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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) load
5962-9088201MPA Texas Instruments 5962-9088201MPA -
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ECAD 2027 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-9088201MPA 1
TLV2465AIPW Texas Instruments TLV2465AIPW 1.2500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 550µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 16-TSSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1 1.6V/µs 80 MA 범용 6.4 MHz 1.3 NA 500 µV 2.7 v 6 v
RT9134GQV Richtek USA Inc. RT9134GQV 0.6700
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ECAD 1 0.00000000 Richtek USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 500µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 16-VQFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,500 12V/µs 12MHz 35 MA 범용 5 MHz 2 NA 2 MV 4.5 v 15 v
LM2904DRCT Texas Instruments LM2904DRCT -
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ECAD 7574 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 500µA (x2 채널) 푸시 푸시, 풀 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 296-LM2904DRCT2 1 0.3V/µs 40 MA 범용 700 kHz 20 NA 3 MV 3 v 26 v
LT1639IN#PBF Linear Technology lt1639in#pbf -
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ECAD 2106 0.00000000 선형 선형 LT® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 205µA (x4 채널) 푸시 푸시, 풀 투 레일 4 14-PDIP - 2156-lt1639in#pbf 1 0.4V/µs 40 MA 범용 1.2 MHz 20 NA 350 µV 2.5 v 44 v
LMC6482AIMX/NAK2 Texas Instruments LMC6482AIMX/NAK2 -
RFQ
ECAD 1564 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 1.3ma (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.33.0001 2,500 1.3V/µs 30 MA CMOS 1.5MHz 0.02 PA 110 µV 3 v 15.5 v
OPA828IDGNT Texas Instruments opa828idgnt 8.3900
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ECAD 215 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-powertssop, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 5.5MA 아니요 1 8-HVSSOP - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250 150V/µs 30 MA J-FET 45MHz 0.2 PA 25 µV 8 v 36 v
TLP7820(A-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (A-TP4, e -
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ECAD 7407 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 현재 현재, 감지 관리 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 격리 TLP7820 도 8- 다운로드 1 (무제한) 264-TLP7820 (A-TP4etr 귀 99 8542.33.0001 1,500
TS944IPT STMicroelectronics TS944IPT 2.9400
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ECAD 7 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TS944 1.2µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.0045V/µs 5 MA 범용 10 kHz 1 PA 10 MV 2.5 v 10 v
SI8931D-AS4R Skyworks Solutions Inc. SI8931D-AS4R 4.9500
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ECAD 2573 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 분리 분리 전압 된 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 증폭기 8-SOIC 다운로드 2A (4 주) 863-SI8931D-AS4RTR 1,250
STPA008-ZST STMicroelectronics STPA008-ZST 6.6147
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ECAD 5879 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 36-powerbssop (0.433 ", 11.00mm 너비) AB - 4 채널 (쿼드) 6V ~ 18V PowerSo-36 EPU - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STPA008-ZST 600 50W x 4 @ 4ohm
TLE2072CP Texas Instruments TLE2072CP 4.9000
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ECAD 374 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLE2072 3.1ma (x2 () - 2 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 45V/µs 48 MA J-FET 10MHz 1 PA 300 µV 4.5 v 38 v
LF353N/NOPB Texas Instruments LF353N/NOPB 1.2300
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ECAD 8000 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) LF353 3.6ma (x2 () - 2 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 40 13V/µs J-FET 4 MHz 50 PA 5 MV 10 v 36 v
ISL28207FUZ-T7 Renesas Electronics America Inc ISL28207FUZ-T7 -
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ECAD 4772 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ISL28207 210µA (x2 채널) - 2 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 0.32V/µs 40 MA 범용 1MHz 15 PA 5 µV 4.5 v 40 v
AD8131ARZ-REEL7 Analog Devices Inc. AD8131ARZ-REEL7 6.8000
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ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AD8131 11.5MA 미분 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 2000V/µs 400MHz 60 MA 미분 500 NA 1.5 MV 2.8 v 11 v
