ	9214	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인		범용	표면 표면	20-Clcc			AD829	5.3 MA	-	2		20-CLCC (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	± 4.5V ~ 18V	230V/µs		32 MA
lt6109hms-1#trpbf	6.3100	RFQ	7437	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		현재 현재, 감지 관리	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	증폭기, 참조, 비교기		LT6109					10-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500
ADA4860-1YRJZ-RL	-	RFQ	4630	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	SOT-23-6			ADA4860	6MA	-	1		SOT-23-6	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	10,000		980V/µs	520MHz	85 MA	현재 현재		1.5 µA	3.5 MV	5 v	12 v
LM1875T/S7002160	-	RFQ	2811	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-220-5 5 된 리드	AB	-			1 채널 (모노)			TO-220-5	-	Rohs3 준수			296-LM1875T/S7002160			1											25W x 1 @ 8ohm
MCP6497-E/MS	0.8100	RFQ	5276	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				2MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-MSOP	다운로드		2 (1 년)		150-MCP6497-E/MS			100		40V/µs		55 MA	범용	30MHz	1 PA	1.6 MV	1.8 v	5.5 v
CLC2023ISO8	-	RFQ	9537	Maxlinear, Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1.85MA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	98		12V/µs	25MHz	60 MA	전압 전압	55MHz	340 NA	880 µV	2.5 v	12 v
MC4558IPT	-	RFQ	3714	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MC4558	2.3ma	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000		2.2V/µs		20 MA	범용	5.5MHz	50 NA	1 MV	4 v	40 v
OPA2830IDRG4	-	RFQ	4455	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2830	8.5MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		560V/µs	290MHz	82 MA	전압 전압	100MHz	5 µA	1.5 MV	2.8 v	11 v
ALD2722SBL	12.7073	RFQ	7600	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			ALD2722	2MA	철도 철도 레일	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	56		2.8V/µs		8 MA	CMOS	1.7 MHz	0.01 PA	40 µV	4 v	10 v
OPA2316SQDGSRQ1	-	RFQ	2931	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				400µA (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		10-VSSOP	-	Rohs3 준수	2 (1 년)		296-OPA2316SQDGSRQ1			1		6V/µs		50 MA	CMOS	10MHz	5 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
TSV912AIST	1.7100	RFQ	1005	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			TSV912	780µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8- 미소	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000		4.5V/µs		35 MA	범용	8 MHz	1 PA	1.5 MV	2.5 v	5.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²