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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
opa726aidgktg4	-	RFQ	4224	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA726	4.3ma	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		30V/µs		40 MA	범용	20MHz	30 PA	1.2 MV	4 v	12 v
TLE2071IDG4	-	RFQ	3542	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2071	1.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v
MP7720DS-LF	-	RFQ	3876	Monolithic Power Systems Inc.	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	d. d	Depop, 단락, 음소거 및 열 보호 보호, 종료			1 채널 (모노)		-	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100											20W x 1 @ 4ohm
TDA75610LVPDTR	8.1148	RFQ	5333	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	PowerSo-36 6 된 상단 패드	AB	음소거, 대기	TDA75610		4 채널 (쿼드)		6V ~ 18V	PowerSo-36	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	600											45W x 4 @ 4ohm
LMV712BL	-	RFQ	5756	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	10-WFBGA, DSBGA			LMV712	1.17ma (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-DSBGA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		5V/µs		50 MA	범용	5 MHz	5.5 PA	400 µV	2.7 v	5.5 v
LT1806CS8#TRPBF	3.9750	RFQ	7702	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1806	11ma	철도 철도 레일	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		140V/µs			범용	325MHz	5 µA	100 µV	2.5 v	12.6 v
RC6333MT	3.0400	RFQ	27	페어차일드 페어차일드	페어차일드 페어차일드	대부분	활동적인		동영상	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				26 MA	-	3		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	4.75V ~ 5.25V	250V/µs	175 MHz	35 MA
EL5172IY	-	RFQ	5321	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			EL5172	5.6MA	-	1		8-MSOP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		800V/µs	250MHz	95 MA	미분	100MHz	6 µA	7 MV	4.75 v	11 v
TDA7294HS	11.5000	RFQ	4	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	Multiwatt-15 (수평, 구부러진 및 및 비틀 거리는 리드)	AB	데포, 단락, 음소거 및 열 보호 보호, 대기	TDA7294		1 채널 (모노)		± 10V ~ 40V	15-Multiwatt	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-8882-5	귀 99	8542.33.0001	25											100W x 1 @ 8ohm
AD8032ARZ-REEL7	6.4000	RFQ	3	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8032	900µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		35V/µs	80MHz	15 MA	전압 전압		450 NA	1 MV	2.7 v	12 v
OPA404KPG4	16.8300	RFQ	45	버 버	difet®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				9MA (x4 4)	-	4		14-PDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1		35V/µs		10 MA	범용	6.4 MHz	1 PA	260 µV	10 v	36 v
TLC25M4ACD	-	RFQ	9867	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC25M4	2.7ma (x4 ()	열린 열린	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.6V/µs			CMOS	1.7 MHz	0.6 PA	900 µV	1.4 v	16 v
AD8676ARMZ	5.9600	RFQ	6404	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			AD8676	2.7ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		2.5V/µs		20 MA	범용	10MHz	2 NA	12 µV	10 v	36 v
AD817ARZ-REEL7	5.9800	RFQ	1	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD817	7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	750		350V/µs	50MHz	50 MA	범용	50MHz	3.3 µA	500 µV	5 v	36 v
ADA4310-1ACPZ-RL	-	RFQ	4630	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-wqfn n 패드, csp			ADA4310	7.6MA (x2 ()	-	2		16-LFCSP (4x4)	다운로드		3 (168 시간)			귀 99	8542.33.0001	5,000		820V/µs	190 MHz		현재 현재		6 µA	1 MV	5 v	12 v
MAX9917EUB+	2.6300	RFQ	4354	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			MAX9917	40µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		10- 핵/USOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max9917eub+	귀 99	8542.33.0001	50		0.5V/µs		15 MA	범용	1MHz	1 PA	200 µV	1.8 v	5.5 v
MAX44267AUD+	7.9000	RFQ	58	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MAX44267	2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max44267aud+	귀 99	8542.33.0001	96		3V/µs		36 MA	범용	5 MHz	500 PA	4 µV	9 v	30 v
LPV358DGKRG4	-	RFQ	5292	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LPV358	15µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.1V/µs		72 MA	범용	237 kHz	2 NA	1.5 MV	2.7 v	5 v
OP113FSZ-REEL	3.8850	RFQ	5959	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OP113	3MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.2V/µs		40 MA	범용	3.4 MHz	240 NA	150 µV	4 v	36 v
LT1007IS8	-	RFQ	8536	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1007	-	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		2.5V/µs			범용	8 MHz	15 na	20 µV	8 v	36 v
AD8510ARZ- 릴	3.8500	RFQ	7	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8510	2.2MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		20V/µs		70 MA	J-FET	8 MHz	25 PA	100 µV	9 v	36 v
lpv358iddur	-	RFQ	5779	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)			LPV358	15µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.1V/µs		72 MA	범용	237 kHz	2 NA	1.5 MV	2.7 v	5 v
BA14741F-E2	1.6300	RFQ	1	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)			BA14741	3MA	-	4		14-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1V/µs		20 MA	범용	2 MHz	60 NA	1 MV	4 v	36 v
EL8102IS	-	RFQ	5384	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL8102	5.6MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	97		600V/µs	500MHz	65 MA	전압 전압	200MHz	6 µA	800 µV	3 v	5 v
SY88893VKG-TR	-	RFQ	8646	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		광학 광학	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	포스트 포스트 제한		SY88893					10-MSOP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000
TSC101BIYLT	1.4900	RFQ	5347	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TSC101	165µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.9V/µs	670 kHz	60 MA	현재의 현재의		5.5 µA	200 µV	4 v	24 v
CA3130E	-	RFQ	8052	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			CA3130	10MA	-	1		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	CA3130	귀 99	8542.33.0001	50		30V/µs		45 MA	범용	15MHz	5 PA	8 MV	5 v	16 v
LT1001CS8#TRPBF	6.3500	RFQ	5	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1001	-	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.25V/µs			범용	800 kHz	700 PA	18 µV	6 v	36 v
MCP652T-E/MF	2.4150	RFQ	6698	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-vdfn d 패드			MCP652	6MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,300		30V/µs		100 MA	범용	50MHz	6 PA	200 µV	2.5 v	5.5 v
PAM8902KER	-	RFQ	6080	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-wqfn n 패드	d. d	단락 단락 열 및			1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	16-QFN (4x4)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000											-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²