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계측, op 앰프, 버퍼 앰프 (32771)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)
ICL7612BCPA1BI	-	RFQ	9924	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		1MA	철도 철도 레일	1	8-PDIP	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1	1.6V/µs			CMOS	1.4 MHz	1 PA	5 MV	2 v	16 v
LT1228IS8#PBF	14.5600	RFQ	42	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	LT1228	6MA	-	1	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100	3500V/µs	100MHz	125 MA	현재 현재		10 µA	3 MV	4 v	36 v
LMP7312MA	4.4000	RFQ	3900	국가 국가	LMP®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	차동, 대 철도 레일	1	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1	1.4V/µs			미분	1.2 MHz		100 µV	4.5 v	5.5 v
TS1105-20ITD833T	-	RFQ	8899	실리콘 실리콘	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-wdfn n 패드		1.3µA	-	1	8-TDFN (3x3)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000	-			현재의 현재의		300 PA	30 µV	1.7 v	5.25 v
LM432MA	-	RFQ	8448	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	LM432	150µa (x2 채널)	-	2	8-SOIC	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95	-		30 MA	범용	1MHz	3 NA	600 µV	2.5 v	16 v
NJU7044M	-	RFQ	7279	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비)		1.8ma	철도 철도 레일	4	14-DMP	-	rohs 준수	1 (무제한)			쓸모없는		50	0.8V/µs		50 MA	CMOS	800 kHz	1 PA	10 MV	2.2 v	5.5 v
8102306DA	-	RFQ	3275	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-cflatpack		1.4ma (x4 ()	-	4	14-cfp	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1	13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
TLC083CD	-	RFQ	8163	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TLC083	1.9ma (x2 ()	-	2	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
5962L0620602V9A	-	RFQ	4429	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수			296-5962L0620602V9A			1
OP07C	1.0900	RFQ	2851	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	OP07	-	-	1	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	98	0.3V/µs			범용		1.8 NA	60 µV	6 v	36 v
LMV358MUTAG	-	RFQ	7087	로체스터 로체스터 장치, LLC	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-ufdfn		105µa (x2 채널)	단일 단일, 종료 대 레일	2	8-UDFN (1.8x1.2)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LMV358MUTAG-2156			1	1V/µs		160 MA	기준	1MHz	3 NA	1.7 MV	2.7 v	5 v
opa2211spwp	-	RFQ	9317	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)	OPA221	3.6ma (x2 ()	철도 철도 레일	2	20-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	70	27V/µs		45 MA	범용	80MHz	60 NA	50 µV	4.5 v	36 v
EL5257IS	1.5400	RFQ	886	엘란 엘란	EL5257	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		6MA (x2 2)	-	2	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.33.0001	97	700V/µs	600MHz	140 MA	전압 전압	210MHz	200 NA	500 µV	5 v	12 v
LM6152ACM	4.9200	RFQ	2	국가 국가	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		1.6MA (x2 ()	철도 철도 레일	2	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1	30V/µs		16.9 MA	범용	80MHz	500 NA	300 µV	2.7 v	24 v
AD8542AR	-	RFQ	6154	아날로그 아날로그 Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AD8542	45µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	98	0.92V/µs		30 MA	범용	1MHz	4 PA	1 MV	2.7 v	5.5 v
5962-9318202QDA	-	RFQ	8516	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9318202QDA			1
BU5281G-TR	0.9000	RFQ	1	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	BU5281	750µA	-	1	5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	2V/µs		16 MA	범용	3MHz	1 PA	100 µV	1.8 v	5.5 v
TSV912AQDRQ1	1.0100	RFQ	51	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TSV912	550µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2	8-SOIC	-	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	4.5V/µs		50 MA	범용	8 MHz	5 PA	300 µV	2.5 v	5.5 v
TLC277IDG4	-	RFQ	7224	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TLC277	1.4ma (x2 ()	-	2	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	900 µV	4 v	16 v
MAX409BCPA+	-	RFQ	9909	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	MAX409	1µA	철도 철도 레일	1	8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	0.08V/µs		600 µA	범용	150 kHz	0.1 PA	750 µV	2.5 v	10 v
MCP6487-E/MSVAO	-	RFQ	4725	마이크로 마이크로 기술	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		550µa (x2 채널)	단일 단일	2	8-MSOP	다운로드				150-MCP6487-E/MSVAO			100	20V/µs		50 MA	기준	10MHz	1 PA	1.6 MV	1.8 v	5.5 v
TLC070AID	1.4100	RFQ	28	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TLC070	2.1ma	-	1	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	1.5 PA	390 µV	4.5 v	16 v
TLC27M4CDRG4	-	RFQ	6459	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TLC27M4	570µa (x4 채널)	-	4	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.62V/µs		30 MA	범용	525 kHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
AS358MTR-E1	0.6500	RFQ	38	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AS358	700µa (x2 채널)	-	2	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000	-		40 MA	범용		20 NA	2 MV	3 v	36 v
TS27L2IPT	1.2600	RFQ	6367	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	TS27L2	10µa (x2 ()	-	2	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,000	0.04V/µs		45 MA	CMOS	100 kHz	1 PA	1.1 MV	3 v	16 v
OP482ACBZ-R7	4.3600	RFQ	7	아날로그 아날로그 Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-UFBGA, WLCSP	OP482	210µA (x4 채널)	-	4	14-WLCSP (1.128x2.123)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	9V/µs		10 MA	J-FET	4 MHz	3 PA	200 µV	9 v	36 v
EL5224IL-T13	-	RFQ	6014	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드	EL5224	6.8ma (x8 ()	철도 철도 레일	8	24-QFN (5x4)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	15V/µs	12MHz	140 MA	완충기	8 MHz	2 NA	2 MV	4.5 v	16.5 v
EL8173FSZ	-	RFQ	7320	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	EL8173	65µA	철도 철도 레일	1	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	97	0.55V/µs	396 kHz	32 MA	수단		700 PA	200 µV	2.4 v	5.5 v
815ays	8.8500	RFQ	629	아날로그 아날로그 Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비), 18 개의 리드, 융합 리드		30ma	미분	2	24-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1	900V/µs	120MHz	500 MA	미분		10 µA	5 MV	10 v	36 v
LM224DTBR2G	0.6200	RFQ	601	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	LM224	-	-	4	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	-		40 MA	범용	1MHz	90 NA	2 MV	3 v	32 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

계측, op 앰프, 버퍼 앰프 (32771)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²