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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
HA2-2529/883	11.7100	RFQ	55	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔				4.5MA	-	1		To-99-8	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1		150V/µs		35 MA	범용	20MHz	50 NA	2 MV	8 v	30 v
EL5156IS-T13	-	RFQ	7817	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL5156	6MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		700V/µs	600MHz		전압 전압	210MHz	400 NA	500 µV	4.5 v	12 v
LMP8640MKE-T/NOPB	2.9100	RFQ	35	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			LMP8640	2.3ma	-	1		SOT-23-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		1.8V/µs			현재의 현재의	950 kHz	13 µA	900 µV	2.7 v	12 v
OPA2234U/2K5G4	-	RFQ	6915	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2234	275µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.2V/µs		22 MA	범용	350 kHz	12 NA	70 µV	2.7 v	36 v
LMH6682mmx	-	RFQ	5906	텍사스 텍사스	LMH®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMH6682	6.5MA (x2 ()	-	2		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500		940V/µs	190 MHz	85 MA	전압 전압	120MHz	5 µA	1 MV	3 v	12 v
AD8099ACP-REEL7	3.0900	RFQ	10	아날로그 아날로그 Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-vfdfn 노출 패드, csp			AD8099	15MA	-	1		8-LFCSP (3x3)	다운로드		3 (168 시간)			귀 99	8542.33.0001	1,500		1350V/µs	510MHz	178 MA	전압 전압		6 µA	100 µV	5 v	12 v
LMV342MMX/NOPB	0.6495	RFQ	6956	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMV342	107µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500		1V/µs		113 MA	CMOS	1MHz	0.02 PA	700 µV	2.7 v	5.5 v
MCP6043T-E/SN	0.6750	RFQ	4138	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MCP6043	600NA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,300		0.003V/µs			범용	14 kHz	1 PA	3 MV	1.4 v	6 v
MAX4394ESD+	3.6600	RFQ	30	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인		전압 전압	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4394	6 MA	철도 철도 레일	3		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max4394esd+	귀 99	8542.33.0001	50	4.5V ~ 11V, ± 2.25V ~ 5.5V	500V/µs	85MHz	95 MA
LM324MTX	-	RFQ	7128	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TJ)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LM324	1.5MA	-	4		14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		-		40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
tlv4111idgnrg4	-	RFQ	3041	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			TLV4111	700µA	철도 철도 레일	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.57V/µs		320 MA	범용	2.7 MHz	0.3 PA	175 µV	2.5 v	6 v
AD380SH/883B	267.4400	RFQ	273	아날로그 아날로그 Inc.	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	To-8 12, 12 개의 리드				12MA	-	1		To-8-12	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		330V/µs		100 MA	범용	300MHz	10 PA	1 MV	12 v	40 v
LM4819m	-	RFQ	5687	텍사스 텍사스	부머 ®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	Depop, 입력 차동, 종료	LM4819		1 채널 (모노)		2V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*lm4819m	귀 99	8542.33.0001	95											350MW x 1 @ 16ohm
MC34074DG	-	RFQ	2562	모토로라	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1.9ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.33.0001	55		13V/µs		30 MA	J-FET	4.5MHz	100 NA	1 MV	3 v	44 v
TEA2025D	-	RFQ	4576	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	AB	Depop, 보호 열	TEA2025		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		3V ~ 12V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40											4.7W x 1 @ 8ohm; 2.4W x 2 @ 8ohm
LMH6723MA	2.0800	RFQ	90	국가 국가	LMH®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		600V/µs	370MHz	110 MA	현재 현재		2 µA	1 MV	4.5 v	12 v
OPA4131NAG4	-	RFQ	1188	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4131	1.5MA (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		10V/µs		25 MA	J-FET	4 MHz	5 PA	200 µV	9 v	36 v
HPA00169DGNR	-	RFQ	8219	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인							HPA00169						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500
log112aidr	12.0435	RFQ	3021	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-5 ° C ~ 75 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			로그 112	1.25MA	-	1		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.5V/µs	45 kHz		로그 로그 로그 및	1.4 MHz	5 PA	300 µV	9 v	36 v
LM4855ITLX/NOPB	-	RFQ	4359	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	18-WFBGA	AB	Depop, Mute, Shutdown, Spi, 열 보호, 볼륨 제어	LM4855		스테레오 스테레오 1 헤드폰이있는 (모노)		2.6V ~ 5V	18-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000											1.5W x 1 @ 4ohms; 115MW x 2 @ 32ohms
Sy88345bley	-	RFQ	7362	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	쓸모없는		광학 광학	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드	포스트 포스트 제한		SY88345B					10-msop-ep	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-1602	귀 99	8542.33.0001	100
BA3121N	-	RFQ	4694	Rohm 반도체	-	튜브	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-sip	AB	-	BA3121		2 채널 (스테레오)		4V ~ 18V	8-sip	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q2134729A	귀 99	8542.33.0001	1,000											-
MAX4461TETT+T	4.8600	RFQ	1	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	6-wdfn n 패드			MAX446	800µA	철도 철도 레일	1		6-TDFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.5V/µs	250 kHz	150 MA	수단	2.5MHz	1 PA		2.85 v	5.25 v
AD8037SRZ-EP-R7	18.3750	RFQ	9411	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8037	18.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		1500V/µs	270 MHz	70 MA	전압 전압		3 µA	2 MV	6 v	12 v
M38510/11402BGA	-	RFQ	3724	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인													-	Rohs3 준수			296-M38510/11402BGA			1
opa4316ipw	2.8100	RFQ	4575	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4316	400µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90		6V/µs		50 MA	CMOS	10MHz	5 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
TFA9895UK/N2BZ	-	RFQ	4855	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	29-UFBGA, WLCSP	d. d	Depop, 및 단락 열 보호	TFA9895		1 잭, 필터링		2.5V ~ 5.5V	29-WLCSP (3.19x2.07)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1											2.5W x 1 @ 4ohm
Ths3095drg4	-	RFQ	5725	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TH309	9.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		7300V/µs	235 MHz	280 MA	현재 현재		4 µA	900 µV	10 v	30 v
opa2364id	4.8300	RFQ	633	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2364	1.1ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		5V/µs		85 MA	CMOS	7 MHz	1 PA	900 µV	1.8 v	5.5 v
TL062CD	3.5700	RFQ	1	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL062	200µa (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		3.5V/µs		20 MA	J-FET	1MHz	30 PA	3 MV	6 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²