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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전류 - 공급 출력 출력 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대)
MAX4402AUA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4402AUA -
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ECAD 8010 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MAX4402 410µa (x2 채널) 철도 철도 레일 2 8-ux/usop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1 1V/µs 30 MA 범용 800 kHz 0.1 PA 1 MV 2.5 v 5.5 v
AD8643ACPZ-REEL7 Analog Devices Inc. 8643ACPZ-REEL7 11.4500
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ECAD 3539 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-wfqfn q 패드, csp AD8643 200µa (x4 () 철도 철도 레일 4 16-LFCSP-WQ (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,500 3V/µs 12 MA J-FET 3.5MHz 0.25 PA 70 µV 5 v 26 v
TLV2422CD Texas Instruments TLV2422CD 1.0518
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ECAD 2766 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLV2422 100µa (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 0.02V/µs 50 MA 범용 5.3 MHz 1 PA 300 µV 2.7 v 10 v
LM124J/883/MABI Texas Instruments LM124J/883/MABI -
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ECAD 7563 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 1.5MA 푸시 푸시, 풀 4 14-CDIP 다운로드 Rohs3 준수 296-LM124J/883/MABI 1 0.1V/µs 30 MA 범용 1MHz 20 NA 3 MV 3 v 32 v
TLC27M2MD Texas Instruments TLC27M2MD 0.8459
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ECAD 6980 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLC27M2 285µA (x2 채널) - 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 0.62V/µs 30 MA CMOS 635 kHz 0.7 PA 1.1 MV 4 v 16 v
TLV2332IPWR Texas Instruments tlv2332ipwr 0.9135
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ECAD 2780 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TLV2332 210µA (x2 채널) - 2 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.43V/µs 30 MA 범용 525 kHz 0.6 PA 1.1 MV 2 v 8 v
TL064BCDG4 Texas Instruments TL064BCDG4 -
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ECAD 4965 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TL064 200µa (x4 () - 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 3.5V/µs J-FET 1MHz 30 PA 2 MV 10 v 30 v
THS4509RGTTG4 Texas Instruments THS4509RGTTG4 -
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ECAD 9774 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 THS4509 37.7ma 미분 1 16-VQFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250 6600V/µs 2GHz 미분 3GHz 8 µA 1 MV 3 v 5.25 v
LT1783CS5#TRMPBF Analog Devices Inc. LT1783CS5#TRMPBF 3.3700
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ECAD 27 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. 최고 ® 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 LT1783 230µA 철도 철도 레일 1 TSOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 500 0.45V/µs 30 MA 범용 1.3 MHz 40 Na 500 µV 2.5 v 18 v
MCP6V61UT-E/LTY Microchip Technology mcp6v61ut-e/lty 1.5100
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ECAD 5317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 MCP6V61 80µA 철도 철도 레일 1 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 0.45V/µs 23 MA 제로 제로 1MHz 1 PA 8 µV 1.8 v 5.5 v
TL072ACPSRG4 Texas Instruments TL072ACPSRG4 -
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ECAD 5980 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) TL072 1.4ma (x2 () - 2 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 13V/µs J-FET 3MHz 65 PA 3 MV 10 v 30 v
TLC274CPWRG4 Texas Instruments TLC274CPWRG4 -
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ECAD 4583 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TLC274 2.7ma (x4 () - 4 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 3.6V/µs 30 MA 범용 2.2 MHz 0.6 PA 1.1 MV 3 v 16 v
LTC6102HMS8#TR Analog Devices Inc. ltc6102hms8#tr -
RFQ
ECAD 8765 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 420µA - 1 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 161-ltc6102hms8#tr 귀 99 8542.33.0001 2,500 - 1 MA 현재의 현재의 200 kHz 60 PA 5 µV 4 v 60 v
TL082BIYDT STMicroelectronics TL082BIYDT 0.8600
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ECAD 32 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TL082 1.4ma - 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 16V/µs 40 MA J-FET 4 MHz 20 PA 1 MV 6 v 36 v
