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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
opa2170aidsgt	1.8000	RFQ	21	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			OPA2170	110µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-wson (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		0.4V/µs		20 MA	범용	1.2 MHz	8 PA	250 µV	2.7 v	36 v
LT1801CS8#PBF	6.6300	RFQ	7	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1801	1.6MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		25V/µs		50 MA	범용	80MHz	25 NA	75 µV	2.3 v	12.6 v
LTC6403IUD-1#PBF	6.3300	RFQ	7459	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인		데이터 데이터	표면 표면	16-wfqfn q 패드	ADC 드라이버		LTC6403					16-QFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	121
EL5167IW-T7	-	RFQ	4863	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			EL5167	8.5MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		6000V/µs	1.4GHz	200 MA	현재 현재		8.5 µA	500 µV	5 v	12 v
TS4975EIJT	2.3000	RFQ	9	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	12-UFBGA, FCBGA	AB	Depop, i²c, 대기, 열 보호, 볼륨 제어	TS4975		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		2.5V ~ 5.5V	12- 플립 칩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	5,000											40MW X 2 @ 16ohm
MAX4449ESE+	7.0000	RFQ	247	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인		운전사	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4449	46 MA	미분	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max4449ese+	귀 99	8542.39.0001	50	± 4.5V ~ 5.5V	6500V/µs	400MHz	130 MA
ISL28230CBZ	2.5300	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			ISL28230	20µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-ISL28230CBZ	귀 99	8542.33.0001	97		0.2V/µs		15 MA	범용	400 kHz	250 PA	5 µV	1.8 v	5.5 v
OPA703NA/3K	3.9700	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA703	160µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.6V/µs		10 MA	범용	1MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
MCP6071T-E/MNY	0.9900	RFQ	1403	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			MCP6071	110µA	철도 철도 레일	1		8-TDFN (2x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,300		0.5V/µs			범용	1.2 MHz	1 PA	150 µV	1.8 v	6 v
ISL28108FBZ-T7	2.1877	RFQ	3429	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			ISL28108	185µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		0.45V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	13 na	25 µV	3 v	40 v
LV4912GP-TE-LE	-	RFQ	8165	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)		표면 표면	24-wfqfn	d. d	음소거, 및 단락 열 보호 보호, 대기	LV491		1 채널 (모노)		2.7V ~ 5.5V	24-VCT (3.5x3.5)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000											2W x 1 @ 4ohm
TL2828ZD	1.5500	RFQ	708	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)				700µa (x2 채널)	-	2		도 8-	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		0.15V/µs		40 MA	범용	400 kHz	10 na	3 MV	4 v	30 v
LMH6647MAX/NOPB	0.9360	RFQ	2949	텍사스 텍사스	VIP10 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6647	725µA	푸시 푸시, 풀 투 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		22V/µs	55MHz	20 MA	전압 전압		650 NA	1 MV	2.5 v	12 v
EL5156ISZ-T13	-	RFQ	6126	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL5156	6MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		700V/µs	600MHz		전압 전압	210MHz	400 NA	500 µV	4.5 v	12 v
AD8230yrz- 릴	5.7150	RFQ	1518	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8230	3.2MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2V/µs		15 MA	제로 제로		150 PA	20 µV	8 v	16 v
THS4141IDGNR	11.0700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4141	13.2MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		450V/µs	160MHz	85 MA	미분	205 MHz	5.1 µA	1 MV	4 v	33 v
NJM3403am	-	RFQ	6122	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비)				3MA	-	4		14-DMP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	50		1.2V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	70 NA	2 MV	4 v	36 v
LT1363CS8	-	RFQ	4511	아날로그 아날로그 Inc.	C-Load ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1363	6.3ma	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		1000V/µs		60 MA	전압 전압	70MHz	600 NA	500 µV	5 v	36 v
TLC277IDG4	-	RFQ	7224	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC277	1.4ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	900 µV	4 v	16 v
opa828id	8.3900	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA828	5.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-53407	귀 99	8542.33.0001	75		150V/µs		30 MA	J-FET	45MHz	1 PA	50 µV	8 v	36 v
LMV721IDBVR	1.0000	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV721	1.03MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		5.25V/µs			범용	10MHz	260 NA	80 µV	2.2 v	5 v
MAX452ESA+T	-	RFQ	2234	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		전압 전압	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			최대 452	25 MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	± 4.5V ~ 5.5V	300V/µs	50MHz	20 MA
TLV2302IDGKR	1.2045	RFQ	2508	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	증폭기, 비교기		TLV2302					8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500
tsv620ailt	1.3900	RFQ	1	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			TSV620	29µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.14V/µs		74 MA	범용	420 kHz	1 PA	800 µV	1.5 v	5.5 v
TSX9291IYLT	2.3400	RFQ	3	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TSX9291	2.8ma	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		27V/µs		74 MA	범용	16MHz	10 PA	4 MV	4 v	16 v
opa2228p	12.1900	RFQ	46	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA2228	3.7ma (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		11V/µs		45 MA	범용	33MHz	2.5 NA	5 µV	5 v	36 v
TL3472IP	0.9900	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TL3472	3.5MA (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		13V/µs		34 MA	범용	4 MHz	100 NA	1 MV	4 v	36 v
MAX454CSD	-	RFQ	6247	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는		4 : 1 증폭기 멀티플렉서	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			최대 454	25 MA	-	1		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	± 4.5V ~ 5.5V	300V/µs	50MHz	20 MA
INA110KP	20.3200	RFQ	335	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			INA110	3MA	-	1		16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		17V/µs	2.5MHz	25 MA	수단		20 PA	100 µV	12 v	36 v
MAX4377HASA	-	RFQ	6315	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4377	1MA (x2 2)	-	2		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		10V/µs	2 MHz		현재의 현재의		120 µA		3 v	28 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²