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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 채널 채널 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 -3dB 대역폭 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk
DG411HSDJ Vishay Siliconix DG411HSDJ -
RFQ
ECAD 4289 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SJM181BCA01 Vishay Siliconix SJM181BCA01 -
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - SJM18 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
DG534ADN Vishay Siliconix DG534ADN -
RFQ
ECAD 8004 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 20-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG534 2 20-PLCC (9x9) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spdt 2 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
DG408LEDN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG408LEDN-T1-GE4 1.9800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 DG408 1 16-QFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - 8 : 1 23ohm 1ohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 72ns, 47ns 11pc 5.5pf, 25pf 1NA -98db @ 100khz
DG418DJ Vishay Siliconix DG418DJ -
RFQ
ECAD 6904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG418 1 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG418DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG2011DXA-T1-E3 Vishay Siliconix DG2011DXA-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DG2011 1 SC-89-6 (SOT-666) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 2.7ohm 200mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 75ns, 59ns 2pc 29pf 1NA -69dB @ 1MHz
DG2307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2307DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3567 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG2307 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 250MHz spdt 2 : 1 12ohm 320mohm 2V ~ 5.5V - 2.6ns, 2.6ns 7pc 6.5pf 100NA -58.7dB @ 10MHz
DG1412EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG1412EN-T1-GE4 7.2500
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 DG1412 4 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 150MHz spst- 아니요 1 : 1 1.5ohm 40mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 140ns, 110ns -41pc 24pf, 23pf 500pa -104dB @ 1MHz
DG3157DL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG3157DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3976 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG3157 1 SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 300MHz spdt 2 : 1 15ohm 800mohm 1.65V ~ 5.5V - 25ns, 21ns 7pc 7pf 1µA -64dB @ 10MHz
DG509BEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG509BEN-T1-GE4 2.5200
RFQ
ECAD 527 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG509 2 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 250MHz SP4T 4 : 1 380ohm 10ohm 12V ~ 44V ± 5V ~ 20V 250ns, 240ns 2pc 3pf, 8pf 1NA -88dB @ 1MHz
9204202EA Vishay Siliconix 9204202EA -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 920420 2 16-Cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - SP4T 4 : 1 100ohm 15ohm (() - ± 15V 150ns, 150ns 20pc 3pf, 14pf 500pa -
DG417LDY-E3 Vishay Siliconix DG417LDY-E3 -
RFQ
ECAD 3715 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG417 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG417LDye3 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
DG200BDWF Vishay Siliconix DG200BDWF -
RFQ
ECAD 1353 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2 14-PDIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-DG200BDWF 쓸모없는 1 - spst -nc 1 : 1 85ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 1µs, 425ns 1pc 5pf, 5pf 2NA -95dB @ 1MHz
DG2733DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2733DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 DG2733 2 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 450mohm 30mohm 1.65V ~ 4.3V - 110ns, 30ns 9pc 104pf 1NA -75dB @ 100kHz
DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG419LEDQ-T1-GE3 1.6100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG419 1 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 1 : 2 18ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 40ns, 35ns 26pc 6pf, 20pf 10NA -72dB @ 1MHz
DG9431DY-E3 Vishay Siliconix DG9431DY-E3 -
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9431 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 30ohm 400mohm 2.7V ~ 5V - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -
DG419DJ-E3 Vishay Siliconix DG419DJ-E3 2.9000
RFQ
ECAD 567 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG419 1 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG419DJE3 귀 99 8542.39.0001 50 - spdt 2 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG419DY Vishay Siliconix DG419DY -
RFQ
ECAD 6533 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) DG419DYVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG187AP/883 Vishay Siliconix DG187AP/883 -
RFQ
ECAD 9044 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG187 1 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 30ohm - - ± 15V 150ns, 130ns - 9pf, 6pf 1NA -
DG308BDQ-E3 Vishay Siliconix DG308BDQ-E3 1.8773
RFQ
ECAD 3995 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG308 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 360 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 1.7ohm 4V ~ 44V ± 4V ~ 22V 200ns, 150ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG613DY-E3 Vishay Siliconix DG613DY-E3 -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG613 1 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG613DYE3 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz DPDT 1 : 1 45ohm 2ohm 10V ~ 18V ± 10V ~ 15V 35ns, 25ns 4pc 3pf, 2pf 250PA -87dB @ 10MHz
DG406DN Vishay Siliconix DG406DN -
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-LCC (J-Lead) DG406 1 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 400 - - 16 : 1 100ohm 5ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 200ns, 150ns 15pc 8pf, 130pf 500pa -
DG202BAK Vishay Siliconix DG202BAK -
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG202 4 16-Cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG611DY Vishay Siliconix dg611dy -
RFQ
ECAD 8697 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG611 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spst -nc 1 : 1 45ohm 2ohm 10V ~ 18V ± 10V ~ 15V 35ns, 25ns 4pc 3pf, 2pf 250PA -87dB @ 5MHz
DG2517EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2517EDN-T1-GE4 1.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 DG2517 2 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 221MHz spdt 2 : 1 3.1ohm 10mohm 1.8V ~ 5.5V - 40ns, 33ns -19.4pc - - -62dB @ 1MHz
DG9232EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG9232EDQ-T1-GE3 2.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG9232 2 8-MSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 25ohm 400mohm 2.7V ~ 5.5V - 75ns, 50ns -0.78pc 3.8pf 100pa -108dB @ 1MHz
DG445BDY-T1 Vishay Siliconix DG445BDY-T1 -
RFQ
ECAD 4189 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG445 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG470EY-T1-E3 Vishay Siliconix DG470EY-T1-E3 1.7300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG470 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 6ohm 120mohm 12V ~ 36V ± 4.5V ~ 15V 166ns, 108ns 58pc 37pf, 85pf 500pa -63dB @ 1MHz
DG507BEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG507BEQ-T1-GE3 5.3600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG507 2 28-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 217MHz - 8 : 1 300ohm 10ohm 12V ~ 44V ± 5V ~ 20V 250ns, 200ns 1pc 3pf, 17pf 1NA -84dB @ 1MHz
DG643DY-T1 Vishay Siliconix DG643DY-T1 -
RFQ
ECAD 9005 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG643 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 500MHz spdt 2 : 1 15ohm 1ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V 70ns, 50ns 19pc 12pf, 12pf 10NA -87dB @ 5MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고