RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
MC33178DR2G	0.8200	RFQ	74	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MC33178	1.7ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	2V/µs		100 MA	범용	5 MHz	100 NA	150 µV	4 v	36 v
MCP6472-E/MS	0.8100	RFQ	1415	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			MCP6472	100µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100	1.1V/µs		32 MA	CMOS	2 MHz	1 PA	1.5 MV	2 v	5.5 v
MCP6L94T-E/ST	1.8000	RFQ	5271	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MCP6L94	850µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	7V/µs		25 MA	범용	10MHz	1 PA	1 MV	2.4 v	6 v
TLC27L2MD	0.7087	RFQ	4774	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27L2	20µa (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	0.03V/µs		30 MA	CMOS	110 kHz	0.6 PA	1.1 MV	4 v	16 v
tlc081idgn	-	RFQ	1745	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드				1.9ma	-	1		8-msop-powerpad	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
lm324kdr	-	RFQ	2361	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM324	1MA	-	4		14-SOPJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LM324KDRRS	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.3V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	20 NA	1 MV	3 v	32 v
AD648KRZ-REEL7	-	RFQ	5147	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD648	340µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	1,000	1.8V/µs	1MHz	15 MA	J-FET	1MHz	3 PA	300 µV	9 v	36 v
AD622AR	-	RFQ	8199	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD622	900µA	-	1		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	98	1.2V/µs	1MHz	18 MA	수단		2 NA	60 µV	5.2 v	36 v
LT1497CS8#PBF	10.5700	RFQ	80	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1497	7ma (x2 2)	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100	900V/µs	50MHz	220 MA	현재 현재		7 µA	3 MV	5 v	30 v
TPA2017D2RTJT	2.2600	RFQ	2081	텍사스 텍사스	SmartGain ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-wfqfn q 패드	d. d	차동 차동, 입력 및 열 보호 보호, 셧다운, 볼륨 제어	TPA2017		2 채널 (스테레오)		2.5V ~ 5.5V	20-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										2.8W x 2 @ 4ohm
5962-9211701M2A	152.8200	RFQ	21	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	20-Clcc			5962-9211701	10MA	-	2		20-CLCC (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	300V/µs		32 MA	범용	50MHz	3.3 µA	300 µV	9 v	36 v
ALD1702BSAL	6.1496	RFQ	2656	Advanced Linear Devices Inc.	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			ALD1702	1.1ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	50	2.8V/µs		8 MA	범용	1.7 MHz	1 PA	2 MV	4 v	12 v
opa4172ipwr	2.9400	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4172	1.6MA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000	10V/µs		75 MA	범용	10MHz	8 PA	200 µV	4.5 v	36 v
TDA8568Q/N3C, 112	-	RFQ	3638	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	23-sip 리드 형성	클래스 b	데포, 단락, 음소거 및 열 보호 보호, 대기	TDA856		4 채널 (쿼드)		6V ~ 18V	DBS23P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	18										35W x 4 @ 4ohm
LMC6044IMX	-	RFQ	8274	텍사스 텍사스	LMC®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6044	52µA (x4 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	4		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.02V/µs		40 MA	CMOS	100 kHz	0.002 PA	1 MV	4.5 v	15.5 v
LTC6085HDHC#PBF	5.8100	RFQ	77	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-Wfdfn d 패드 패드			LTC6085	110µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-DFN (5x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-2735-LTC6085HDHC#PBF	귀 99	8542.33.0001	73	0.5V/µs		12.5 MA	CMOS	1.5MHz	1 PA	300 µV	2.5 v	5.5 v
MCP6V01T-E/MNY	2.4800	RFQ	103	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			MCP6V01	300µA	철도 철도 레일	1		8-TDFN (2x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,300	0.5V/µs			제로 제로	1.3 MHz	1 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
SY88773VKI	-	RFQ	3443	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	쓸모없는		광학 광학	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	포스트 포스트 제한		SY88773					10-MSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100
TS931Bilt	1.7200	RFQ	10	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TS931	20µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	0.05V/µs		5 MA	범용	100 kHz	1 PA	2 MV	2.7 v	10 v
FAN4274IMU8X	0.3275	RFQ	4177	온세미	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			FAN4274	200µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000	3V/µs	3.7 MHz	33 MA	CMOS	3.7 MHz	5 PA	6 MV	2.3 v	5.25 v
SSM3515CCBZ-R7	8.5000	RFQ	2	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-UFBGA, WLCSP	d. d	Depop, 및 단락 열 보호	SSM3515		1 채널 (모노)		4.5V ~ 17V	20-WLCSP (1.8x2.2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										-
LMV358QDDUR	1.4100	RFQ	16	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)			LMV358	210µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	1V/µs		40 MA	범용	1MHz	15 na	1.7 MV	2.7 v	5.5 v
CA3130AMZ96	4.0080	RFQ	4898	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			CA3130	10MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	30V/µs		45 MA	범용	15MHz	5 PA	2 MV	5 v	16 v
LMH6642MAX/NOPB	1.9000	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6642	2.7ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	135V/µs	130MHz	75 MA	전압 전압		1.6 µA	1 MV	2.7 v	12.8 v
SA5234D/01,512	-	RFQ	1513	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			SA523	2.8ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	57	0.8V/µs	2.5MHz	12 MA	범용		25 NA	200 µV	2 v	5.5 v
EL5164IW-T7	-	RFQ	5680	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6			EL5164	3.5MA	-	1		6 소트	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	4700V/µs	600MHz	190 MA	현재 현재		2 µA	1.5 MV	5 v	12 v
TPA6120A2DWP	3.8600	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드	AB	차동 차동, 입력 및 열 보호 보호	TPA6120A2		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		10V ~ 30V, ± 5V ~ 15V	20-HSOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25										80mw x 2 @ 600ohm
EL5224ire-T7	-	RFQ	2679	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드			EL5224	6.8ma (x8 ()	철도 철도 레일	8		24-HTSSOP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	15V/µs	12MHz	140 MA	완충기	8 MHz	2 NA	2 MV	4.5 v	16.5 v
LM4895LD	-	RFQ	5103	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	10-wfdfn d 패드	AB	Depop, 입력 차동, 셧다운, 열 보호	LM4895		1 채널 (모노)		2.2V ~ 5.5V	10) (3x4)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000										1.4W x 1 @ 4ohm
OPA2137U/2K5	1.7550	RFQ	7341	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2137	220µA	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	3.5V/µs		60 MA	J-FET	1MHz	5 PA	1.5 MV	4.5 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²