VCA2615PFBT Texas Instruments VCA2615PFBT -
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ECAD 7362 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TQFP VCA2615 - 미분 2 48-TQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250 100V/µs 50MHz 60 MA 가변 가변 42 MHz 4.75 v 5.25 v
OP64FJ Analog Devices Inc. op64fj 4.1700
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ECAD 84 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-99-8 9 캔 6.2MA - 1 To-99 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 170V/µs 2.7 MHz 80 MA 범용 80MHz 400 NA 800 µV 10 v 36 v
LM324DRE4 Texas Instruments LM324DRE4 -
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM324 1.4ma (x4 () - 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.5V/µs 30 MA 범용 1.2 MHz 20 NA 3 MV 3 v 30 v
LMC6001BIN Texas Instruments LMC6001BIN -
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) LMC6001 550µA 철도 철도 레일 1 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 40 1.5V/µs 34 MA 범용 1.3 MHz 0.01 PA 1 MV 4.5 v 15.5 v
THS4503IDGN Texas Instruments ths4503idgn 13.3900
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ECAD 128 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 THS4503 23MA 미분 1 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 80 2800V/µs 370MHz 120 MA 미분 300MHz 4 µA 1 MV 4.5 v 15 v
MAX4275AOESA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4275AOESA -
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ECAD 8945 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 GainAMP ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX4275 355µa (x2 채널) 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 0.7V/µs 640 kHz 65 MA 범용 2 MHz 50 PA 500 µV 2.5 v 5.5 v
TL032CP Texas Instruments TL032CP 0.9200
RFQ
ECAD 411 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TL032 422µA (x2 채널) - 2 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 5.1V/µs 40 MA J-FET 1.1 MHz 2 PA 570 µV 10 v 30 v
TLV2463QD Texas Instruments TLV2463QD -
RFQ
ECAD 4182 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLV246 550µa (x2 채널) 철도 철도 레일 2 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 1.6V/µs 80 MA 범용 6.4 MHz 1.3 NA 500 µV 2.7 v 6 v
TS514ID STMicroelectronics TS514ID -
RFQ
ECAD 4508 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TS514 500µA - 4 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 1.5V/µs 23 MA 범용 3MHz 50 NA 500 µV 6 v 30 v
LT6372IMSE-1#TRPBF Analog Devices Inc. lt6372mise-1#trpbf 6.3300
RFQ
ECAD 1679 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-TFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LT6372 2.75MA - 1 16-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 161-lt6372imse-1#trpbftr 귀 99 8542.33.0001 2,500 11V/µs 3.1 MHz 55 MA 수단 100 PA 10 µV 4.75 v 35 v
TL3474AIDRE4 Texas Instruments TL3474AIDRE4 -
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ECAD 4642 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TL3474 3.5MA (x4 () - 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 13V/µs 34 MA 범용 4 MHz 100 NA 1 MV 4 v 36 v
MAX406BCSA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX406BCSA+ 6.4300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 406 1µA 철도 철도 레일 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max406bcsa+ 귀 99 8542.33.0001 100 0.005V/µs 범용 8 kHz 0.1 PA 750 µV 2.5 v 10 v
OPA2683IDR Texas Instruments opa2683idr -
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ECAD 8766 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OPA268 1.88ma (x2 채널) 미분 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 540V/µs 150 MA 현재 현재 200MHz 3 µA 1.5 MV 5 v 12 v
LM7171BIMX/NOPB Texas Instruments LM7171BIMX/NOPB 3.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 VIP ™ III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM7171 6.5MA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 4100V/µs 220MHz 118 MA 전압 전압 200MHz 2.7 µA 200 µV 5.5 v 36 v
EL5250IY-T7 Renesas Electronics America Inc EL5250IY-T7 -
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Renesas Electronics America Inc EL5250 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) EL5250 1.35MA (x2 채널) - 2 10-MSOP 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,500 100V/µs 200MHz 70 MA 전압 전압 40MHz 20 NA 500 µV 5 v 12 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고