SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전류 - 공급 출력 출력 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대)
ZXCT199QA3DW-7 Diodes Incorporated ZXCT199QA3DW-7 0.8100
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ECAD 3700 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q100, 제로 드리프트 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 65µA 철도 철도 레일 1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 0.5V/µs 14 kHz 현재의 현재의 28 µA 5 µV 2.7 v 26 v
MCP6H84T-E/STVAO Microchip Technology MCP6H84T-E/STVAO -
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ECAD 8072 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MCP6H84 700µa (x4 채널) 철도 철도 레일 4 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 5V/µs 55 MA 범용 5.5MHz 10 PA 1 MV 3.5 v 12 v
LMP7731MF National Semiconductor LMP7731MF -
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ECAD 6784 0.00000000 국가 국가 LMP® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 2.5MA 철도 철도 레일 1 SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1,000 2.4V/µs 49 MA 범용 22MHz 14 na 6 µV 1.8 v 5.5 v
LMC6492BEMX Texas Instruments LMC6492BEMX -
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ECAD 8308 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LMC6492 1.3ma (x2 () 차동, 대 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 1.3V/µs 30 MA CMOS 1.5MHz 0.15 PA 110 µV 2.5 v 15.5 v
ICL7611ACTV Harris Corporation ICL7611Actv -
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ECAD 3359 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 TO-99-8 9 캔 1MA 철도 철도 레일 1 To-99-8 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.33.0001 1 1.6V/µs CMOS 1.4 MHz 1 PA 2 MV 2 v 16 v
TLE2061IP Texas Instruments TLE2061IP 2.9000
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ECAD 7018 0.00000000 텍사스 텍사스 Excalibur ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLE2061 290µA - 1 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 3.4V/µs 80 MA J-FET 2 MHz 4 PA 600 µV 7 v 36 v
LMP7718MM/NOPB Texas Instruments LMP7718mm/NOPB 2.8100
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ECAD 368 0.00000000 텍사스 텍사스 LMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) LMP7718 1.3ma (x2 () 철도 철도 레일 2 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 11.5V/µs 60 MA 범용 88MHz 0.1 PA 10 µV 2 v 5.5 v
INA210BQDCKRQ1 Texas Instruments INA210BQDCKRQ1 1.0300
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ECAD 5368 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 제로 드리프트 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 INA210 65µA - 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 0.4V/µs 현재의 현재의 14 kHz 28 µA 0.55 µV 2.7 v 26 v
MAX40007ANT+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated Max40007ant+t 2.1900
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ECAD 14 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 나노 나노 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-XFBGA, WLPBGA MAX40007 700NA 철도 철도 레일 1 6-WLP (1.08x0.73) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.012V/µs 10 MA CMOS 15 kHz 40 PA 300 µV 1.7 v 5.5 v
HA1630D06MMEL-E Renesas Electronics America Inc HA1630D06MMEL-E -
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ECAD 4209 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) HA1630 1.6MA (x2 () - 2 8-mmpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 8V/µs 6.5 MA CMOS 3.6 MHz 1 PA 4 MV 1.8 v 5.5 v
5962-8760401GA Texas Instruments 5962-8760401GA -
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ECAD 5898 0.00000000 텍사스 텍사스 * 쟁반 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 296-5962-8760401GA 1
INA211AIDCKRG4 Texas Instruments ina211aidckrg4 -
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ECAD 5574 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 INA211 65µA - 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 0.4V/µs 현재의 현재의 7 kHz 28 µA 0.55 µV 2.7 v 26 v
MAX414BESD Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX414BESD -
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ECAD 5850 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX414 2.5MA (x4 () - 4 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1 4.5V/µs 35 MA 범용 28 MHz 80 NA 150 µV 4.8 v 10.5 v
CA5422E Harris Corporation CA5422E 0.9300
