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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
AD8674ARZ	10.4700	RFQ	4	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8674	3MA (x4 4)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	56		4V/µs		20 MA	범용	10MHz	3 NA	20 µV	10 v	36 v
Max4207ete-t	-	RFQ	1013	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-wqfn n 패드			MAX4207	5MA	-	1		16-TQFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		12V/µs	1MHz	58 MA	로그	5 MHz	10 PA	600 µV	2.7 v	11 v
MAX4041ESA+	2.8600	RFQ	188	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX4041	14µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-4941-max4041esa+	귀 99	8542.33.0001	100		0.04V/µs			범용	90 kHz	2 NA	200 µV	2.4 v	5.5 v
NE5234D/01,518	-	RFQ	3395	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			NE523	2.8ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.8V/µs	2.5MHz	12 MA	범용		25 NA	200 µV	2 v	5.5 v
EL2126CSZ	-	RFQ	9230	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL2126	5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	97		150V/µs	135 MHz	220 MA	전압 전압		7 µA	500 µV	5 v	30 v
AD8072JRZ-REEL7	3.3150	RFQ	8989	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		현재 현재	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8072	3.5 MA	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	5V ~ 12V, ± 2.5V ~ 6V	500V/µs	100MHz	30 MA
LTC6253IMS-7#TRPBF	5.4300	RFQ	3208	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LTC6253	4.25MA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		500V/µs	400MHz	100 MA	범용	2GHz	1.4 µA	50 µV	2.5 v	5.25 v
TLV6001UIDBVT	1.1500	RFQ	16	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV6001	75µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		0.5V/µs		15 MA	범용	1MHz	1 PA	750 µV	1.8 v	5.5 v
ISL99202IRTAZ	-	RFQ	3105	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	12-wfqfn q 패드	AB	Depop, 및 단락 열 보호 보호, 종료	ISL99202		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		2.4V ~ 5.5V	12-TQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-Isl99202irtaz	귀 99	8542.33.0001	100											70mw x 2 @ 16ohm
AD795JR-REEL	-	RFQ	2498	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD795	1.3ma	-	1		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,500		1V/µs	1.6 MHz	10 MA	J-FET		1 PA	100 µV	8 v	36 v
LMC6044AIN/NOPB	-	RFQ	2447	텍사스 텍사스	LMC®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LMC6044	52µA (x4 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		0.02V/µs		40 MA	CMOS	100 kHz	0.002 PA	1 MV	4.5 v	15.5 v
tl052aidrg4	-	RFQ	5379	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL052	4.8ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		20.7V/µs		80 MA	J-FET	3MHz	30 PA	650 µV	10 v	30 v
TAS5414BTPHDQ1	15.3861	RFQ	1771	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-tqfp q 패드	d. d	Depop, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 종료	TAS5414		4 채널 (쿼드)		6V ~ 24V	64-HTQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90											150w x 2 @ 2ohm; 79W x 4 @ 4ohm
LP2902N	1.0700	RFQ	5204	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LP2902	150µA	-	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		0.05V/µs		10 MA	범용	100 kHz	2 NA	2 MV	3 v	26 v
LMV772QMMX/NOPB	1.0950	RFQ	1086	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, LMV®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMV772	600µA (x2 채널)	차동, 대 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500		1.4V/µs		75 MA	범용	3.5MHz	0.23 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
OPA349UA	1.7500	RFQ	107	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA349	1µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.02V/µs		8 MA	범용	70 kHz	0.5 PA	2 MV	1.8 v	5.5 v
AD8225ARZ-R7	6.4200	RFQ	5520	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8225	1.05MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		5V/µs	900 kHz	18 MA	수단		500 PA	50 µV	3.4 v	36 v
OPA2197ID	2.9400	RFQ	3385	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2197	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-44779-5	귀 99	8542.33.0001	75		20V/µs		65 MA	범용	10MHz	5 PA	25 µV	4.5 v	36 v
THS7530PWPR	4.1190	RFQ	9554	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			THS7530	40ma	미분	1		14-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		1250V/µs	300MHz		가변 가변		20 µA		4.5 v	5.5 v
BU7150NUV-E2	3.0000	RFQ	5	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	10-vfdfn 노출 패드	AB	Depop, 및 단락 열 보호 보호, 종료	BU7150		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		0.93V ~ 3.5V	vson010v3030	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000											85MW x 1 @ 8ohm; 14MW X 2 @ 16ohm
AD8251ARMZ	14.3100	RFQ	9768	아날로그 아날로그 Inc.	ICMOS®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			AD8251	4.1ma	-	1		10-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		30V/µs	10MHz	37 MA	수단		5 na	70 µV	10 v	30 v
HVA1230	560.5500	RFQ	1	HVM Technology, Inc.	HVA	대부분	활동적인		고전압 고전압	구멍을 구멍을	5-DIP 모듈	증폭기							-	다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할		2244-HVA1230	귀 99	8504.40.9580	5
SSM2315CBZ-REEL7	4.1500	RFQ	2	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	9-WFBGA, WLCSP	d. d	Depop, 입력 차동, 단락 및 열 보호 보호, 종료	SSM2315		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	9-WLCSP (1.46x1.46)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000											4.28W x 1 @ 3ohm
opa2334aidgstg4	-	RFQ	9347	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2334	285µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		1.6V/µs		50 MA	제로 제로	2 MHz	70 PA	1 µV	2.7 v	5.5 v
NE5534ADG	-	RFQ	1325	온세미	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			NE5534	4MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98		13V/µs		38 MA	범용	10MHz	500 NA	500 µV	6 v	40 v
tlv2463aqpwr	-	RFQ	1119	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV246	550µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
MCP6292-E/P	1.3500	RFQ	4	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			MCP6292	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	60		7V/µs		25 MA	범용	10MHz	1 PA	3 MV	2.4 v	6 v
ADHV4702-1BCPZ	24.1400	RFQ	2154	아날로그 아날로그 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	12-wqfn n 패드, csp			ADHV4702	3MA	-	1		12-LFCSP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		74V/µs	10MHz	20 MA	범용		0.3 PA	150 µV	24 v	220 v
EL5156IS	-	RFQ	7853	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL5156	6MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	97		700V/µs	600MHz	140 MA	전압 전압	210MHz	400 NA	500 µV	4.5 v	12 v
lt6012cgn#trpbf	5.4900	RFQ	9984	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT6012	135µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.11v/µs		20 MA	범용	350 kHz	20 PA	35 µV	2.7 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²