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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 채널 채널 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 -3dB 대역폭 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 종료 종료
DG202BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG202BDQ-T1-E3 3.0600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG202 4 16-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG9233DY-T1 Vishay Siliconix DG9233DY-T1 -
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9233 2 8-SOIC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 30ohm 400mohm 2.7V ~ 12V - 75ns, 50ns 2pc 7pf, 13pf 100pa -90dB @ 1MHz
DG9434DS-T1-E3 Vishay Siliconix DG9434DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-8 DG9434 2 SOT-23-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NO/NC 1 : 1 30ohm 300mohm 2.7V ~ 12V - 35ns, 18ns 0.36pc 7.5pf, 7.8pf 1NA -96dB @ 1MHz
SIP5638CS-TR-E3 Vishay Siliconix SIP5638CS-TR-E3 -
RFQ
ECAD 4608 0.00000000 Vishay Siliconix - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 48-LQFP SCSI SIP563 2.7V ~ 5.25V 48-sqfp (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 15
DG406DJ-E3 Vishay Siliconix DG406DJ-E3 -
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) DG406 1 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG406DJE3 귀 99 8542.39.0001 100 - - 16 : 1 100ohm 5ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 200ns, 150ns 15pc 8pf, 130pf 500pa -
DG303BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG303BDY-T1-E3 6.3000
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG303 2 14 -Soic - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - DPST -NO/NC 2 : 1 50ohm - - ± 15V 300ns, 250ns 8pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG418LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG418LEDY-GE3 -
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG418 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 3V ~ 16V
DG401DJ Vishay Siliconix DG401DJ -
RFQ
ECAD 2323 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG401 2 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG401DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG9411DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG9411DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG9411 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 12ohm - 2.25V ~ 5.5V - 11ns, 7ns 10pc 7pf, 20pf 1NA -70dB @ 1MHz
DG413HSDY-E3 Vishay Siliconix DG413HSDY-E3 2.7318
RFQ
ECAD 9680 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG413 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG413HSDYE3 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SDG41905 Vishay Siliconix SDG41905 -
RFQ
ECAD 9518 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - SDG41 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 500 - - - - - - - - - - - -
DG535DJ-E3 Vishay Siliconix DG535DJ-E3 -
RFQ
ECAD 1912 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 동영상 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) t- 스위치 구성 DG535 1 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 500MHz - 16 : 1 90ohm 10V ~ 16.5V -
DG456EQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG456EQ-T1-E3 4.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG456 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NO/NC 1 : 1 5.3ohm 120mohm 12V ~ 36V ± 5V ~ 15V 118ns, 97ns 22pc 31pf, 34pf 500pa -85dB @ 1MHz
DG406BDN-E3 Vishay Siliconix DG406BDN-E3 5.8025
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-LCC (J-Lead) DG406 1 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 400 - - 16 : 1 60ohm 3ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 107ns, 88ns 11pc 6pf, 108pf 500pa -
DG418LDY-E3 Vishay Siliconix DG418LDY-E3 -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG418 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
DG2039DS-T1-E3 Vishay Siliconix DG2039DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2175 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-8 DG2039 2 SOT-23-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NO/NC 1 : 1 5ohm 200mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 30ns, 22ns 1pc 15pf, 17pf 1NA -67dB @ 1MHz
DG2020DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG2020DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3752 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DG2020 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 1.6ohm - 2.7V ~ 5.5V - 6µs, 4µs 5pc 65pf 5.3NA -54dB @ 1MHz
DG411AK-E3 Vishay Siliconix DG411AK-E3 -
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-Cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
86716012A Vishay Siliconix 86716012A -
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 867160 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG9233EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG923333EDQ-T1-GE3 2.4500
RFQ
ECAD 3032 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG9233 2 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm 400mohm 2.7V ~ 5.5V - 75ns, 50ns -0.78pc 3.8pf 100pa -108dB @ 1MHz
DG612EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG612EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG612 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 1GHz spst- 아니요 1 : 1 115ohm 600mohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
DG405BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG405BDY-T1-E3 3.2827
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG405 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG417LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG417LEDY-GE3 -
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG417 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 3V ~ 16V
DG201BDJ-E3 Vishay Siliconix DG201BDJ-E3 2.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG201 4 16-PDIP - Rohs3 준수 1 (무제한) DG201BDJE3 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG2307DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG2307DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9094 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG2307 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 250MHz spdt 2 : 1 12ohm 320mohm 2V ~ 5.5V - 2.6ns, 2.6ns 7pc 6.5pf 100NA -58.7dB @ 10MHz
9073101EA Vishay Siliconix 9073101EA -
RFQ
ECAD 3521 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - 90731 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25
DG611AEQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG611AEQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG611 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 720MHz spst -nc 1 : 1 115ohm 700mohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 55ns, 35ns 1pc 2pf, 3pf 100pa -90dB @ 10MHz
DG211BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG211BDY-T1-E3 2.3300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG211 4 16- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG4053AEN-T1-E4 Vishay Siliconix DG4053AEN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG4053 3 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 730mhz spdt 2 : 1 100ohm 3ohm 2.7V ~ 12V ± 2.5V ~ 5V 108ns, 92ns 0.25pc 3pf, 4pf 1NA -67dB @ 10MHz
DG612DJ-E3 Vishay Siliconix DG612DJ-E3 -
RFQ
ECAD 7333 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG612 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG612DJE3 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spst- 아니요 1 : 1 45ohm 2ohm 10V ~ 18V ± 10V ~ 15V 35ns, 25ns 4pc 3pf, 2pf 250PA -87dB @ 5MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고