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증폭기 (41159)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LTC6078AHMS8#PBF	7.8700	RFQ	4237	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LTC6078	55µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.05V/µs		25 MA	CMOS	750 kHz	0.2 PA	10 µV	2.7 v	5.5 v
lt6013ais8#trpbf	3.5400	RFQ	2066	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT6013	200µA	철도 철도 레일	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.2V/µs		20 MA	범용	1.4 MHz	100 PA	20 µV	2.7 v	36 v
EL5172IY-T7	-	RFQ	3197	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			EL5172	5.6MA	-	1		8-MSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,500		800V/µs	250MHz	95 MA	미분	100MHz	6 µA	7 MV	4.75 v	11 v
lt1014in#pbf	12.4100	RFQ	5260	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LT1014	350µa (x4 채널)	-	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		0.4V/µs		20 MA	범용	1MHz	15 na	60 µV	4 v	44 v
LPV801DBVT	1.7400	RFQ	527	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LPV801	450NA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		0.002V/µs		4.7 MA	범용	8 kHz	0.1 PA	550 µV	1.6 v	5.5 v
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LMC6084IMX/NOPB	6.0500	RFQ	5	텍사스 텍사스	LMC®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6084	2.2MA (x4 ()	푸시 푸시, 풀 투 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.5V/µs		34 MA	CMOS	1.3 MHz	0.01 PA	150 µV	4.5 v	15.5 v
NJM084D#	-	RFQ	8782	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				6MA	-	4		14-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		13V/µs			J-FET	3MHz	30 PA	5 MV	8 v	36 v
opa2658ub	2.5900	RFQ	7593	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA265	10MA (x2 2)	-	2		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		1700V/µs		120 MA	현재 현재		30 µA	2 MV	9 v	11 v
lt1632is8#trpbf	12.1100	RFQ	12	아날로그 아날로그 Inc.	LT®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1632	4.6MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		45V/µs		70 MA	범용	45MHz	1.15 µA	500 µV	2.7 v	36 v
AD818ARZ-REEL7	7.5700	RFQ	7	아날로그 아날로그 Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		전압 전압	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD818	7 MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	750	5V ~ 36V, ± 2.5V ~ 18V	500V/µs	130MHz	50 MA
OPA2336EA/2K5	2.8200	RFQ	4	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2336	20µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.03V/µs		5 MA	CMOS	100 kHz	1 PA	60 µV	2.3 v	5.5 v
SY88923VKC	-	RFQ	5359	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	쓸모없는		광학 광학	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	포스트 포스트 제한		SY88923					10-MSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100
EL8302IU-T13	-	RFQ	5074	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL8302	5.6MA (X3 ()	철도 철도 레일	3		16-QSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		600V/µs	500MHz	65 MA	범용	200MHz	6 µA	800 µV	3 v	5 v
LT1812CS8#PBF	3.4300	RFQ	1382	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LT1812	3MA	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		750V/µs		60 MA	전압 전압	100MHz	900 NA	400 µV	2.5 v	12.6 v
EL5146CS-T13	-	RFQ	5713	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			EL5146	7ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		200V/µs	100MHz	120 MA	전압 전압	60MHz	2 NA	15 MV	4.75 v	5.25 v
TL051CD	1.3200	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL051	2.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		20V/µs		80 MA	J-FET	3.1 MHz	30 PA	590 µV	10 v	30 v
AD8607ARZ	3.9900	RFQ	8896	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AD8607	40µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	98		0.1V/µs		70 MA	CMOS	400 kHz	0.2 PA	12 µV	1.8 v	5 v
ISL28113FEZ-T7	0.6000	RFQ	8626	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			ISL28113	90µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		1V/µs		22 MA	범용	2 MHz	3 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
TLV2770AID	2.1061	RFQ	5120	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2770	1MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		10.5V/µs		50 MA	범용	5.1 MHz	2 PA	500 µV	2.5 v	5.5 v
18957-K-13	-	RFQ	3848	아날로그 아날로그 Inc.	*	대부분	쓸모없는													-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1
MC33174D	-	RFQ	8391	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MC33174	220µA	-	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MC33174DST	귀 99	8542.33.0001	50		2V/µs		27 MA	범용	2.1 MHz	100 NA	1 MV	4 v	44 v
MAX409BCSA	-	RFQ	1582	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MAX409	1µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		0.08V/µs		600 µA	범용	150 kHz	0.1 PA	750 µV	2.5 v	10 v
MAX475ESD	-	RFQ	6955	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			최대 475	2MA (x4 4)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		17V/µs			범용	12MHz	80 NA	800 µV	2.7 v	5.25 v
INA253A1IPW	5.2800	RFQ	2	텍사스 텍사스	제로 제로	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			INA253	1.8ma	-	1		20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-53070	귀 99	8542.33.0001	70		2.4V/µs	350 kHz		현재의 현재의		90 PA		2.7 v	5.5 v
LTC1053CSW#PBF	23.8100	RFQ	6077	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	18- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			LTC1053	1ma (x4 4)	-	4		18- 형	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40		4V/µs			헬기 (드리프트 제로)	2.5MHz	15 PA	0.5 µV	4.75 v	16 v
tle2301inee4	-	RFQ	3490	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLE2301	11ma	-	1		16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		14V/µs		1 a	범용	8 MHz	283 NA	400 µV	9 v	40 v
PAM8302AASCR	0.5900	RFQ	114	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	d. d	Depop, 및 단락 열 보호	PAM8302		1 채널 (모노)		2V ~ 5.5V	8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500											2.5W x 1 @ 4ohm
TLV2241IP	1.6472	RFQ	3176	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2241	1µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.002V/µs		200 µA	범용	5.5 kHz	100 PA	600 µV	2.5 v	12 v
ina338aidgsrg4	-	RFQ	1089	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA338	2.4ma	-	1		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		-	1 kHz	25 MA	수단		200 PA	20 µV	2.7 v	5.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

증폭기 (41159)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²