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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
THS4151IDGNR	13.5100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4151	17.5MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		650V/µs	150MHz	85 MA	미분	340MHz	4.3 µA	1.1 MV	4 v	33 v
EL8100ISZ-T13	-	RFQ	8725	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL8100	2MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		200V/µs	200MHz	65 MA	전압 전압	100MHz	1.5 µA	800 µV	3 v	5 v
AD8057ARZ- 릴	-	RFQ	4182	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8057	6MA	-	1		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,500		1150V/µs	325MHz		전압 전압		500 NA	1 MV	3 v	12 v
OPA627SM	112.6700	RFQ	6181	텍사스 텍사스	difet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			OPA627	7ma	-	1		To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	20		55V/µs		45 MA	범용	16MHz	1 PA	40 µV	9 v	36 v
TSV6192AID	-	RFQ	9849	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TSV6192	10.5µA	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		0.08V/µs		63 MA	CMOS	450 kHz	1 PA	800 µV	1.5 v	5.5 v
OPA2244UA	3.0800	RFQ	8253	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2244	40µa (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.1V/µs		25 MA	범용	430kHz	10 na	700 µV	2.2 v	36 v
LMH6655MMX/NOPB	1.8525	RFQ	9982	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMH6655	4.5MA (x2 ()	-	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500		200V/µs		120 MA	전압 전압	260MHz	5 µA	1 MV	4.5 v	12 v
LM833DR	1.1800	RFQ	12	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM833	2.05MA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		7V/µs		37 MA	오디오	16MHz	300 NA	150 µV	10 v	36 v
TC75S60FU (TE85L, F)	0.2987	RFQ	4512	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			TC75S60	330µA	-	1		5-SSOP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000		5.1V/µs		1.25 MA	범용		1 PA	2 MV	1.8 v	7 v
MAX414BCPD	-	RFQ	2540	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			MAX414	2.5MA (x4 ()	-	4		14-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		4.5V/µs		35 MA	범용	28 MHz	80 NA	150 µV	4.8 v	10.5 v
LMC660CMX/ELLD734	-	RFQ	3747	텍사스 텍사스	LMC®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC660	1.5MA (x4 ()	푸시 푸시, 풀 투 레일	4		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,500		1.1V/µs		40 MA	CMOS	1.4 MHz	0.002 PA	1 MV	4.75 v	15.5 v
INA214CIDCKR	1.3100	RFQ	23	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA214	65µA	-	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.4V/µs			현재의 현재의	30 kHz	28 µA	1 µV	2.7 v	26 v
AD795JRZ-REEL	7.5000	RFQ	8794	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD795	1.3ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1V/µs	1.6 MHz	10 MA	J-FET		1 PA	100 µV	8 v	36 v
op07csz	2.3100	RFQ	13	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OP07	-	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98		0.3V/µs	600 kHz		범용		1.8 NA	60 µV	6 v	36 v
ADA4859-3ACPZ-R2	-	RFQ	2904	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		현재 현재	표면 표면	16-vqfn q 패드, csp			ADA4859	17 MA	-	3		16-LFCSP-VQ (4x4)	다운로드		3 (168 시간)			귀 99	8542.33.0001	250	3V ~ 5.5V	740V/µs	265 MHz	19 MA
5962R8771003VPA	-	RFQ	6384	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수			296-5962R8771003VPA			1
Max4162euk.c60326	-	RFQ	6159	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753				25µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1		0.115V/µs		15 MA	범용	200 kHz	1 PA	500 µV	2.5 v	10 v
Max473esa	-	RFQ	3511	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX473	2MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		17V/µs			범용	12MHz	80 NA	700 µV	2.7 v	5.25 v
TLC27M7IP	4.1133	RFQ	5749	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC27M7	285µA (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.62V/µs		30 MA	CMOS	635 kHz	0.7 PA	190 µV	4 v	16 v
MAX4131EBT+	1.4600	RFQ	284	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	6-WFBGA, CSPBGA				1MA	철도 철도 레일	1		6-UCSP (1.57x1.05)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		4V/µs		50 MA	범용	10MHz	50 NA	350 µV	2.7 v	6.5 v
ICL7614DCPA-2	-	RFQ	7683	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				1MA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		1.6V/µs			CMOS	1.4 MHz	1 PA	15 MV	2 v	16 v
MCP6031T-E/OT	0.9900	RFQ	59	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			MCP6031	900NA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.004V/µs			범용	10 kHz	1 PA	150 µV	1.8 v	5.5 v
TSV712IQ2T	2.8700	RFQ	1679	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-WFDFN			TSV712	10µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.06V/µs		56 MA	CMOS	150 kHz	1 PA	200 µV	1.5 v	5.5 v
ina331aidgkr	2.5200	RFQ	2959	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA331	415µA	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		5V/µs	2 MHz	48 MA	수단		0.5 PA	250 µV	2.5 v	5.5 v
SY88923AVKG-TR	8.0560	RFQ	5615	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		광학 광학	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	포스트 포스트 제한		SY88923					10-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000
LMV324IPWRQ1	-	RFQ	1923	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LMV324	410µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		1V/µs		160 MA	범용	1MHz	15 na	1.7 MV	2.7 v	5.5 v
TL081ACDE4	0.5500	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL081	1.4ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		13V/µs			J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	7 v	36 v
LT1999MPMS8-50F#TRPBF	8.7150	RFQ	1274	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LT1999	5.8ma	-	1		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		3V/µs	1.2 MHz	40 MA	현재의 현재의		137.5 µA	500 µV	4.5 v	5.5 v
MAX9760ETI+	-	RFQ	3431	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-wfqfn q 패드	AB	Depop, i²c, 입력 멀티플렉서, 음소거, 셧다운, 열 보호	MAX9760		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	28-TQFN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	60											3W x 2 @ 3ohm; 200MW X 2 @ 16ohm
LM2904DE4	-	RFQ	6301	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM2904	500µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	26 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²