MCP6401T-E/LT Microchip Technology MCP6401T-E/LT 0.5300
RFQ
ECAD 664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 MCP6401 45µA 철도 철도 레일 1 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 0.5V/µs 범용 1MHz 1 PA 4.5 MV 1.8 v 6 v
TS924AID STMicroelectronics TS924AID -
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ECAD 3623 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TS924 1MA 철도 철도 레일 4 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 1.3V/µs 80 MA 범용 4 MHz 15 na 900 µV 2.7 v 12 v
MP5221DK-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP5221DK-LF-P -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 1.6MA 철도 철도 레일 2 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 500 45V/µs 20MHz 70 MA 범용 14 MHz 500 NA 2 MV 3.2 v 20 v
THS4021CDRG4 Texas Instruments THS4021CDRG4 -
RFQ
ECAD 9447 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) THS402 7.8ma - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 470V/µs 350MHz 100 MA 전압 전압 3 µA 500 µV 9 v 32 v
MAX9618AXA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX9618AXA+T 4.9300
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ECAD 6 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TFSOP (0.049 ", 1.25mm 너비) MAX9618 59µA (x2 채널) 철도 철도 레일 2 SC-70-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.7V/µs 150 MA 제로 제로 1.5MHz 31 PA 0.8 µV 1.6 v 5.5 v
LT1468CDD-2#PBF Analog Devices Inc. LT1468CDD-2#PBF 6.0755
RFQ
ECAD 8098 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 LT1468 3.9ma - 1 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 121 30V/µs 22 MA 범용 200MHz 10 na 100 µV 9 v 30 v
AD627AR-REEL7 Analog Devices Inc. AD627AR-REEL7 -
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AD627 60µA 철도 철도 레일 1 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 1,000 0.06V/µs 80 kHz 25 MA 수단 2 NA 50 µV 2.2 v 36 v
THS3111CD Texas Instruments THS3111CD 4.1712
RFQ
ECAD 8589 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) THS3111 4.8ma - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 1300V/µs 100MHz 260 MA 현재 현재 1.5 µA 3 MV 10 v 30 v
NJU7092AF-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. nju7092af-te1# 0.6045
RFQ
ECAD 5482 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJU7092 80µA 철도 철도 레일 1 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 1V/µs 범용 1MHz 1 PA 2 MV 1 v 5.5 v
THS4151IDGKRG4 Texas Instruments THS4151IDGKRG4 -
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) THS415 17.5MA 미분 1 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 650V/µs 150MHz 85 MA 미분 340MHz 4.3 µA 1.1 MV 4 v 33 v
LMH6643MA Texas Instruments LMH6643MA 3.3300
RFQ
ECAD 24 0.00000000 텍사스 텍사스 LMH® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LMH6643 2.7ma (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 95 135V/µs 130MHz 75 MA 전압 전압 1.6 µA 1 MV 2.7 v 12.8 v
ADA4610-1BRZ Analog Devices Inc. A4610-1BRZ 6.0400
RFQ
ECAD 2333 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ADA4610 1.6MA 철도 철도 레일 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 98 61V/µs 9.5MHz 79 MA J-FET 16.3 MHz 5 PA 400 µV 9 v 30 v
LM6152ACM/NOPB Texas Instruments LM6152ACM/NOPB 6.5800
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM6152 1.6MA (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 95 30V/µs 16.9 MA 범용 80MHz 500 NA 300 µV 2.7 v 24 v
NJM2137M# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2137M# 0.8856
RFQ
ECAD 3517 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2137 1.14ma - 2 8-DMP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 45V/µs 범용 200MHz 500 NA 1 MV 2.7 v 12 v
TL072CDR Texas Instruments TL072CDR 0.4200
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ECAD 68 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TL072 1.4ma (x2 () - 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 13V/µs J-FET 3MHz 65 PA 3 MV 10 v 30 v
ISL28433FBZ-T7 Renesas Electronics America Inc ISL28433FBZ-T7 4.8931
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL28433 18µA (x4 () 철도 철도 레일 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 0.2V/µs 19 MA 제로 제로 400 kHz 180 PA 2 µV 1.8 v 6 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고