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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TAS5132DDVG4	-	RFQ	9417	텍사스 텍사스	PurePath Digital ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	44-powertssop (0.244 ", 6.20mm 너비)	d. d	디지털 디지털, 입력 및 열 열 보호, 종료	TAS5132		2 채널 (스테레오)		10.8V ~ 13.2v	44-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	35											26W x 2 @ 6ohm
EL2480C	5.3600	RFQ	1	엘란 엘란	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				3MA (x4 4)	-	4		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		1200V/µs	250MHz	55 MA	현재 현재			2.5 MV	3 v	12 v
log112aidr	12.0435	RFQ	3021	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-5 ° C ~ 75 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			로그 112	1.25MA	-	1		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.5V/µs	45 kHz		로그 로그 로그 및	1.4 MHz	5 PA	300 µV	9 v	36 v
EL5108IW-T7	-	RFQ	7146	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6			EL5108	3.7ma	-	1		6 소트	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		4500V/µs	450MHz	135 MA	범용		2 µA	3 MV	5 v	12 v
Max4465exk	1.4200	RFQ	7	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	AB	-			1 채널 (모노)		2.4V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1											-
LMH6723MFX	1.8780	RFQ	2061	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMH6723	1MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		600V/µs	370MHz	110 MA	현재 현재		2 µA	1 MV	4.5 v	12 v
MAX4451ESA+	4.4300	RFQ	5649	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4451	6.5MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max4451esa+	귀 99	8542.33.0001	100		485V/µs	210MHz	70 MA	전압 전압	175 MHz	6.5 µA	4 MV	4.5 v	11 v
TS272IDT	1.5200	RFQ	4	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS272	1MA (x2 2)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		5.5V/µs		45 MA	CMOS	3.5MHz	1 PA	1.1 MV	3 v	16 v
lt1638ims8#tr	-	RFQ	2743	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				205µA	철도 철도 레일	2		8-MSOP	-		1 (무제한)		161-lt1638ims8#tr	귀 99	8542.33.0001	2,500		0.4V/µs		40 MA	범용	1.2 MHz	20 NA	400 µV	2.5 v	44 v
AD711KRZ	9.0100	RFQ	292	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD711	2.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98		20V/µs	4 MHz	25 MA	J-FET		15 PA	200 µV	9 v	36 v
TLC254CD	5.0642	RFQ	2624	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC254	2.7ma (x4 ()	열린 열린	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		4.5V/µs			CMOS	2.2 MHz	0.6 PA	1.1 MV	1.4 v	16 v
EL5251IY-T13	-	RFQ	7634	Renesas Electronics America Inc	EL5251	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			EL5251	1.35MA (x2 채널)	-	2		8-MSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		100V/µs	200MHz	70 MA	전압 전압	40MHz	20 NA	500 µV	5 v	12 v
HCPL-7840-300E	7.0800	RFQ	4	Broadcom Limited	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개			HCPL-7840	10.86MA	미분	1		8-DIP 날개 갈매기	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		-	100 kHz	15.5 MA	격리		500 NA	300 µV	4.5 v	5.5 v
THS7303PW	5.6500	RFQ	120	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		2 : 1 증폭기 멀티플렉서	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			THS7303	18.9 MA	철도 철도 레일	3		20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	70	2.6V ~ 5.5V	320V/µs	190 MHz	85 MA
BA4580YFVM-MGTR	0.6200	RFQ	5	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)			BA4580	6MA	-	2		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		5V/µs			범용	10MHz	100 NA	300 µV	4 v	32 v
MAX3518ETP+T	2.5200	RFQ	4636	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		catv	표면 표면	20-wqfn n 패드	가변 가변 증폭기		MAX3518					20-TQFN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500
ISL28635FVZ-T13	4.5591	RFQ	8159	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			ISL28635	3MA	철도 철도 레일	1		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.8V/µs		45 MA	제로 제로	2.3 MHz	50 PA	0.2 µV	2.5 v	5.5 v
TLE2081IDR	1.4595	RFQ	5725	텍사스 텍사스	Excalibur ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2081	1.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v
MAX4196ESA+T	3.5400	RFQ	6738	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4196	93µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.06V/µs	34 kHz	4.5 MA	수단		6 Na	100 µV	2.7 v	7.5 v
CGD1044,112	-	RFQ	5365	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		catv	섀시 섀시	SOT-115J			CGD10		-	1		SOT115J	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	-	-
SY88983VMG-TR	-	RFQ	5132	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		광학 광학	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드	포스트 포스트 제한		SY88983					16-MLF® (3x3)	-	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000
opa2364aid	3.5100	RFQ	548	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2364	1.1ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		5V/µs		85 MA	CMOS	7 MHz	1 PA	1 MV	1.8 v	5.5 v
LM1279AN	-	RFQ	1527	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		범용	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM1279	80 MA	-	3		20-PDIP	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*LM1279AN	귀 99	8542.33.0001	18	7.5V ~ 8.5V	-	110MHz	28 MA
AD8202YRMZ	5.4500	RFQ	232	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			AD8202	250µA	-	1		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.28V/µs			미분	50 kHz	40 Na	2 MV	3.5 v	12 v
OPA2343EA/250	3.4100	RFQ	7316	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2343	850µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		6V/µs		50 MA	CMOS	5.5MHz	0.2 PA	2 MV	2.5 v	5.5 v
EL5178IYZ-T13	-	RFQ	6196	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			EL5178	12.5MA	미분	1		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		850V/µs	700MHz		미분	350MHz	14 µA	1.9 MV	4.75 v	11 v
OP481GS-REEL	-	RFQ	8545	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OP481	3.3µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,500		0.028V/µs		12 MA	범용	105 kHz	3 NA	100 µV	2.7 v	12 v
OPA2251UA	6.4900	RFQ	6021	텍사스 텍사스	마이크로 마이크로 ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2251	27µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.01V/µs		50 MA	범용	35 kHz	20 NA	100 µV	2.7 v	36 v
TDA7385H	5.9268	RFQ	2085	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-		구멍을 구멍을	25-Flexiwatt (형성 된 리드 리드)	AB	음소거, 및 단락 열 보호 보호, 대기	TDA7385		4 채널 (쿼드)		8V ~ 18V	25-Flexiwatt (수직)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	17											37W x 4 @ 4ohm
LM747H	-	RFQ	4355	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	100-10 캔 금속			LM747	-	-	2		100-10	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*LM747H	귀 99	8542.33.0001	500		0.2V/µs		50 MA	범용	250 kHz	500 NA	5 MV	44 v	44 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²