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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TSV772IYST	2.4600	RFQ	163	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				1.9ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8- 미소	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	497-TSV772IYSTTR	귀 99	8542.33.0001	4,000	13V/µs		65 MA	범용	20MHz	2 PA	200 µV	2 v	5.5 v
MAX4288ESD	-	RFQ	5762	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4288	23MA (x2 2)	-	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	1	385V/µs	250MHz	106 MA	버퍼, 피드백 전압		13 µA	1.5 MV	2.85 v	6.5 v
MAX478ACPA	-	RFQ	8255	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			MAX478	13µA (x2 ()	미분	2		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	0.04V/µs			범용	85 kHz	3 NA	50 µV	3 v	30 v
TLV2775CPW	0.8700	RFQ	2	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				1ma (x4 4)	철도 철도 레일	4		16-TSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	700 µV	2.5 v	5.5 v
NCS2502DR2G	-	RFQ	3678	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			NCS2502	650µA	-	1		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	230V/µs	110MHz	80 MA	현재 현재		3 µA	8 MV	5 v	10 v
NJM14558D	0.3099	RFQ	3674	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			NJM14558	2.7ma	-	2		8-DIP	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	2.5V/µs			범용	5 MHz	70 NA	500 µV	4 v	14 v
ina213aidcktg4	-	RFQ	5764	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA213	65µA	-	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	0.4V/µs			현재의 현재의	80 kHz	28 µA	5 µV	2.7 v	26 v
LMV832MME/NOPB	-	RFQ	8175	국가 국가	LMV®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				470µa (x2 채널)	-	2		8-VSSOP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1	2V/µs		66 MA	CMOS	3.3 MHz	0.1 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
MAX9705BEBC	1.0700	RFQ	1	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-WFBGA, CSPBGA	d. d	-			1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	10-UCSP	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1										2.3W x 1 @ 4ohm
tlc2264ain	1.9688	RFQ	8440	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC2264	850µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25	0.55V/µs		50 MA	범용	730kHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
Max9830aeta+t	-	RFQ	8861	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드	d. d	Depop, 입력 차동, 단락 및 열 보호 보호, 종료	MAX9830		1 채널 (모노)		2.6V ~ 5.5V	8-TDFN-EP (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										2.25MW x 1 @ 4ohm
LM6142BIN/NOPB	5.8500	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM6142	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40	25V/µs		24 MA	범용	18 MHz	174 Na	1.3 MV	1.8 v	24 v
lt1637mps8#trpbf	8.4600	RFQ	8061	아날로그 아날로그 Inc.	최고 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1637	230µA	철도 철도 레일	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.4V/µs		31.7 MA	범용	1.1 MHz	17 NA	100 µV	2.7 v	44 v
lt1077in8#pbf	7.5900	RFQ	72	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LT1077	56µA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	lt1077in8pbf	귀 99	8542.33.0001	50	0.12V/µs			범용	230kHz	7 NA	25 µV	2.2 v	30 v
TFA9812HN/N1,518	-	RFQ	7471	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	d. d	Depop, Digital Inputs, i²c, i², 음소거, 단락 및 열 보호, 볼륨 제어 제어	TFA981		2 채널 (스테레오)		8V ~ 20V	48-HVQFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000										15W x 2 @ 8ohm
tlv2404ain	-	RFQ	9027	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV240	900NA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25	0.0025V/µs		200 µA	범용	5.5 kHz	100 PA	390 µV	2.5 v	16 v
TLC2202CP	6.0529	RFQ	1398	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC2202	5.6MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	2.7V/µs		50 MA	CMOS	1.9 MHz	4 µA	2 MV	4.6 v	16 v
ina826aidgkr	2.9700	RFQ	7917	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA826	200µA	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	1V/µs	1MHz	16 MA	수단		35 NA	40 µV	2.7 v	36 v
NT28L52	-	RFQ	8318	Semtech Corporation	-	쟁반	활동적인												-				600-NT28L52			1
INA126E/2K5	4.7600	RFQ	9799	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA126	175µA	-	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.4V/µs	200 kHz	10 MA	수단		10 na	100 µV	2.7 v	36 v
TLV2262AIPWR	2.8800	RFQ	9320	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2262	400µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000	0.55V/µs		50 MA	CMOS	710 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	8 v
OPA2703PA	-	RFQ	5833	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA270	160µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	0.6V/µs		10 MA	CMOS	1MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
LMC6044IN/NOPB	-	RFQ	1778	국가 국가	LMC®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				52µA (x4 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	4		14-PDIP	다운로드						0000.00.0000	1	0.02V/µs		40 MA	CMOS	100 kHz	0.002 PA	1 MV	4.5 v	15.5 v
INA190A5QDCKRQ1	1.8405	RFQ	6769	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA190	48µA	철도 철도 레일	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	0.3V/µs			현재의 현재의	27 kHz	500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
AD8001ARZ	10.2900	RFQ	887	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8001	5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98	1200V/µs	715 MHz	70 MA	현재 현재		5 µA	2 MV	6 v	12 v
Max4250aauk+t	2.0100	RFQ	3923	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			최대 425	-	푸시 푸시, 풀 투 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.3V/µs		68 MA	범용	3MHz	0.1 PA	1.85 MV	2.4 v	5.5 v
TPA2011D1YFFR	0.9200	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	9-UFBGA, DSBGA	d. d	차동 차동, 입력 및 열 열 보호, 종료	TPA2011		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	9-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										3.24W x 1 @ 4ohm
EL5410CRZ	-	RFQ	9249	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			EL5410	2.5MA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	94	33V/µs	30MHz	30 MA	전압 전압	20MHz	2 NA	3 MV	4.5 v	16.5 v
LT1999CS8-10#PBF	6.5400	RFQ	4	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1999	5.8ma	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100	3V/µs	2 MHz		현재의 현재의		137.5 µA	500 µV	4.5 v	5.5 v
LMH6503MT	9.1349	RFQ	4287	텍사스 텍사스	LMH®	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LMH6503	37ma	-	1		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	94	1800V/µs	135 MHz	90 MA	가변 가변		11 µA		5 v	12 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²