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ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 700µA 철도 철도 레일 2 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.33.0001 300 - 5 MA 범용 160 kHz 2 PA 5 MV 22 v 22 v
TLV2464AIPWR Texas Instruments tlv2464aipwr 3.3100
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ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TLV2464 550µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 1.6V/µs 80 MA 범용 6.4 MHz 1.3 NA 500 µV 2.7 v 6 v
TLV2371TDA1 Texas Instruments TLV2371TDA1 0.7524
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ECAD 8124 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 - 표면 표면 주사위 TLV2371 - 철도 철도 레일 1 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 360 - 범용
ISL28230FBZ-T7 Renesas Electronics America Inc ISL28230FBZ-T7 1.3193
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ECAD 4628 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL28230 20µa (x2 () 철도 철도 레일 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 0.2V/µs 15 MA 범용 400 kHz 250 PA 5 µV 1.8 v 5.5 v
LM6172IMX National Semiconductor LM6172IMX -
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ECAD 2887 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 4.6MA (x2 () - 2 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.33.0001 1 3000V/µs 160MHz 90 MA 전압 전압 100MHz 1.2 µA 400 µV 5.5 v 36 v
TLV2765CDR Texas Instruments TLV2765CDR 2.4480
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ECAD 7360 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLV2765 20µa (x4 () 철도 철도 레일 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.23V/µs 10.2 MA 범용 500 kHz 3 PA 550 µV 1.8 v 3.6 v
TL082CJG Texas Instruments TL082CJG 1.8400
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ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 1.4ma (x2 () - 2 8-CDIP - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 13V/µs 10 MA J-FET 3MHz 30 PA 3 MV 10 v 30 v
AD8216WYRZ Analog Devices Inc. AD8216wyrz 6.5700
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ECAD 196 년 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. 자동차 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AD8216 1MA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -2735-AD8216WYRZ 귀 99 8542.33.0001 98 15V/µs 3MHz 미분 500 µV 4.5 v 5.5 v
LT1805CS#PBF Analog Devices Inc. LT1805CS#PBF 10.5700
RFQ
ECAD 5569 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. LT® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LT1805 2.5MA (x4 () 철도 철도 레일 4 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 55 100V/µs 50 MA 범용 83MHz 2.5 µA 1.5 MV 2.3 v 12.6 v
AD606JCHIPS Analog Devices Inc. AD606JCHIPS -
RFQ
ECAD 6766 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 주사위 AD606 13MA 미분 1 주사위 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 1 - 1.2 MA 로그 4 µA 4.5 v 5.5 v
TLC272BCPG4 Texas Instruments TLC272BCPG4 -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLC272 1.9ma (x2 () - 2 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 5.3V/µs 30 MA CMOS 2.2 MHz 0.7 PA 290 µV 3 v 16 v
TL080CPS Texas Instruments TL080CPS 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 1.4ma - 1 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1 13V/µs J-FET 3MHz 30 PA 3 MV 36 v 36 v
LT6015MPS5#TRPBF Analog Devices Inc. LT6015MPS5#TRPBF 5.4600
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ECAD 5315 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 LT6015 325µA 철도 철도 레일 1 TSOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 0.8V/µs 범용 3.3 MHz 2 NA 55 µV 3 v 50 v
SA5534D Texas Instruments SA5534D 1.2800
RFQ
ECAD 77 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SA5534 4MA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 13V/µs 38 MA 범용 10MHz 500 NA 500 µV 10 v 30 v
LM324ANS Texas Instruments LM324ANS 0.1500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 1.4ma (x4 () - 4 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1 0.5V/µs 30 MA 범용 1.2 MHz 15 na 2 MV 3 v 30 v
NE5534P Texas Instruments NE5534P 1.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) NE5534 4MA - 1 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 13V/µs 38 MA 범용 10MHz 500 NA 500 µV 10 v 30 v
INA121P Texas Instruments INA121p 10.4800
RFQ
ECAD 180 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) INA121 450µA - 1 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 0.7V/µs 600 kHz 14 MA 수단 4 PA 200 µV 4.5 v 36 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고